制造商:  Infineon   
产品种类:  MOSFET   
RoHS:   详细信息  
技术:  Si   
安装风格:  SMD/SMT   
封装 / 箱体:  TO-263-3   
通道数量:  1 Channel   
晶体管极性:  N-Channel   
Vds-漏源极击穿电压:  100 V   
Id-连续漏极电流:  120 A   
Rds On-漏源导通电阻:  2 MOhms   
Vgs - 栅极-源极电压:  +/- 20 V   
Vgs th-栅源极阈值电压:  2.2 V   
Qg-栅极电荷:  210 nC   
工作温度:  + 175 C   
封装:  Reel   
通道模式:  Enhancement   
商标:  Infineon Technologies  
配置:  1 N-Channel  
下降时间:  29 ns  
正向跨导 - 值:  124 S  
高度:  4.57 mm  
长度:  10.31 mm  
工作温度:  - 55 C  
Pd-功率耗散:  375 W  
上升时间:  26 ns  
系列:  XPB020N10  
工厂包装数量:  1000  
晶体管类型:  1 N-Channel  
典型关闭延迟时间:  77 ns  
典型接通延迟时间:  33 ns  
宽度:  9.45 mm  
零件号别名:  IPB020N10N5ATMA1 SP  
单位重量:  2 g 

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