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OPA244NA3K全新芯片

OPA244NA3K全新芯片

OPA244NA3K全新芯片

型号/规格：
IRFP460APBF
品牌/商标：
IR

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相关产品

金牌会员第 17 年

企业名：深圳市荣轩电子商行

类型：

电话： 0755-83041767
0755-83041767

手机：13570833454
13570833454

联系人：柯R/林S

QQ：

邮箱：1227713593@QQ.COM

地址：广东深圳深圳市福田区华强电子世界三期4C143

产品分类

集成电路(IC)(5)
∟ 逻辑IC(2)∟ 其他IC(3)
电源IC(347)
∟ LDO(281)∟ DC-AC(19)∟ DC-DC(23)∟ LED驱动IC(5)∟ 稳压IC(10)∟ 充电管理IC(4)∟ 其他电源IC(6)
半导体存储器(23)
∟ ROM（只读存储器）(2)∟ QTP（掩膜ROM）(14)∟ NVROM(非易失随机存储器）(2)∟ PROM（可编程ROM）(4)∟ DRAM（MOS型动态存储器）(1)
二极管(63)
∟ 贴片/片式/SMD二极管(23)∟ 整流二极管(10)∟ 稳压二极管(6)∟ 开关二极管(4)∟ 硅粒子/硅堆/高压二极管(1)∟ 继流二极管(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(3)∟ 瞬态(变)抑制二极管(6)∟ 触发二极管(1)∟ 肖特基二极管(3)∟ 发光二极管(2)∟ 微波二极管(1)∟ 其他二极管(2)
三极管(82)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(41)∟ 功率三极管(22)∟ 开关三极管(5)∟ 低噪声三极管(3)∟ 超高频/高频三极管(1)∟ 三端稳压管(器)(2)∟ 微波三极管(1)∟ 带阻三极管(2)∟ 三极管芯片(管芯)(2)∟ 其他三极管(3)
场效应管MOSFET(15)
∟ MOSFET(13)∟ 结型场效应管(1)∟ GTR达林顿模块(1)
可控硅IGBT(4)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(4)
单片机(77)
∟ 单片机产品/套件(55)∟ 单片机开发板(1)∟ 单片机MCU(2)∟ 单片机仿真器(19)
电容器(1448)
∟ 贴片(片式/SMD)电容(186)∟ 贴片可(微)调电容(1)∟ 可(微)调电容(1)∟ 铝电解电容(108)∟ 无极性铝电解电容(25)∟ 钽电解电容(31)∟ 合金电解电容(1)∟ 安规电容(35)∟ 高压电容(5)∟ 超级(法拉/黄金)电容(12)∟ 瓷片(瓷介)电容(122)∟ 瓷管电容(14)∟ 陶瓷电容(559)∟ 独石(层积)电容(11)∟ 固态电容(7)∟ 有机薄膜介质电容(297)∟ 涤纶电容(4)∟ 聚丙烯(CBB)电容(22)∟ 无感电容(1)∟ 校正电容器(2)∟ 其他电容(3)
电阻器(172)
∟ 贴片/片式电阻(40)∟ 碳膜电阻(37)∟ 金属(氧化)膜电阻(12)∟ 氧化膜电阻(1)∟ 复合膜电阻(5)∟ 玻璃釉膜电阻(2)∟ 水泥电阻(1)∟ 线绕电阻(5)∟ 排阻/网络电阻(8)∟ 高功率电阻(1)∟ 热敏电阻(17)∟ 光敏电阻(4)∟ 气敏电阻(1)∟ 压敏电阻(33)∟ 高频无感电阻(1)∟ 铝壳电阻(2)∟ 其他电阻(1)
电感器(341)
∟ 贴片电感(286)∟ 色环/色码电感(1)∟ 磁珠/磁环（环型）电感(17)∟ I型/棒型/一字型电感(5)∟ 射频/高频电感(1)∟ 功率电感(3)∟ 扼流线圈电感(7)∟ 共模电感(10)∟ EMI滤波器(10)∟ 其他电感器(1)
电位器(28)
∟ 合成碳膜电位器(4)∟ 陶瓷电位器(2)∟ 线绕电位器(1)∟ 单圈、多圈电位器(5)∟ 直滑式电位器(3)∟ 其他电位器(13)
微调电位器(166)
∟ 贴片/片状电位器(145)∟ 碳膜微调/预调电位器(13)∟ 玻璃釉微调/预调电位器(2)∟ 精密微调/预调电位器(5)∟ 密封式微调/预调电位器(1)
石英晶体器件(37)
∟ 贴片晶振(25)∟ 晶振(普通)(12)
压电陶瓷元件(6)
∟ 陶瓷滤波器(2)∟ 陶瓷谐振器(2)∟ 压电陶瓷换能器（片）(2)
连接器/接插件(23)
∟ 条形(压接式)连接器(4)∟ 线对线连接器(1)∟ FFC/FPC/薄膜电缆连接器(4)∟ IC连接器(1)∟ 端子台(5)∟ IC插座(3)∟ 端子接插件(3)∟ 光纤端子(1)∟ 其他连接器(1)
开关(8)
∟ 贴片/片式开关(1)∟ 轻触开关(2)∟ 拨动/滑动开关(3)∟ 接近开关(2)
传感器(1)
∟ 电磁传感器(1)
保险丝(45)
∟ 贴片保险丝(31)∟ 玻璃管保险丝(1)∟ 自恢复保险丝(13)
放电管(7)
∟ 气体放电管(4)∟ 陶瓷放电管(3)
普通电池/蓄电池/动力电池(2)
∟ 铅酸电池(1)
变压器(1)
∟ 整流/电源变压器(1)
继电器(28)
∟ 电磁继电器(16)∟ 磁保持继电器(1)∟ 功率继电器(1)∟ 固态继电器(1)∟ 热继电器(3)∟ 过流(欠流、欠相)继电器(1)∟ 启动继电器(1)∟ 其他继电器(4)
放大器(2)
电声元件(17)
∟ 电动式扬声器(1)∟ 蜂鸣器（片）/振铃/压电（陶瓷）扬声器(16)
电声(扬声器)配件(3)
∟ 其它电声(扬声器)配件(3)
微特电机(2)
∟ 其他特种电机(2)
LED(37)
∟ LED器件(37)
显示屏/显示器件/配件(1)
∟ 触摸屏(1)
编码器(2)
∟ 旋转编码器(2)
其他未分类(59)

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商品信息

简史编辑

世界集成电路发展历史

1947年：美国贝尔实验室的约翰·巴丁、布拉顿、肖克莱三人发明了晶体管，这是微电子技术发展中个里程碑；

集成电路

集成电路

1950年：结型晶体管诞生

1950年： R Ohl和肖克莱发明了离子注入工艺

1951年：场效应晶体管发明

1956年：C S Fuller发明了扩散工艺

1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；

1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺

1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管

1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺

1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍

1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出块门阵列（50门），为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础，具有里程碑意义

1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球的半导体设备制造公司

1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现

1971年：个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明

1974年：RCA公司推出个CMOS微处理器1802

1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世

1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临

1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出台PC

1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世

1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM

1985年：80386微处理器问世，20MHz

1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段

1989年：1Mb DRAM进入市场

1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺

1992年：64M位随机存储器问世

1993年：66MHz奔腾处理器推出，采用0.6μm工艺

1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μm工艺；

集成电路

集成电路

1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世，采用0.25μm工艺

1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μm工艺，后采用0.18μm工艺

2000年：1Gb RAM投放市场

2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μm工艺

2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。

2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺。

2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。

2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。

2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发

联系方式

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