FDMS86101 MOSFET 100/20V Nch Power Trench

参数：

技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: Power-56-8 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 100 V 
Id-连续漏极电流: 12.4 A 
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
工作温度: - 55 C 
工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 2.5 W 
配置: Single 
通道模式: Enhancement 
商标名: PowerTrench 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
封装: Reel 
高度: 1.1 mm  
长度: 6 mm  
系列: FDMS86101  
晶体管类型: 1 N-Channel  
宽度: 5 mm  
商标: ON Semiconductor / Fairchild  
下降时间: 7 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 11 ns  
工厂包装数量: 3000  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 27 ns  
典型接通延迟时间: 15 ns

企业名：兆亿微波（北京）科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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