DMN2250UFB 场效应管MOS  送样

安装风格: SMD/SMT  封装 / 箱体: X1-DFN1006-3  通道数量: 1 Channel  

晶体管极性: N-Channel 

 Vds-漏源极击穿电压: 20 V 

 Id-连续漏极电流: 1.35 A

  Rds On-漏源导通电阻: 170 mOhms 

 Vgs th-栅源极阈值电压: 350 mV  

Vgs - 栅极-源极电压: 8 V  Qg-栅极电荷: 3.1 nC  

工作温度: - 55 C  工作温度: + 150 C    DMN2250UFB 场效应管MOS  送样

 Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)  配置: Single  通道模式: Enhancement 系列: DMN22   晶体管类型: 1 N-Channel 

 下降时间: 25.4 ns   产品类型: MOSFET   上升时间: 6.1 ns   工厂包装数量: 10000  

典型关闭延迟时间: 59.4 ns   典型接通延迟时间: 4.3 ns

DMN2250UFB 场效应管MOS  送样

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