型号:THGBMBG8D4KBAIR

封装:BGA

品牌:TOSHIBA

THGBMBG6D1KBAIL8GB   二代19nm NANDeMMC5.0153Ball FBGA11.5mmx13mmx0.8mm

THGBMBG7D2KBAIL16GB   二代19nm NANDeMMC5.0153Ball FBGA11.5mmx13mmx0.8mm

THGBMBG8D4KBAIR32GB  二代19nm NANDeMMC5.0153Ball FBGA11.5mmx13mmx1.0mm

THGBMBG9D8KBAIG64GB  二代19nm NANDeMMC5.0153Ball FBGA11.5mmx13mmx0.8mm

系列概览

东芝eMMC V5.0嵌入式存储模块符合JEDEC发布的JEDEC eMMC 5.0版标准。采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片，11.5 x 13mm的小型FBGA封装，容量从4GB-128GB容量。主要应用于智能手机、平板电脑和数字摄像机等广泛的数字消费品，批量生产从11月底开始。

能够支持高分辨率视频和提供更大存储空间的高密度NAND闪存芯片的需求不断增长。这在包含控制器功能的嵌入式存储器领域尤为明显，这种嵌入式存储器可以使开发要求降至，并使得整合进系统设计更加便利。东芝正通过增强其高密度存储器产品系列来满足这一需求。

该公司的新型32 GB嵌入式设备在11.5 x 13 x 1.0mm的小封装中整合了4个64Gbit（相当于8GB）NAND芯片（采用东芝的19纳米第二代工艺技术制造）和一个专用控制器。它符合JEDEC于9月发布的JEDEC eMMC 5.0版标准，并且通过采用新的HS400高速接口标准实现了高读写性能。

东芝将在密度为4GB至128GB的单一封装嵌入式NAND闪存系列中使用这些NAND芯片。所有设备都将整合一个控制器来管理NAND应用的基本控制功能。

随移动电话、数码相机、平板电脑、车载导航等设备的迅速普及，用户对于高速大容量存储产品的需求也越来越大，而作为NAND Flash的东芝公司，一直引领存储业界的发展发向。多年来，东芝凭藉强大的研发实力，丰富的研发设计经验，秉承不断创新的精神，开创了数据存储的新纪元。

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