制造商:  NXP   
产品种类:  MOSFET   
RoHS:   详细信息  
技术:  Si   
安装风格:  SMD/SMT   
封装 / 箱体:  SOT-883-3   
通道数量:  1 Channel   
晶体管极性:  N-Channel   
Vds-漏源极击穿电压:  30 V   
Id-连续漏极电流:  1.87 A   
Rds On-漏源导通电阻:  420 mOhms   
Vgs - 栅极-源极电压:  12 V   
工作温度:  + 150 C   
封装:  Reel   
通道模式:  Enhancement   
商标:  NXP Semiconductors  
配置:  Single  
下降时间:  5.5 ns  
高度:  0.47 mm  
长度:  1.02 mm  
工作温度:  - 55 C  
Pd-功率耗散:  2.5 W  
上升时间:  9.5 ns  
工厂包装数量:  10000  
晶体管类型:  1 N-Channel  
典型关闭延迟时间:  14 ns  
典型接通延迟时间:  6.5 ns  
宽度:  0.62 mm 

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