BSS83P的主要参数

型号：BSS83P

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:330 mA

Rds On-漏源导通电阻:3 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:2.38 nC

工作温度:- 55 C

工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:360 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm 

长度:2.9 mm 

产品:MOSFET Small Signal

 晶体管类型:1 P-Channel

 宽度:1.3 mm

 商标:Infineon Technologies 

正向跨导 - 值:0.24 S 

下降时间:61 ns

 产品类型:MOSFET 

上升时间:71 ns 

工厂包装数量:3000 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:56 ns

 典型接通延迟时间:23 ns

 零件号别名:BSS83PH6327XT BSS83PH6327XTSA1 SP000702486

 单位重量:8 mg

Mouser编号：726-BSS83PH6327

制造商编号：BSS83P H6327

制造商：Infineon Technologies

说明：MOSFET P-Ch SOT-23-3

公司简介：

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