数据列表FDMC86102LZ;

标准包装  3,000包装  标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列PowerTrench®

规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）7A（Ta），18A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）24 毫欧 @ 6.5A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）22nC @ 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1290pF @ 50VFET 功能-功率耗散（值）2.3W（Ta），41W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳8-PowerWDFN

文档EDA / CAD 模型FDMC86102LZ by SnapEDA

PCN 封装Mult Devices 24/Oct/2017

PCN 设计/规格Drain-Source 22/Jun/2016

Logo 17/Aug/2017

RoHS指令信息Material Declaration FDMC86102LZ

图像和媒体产品相片8-MLP, Power33

特色产品Solutions for Energy Infrastructure

企业名：深圳市旗盛电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-13433307746

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