并行或Flash嵌入式内存存储器M29W128GL70N6E

M29W128GH, M29W128GL

特性存储器M29W128GL70N6E

•电源电压- VCC = 2.7-3.6V(程序、擦除、读取)存储器M29W128GL70N6E

- VCCQ = 1.65-3.6V (I/O缓冲区)- VPPH = 12V用于快速程序(可选)

异步随机/页面读取存储器M29W128GL70N6E

页面大小:8个单词或16个字节页面访问:25,30ns-随机存取:60ns1

、70、80 ns快速程序命令:32字(64字节)写缓冲增强的缓冲程序命令:256字•项目时间

- 16μs TYP每个字节/词

-芯片编程时间:VPPH为5s，无VPPH为8s

VPPH

•组织记忆

-统一块:128个主块，128 kb或

64 - kword每个•项目/消除控制器-嵌入式字节/字程序算法

•程序/删除暂停和恢复功能-读取从任何块在程序SUS-

使悬而不决的操作-在擦除期间读取或编写另一个块

暂停操作解锁旁路，块擦除，芯片擦除，写入buf-

增强的缓冲程序命令-快速缓冲/批处理编程-快速块/芯片擦除

•VPP/WP# pin保护保护第一个或一个块，而不管块

保护设置•软件保护

-挥发性保护

——非易失性的保护

——密码保护

•扩展内存块

-用于perma-的128字(256字节)内存块

、安全识别•通用flash界面- 64位安全码

•低功耗:待机、自动模式

•每次至少100个程序/擦除周期块•符合RoHS标准的包装

- 56针TSOP (N) 14mm x 20m 64球TBGA (ZA) 10毫米x13毫米

 64球FBGA (ZS) 11mm x 13mm电子签名-制造商代码:0020h- M29W128GH制服，一块保护

VPP/WP#: 227Eh + 2221h + 2201h- M29W128GL制服，首块受保护

VPP/WP#: 227Eh + 2221h + 2200h

•汽车设备等级温度

- - 40°C至+125°C(汽车等级)

企业名：深圳市旺财半导体有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-83209217
0755-83209217

手机：15889871117

联系人：李先生/付小姐

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邮箱：373621633@qq.com

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