制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:90 ARds On-漏源导通电阻:7.5 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:2.5 VVgs - 栅极-源极电压:20 VQg-栅极电荷:155 nC  工作温度:- 55 C工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:136 W配置:Single通道模式:Enhancement资格:AEC-Q101商标名:TrenchFET封装:Cut Tape封装:Reel系列:SQ 晶体管类型:1 P-Channel 商标:Vishay / Siliconix 正向跨导 - 值:46 S 下降时间:19 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:15 ns 工厂包装数量:2000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:61 ns 典型接通延迟时间:13 ns 单位重量:340 mg

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