原装MULTICOMP品牌BSS84-7-F - 场效应管, MOSFET

晶体管极性：
P沟道
电流, Id 连续：
-130mA
漏源电压, Vds：
-50V
在电阻RDS（上）：
1.2ohm
电压 @ Rds测量：
-5V
阈值电压 Vgs：
-1.7V
功耗 Pd：
360mW
封装类型：
SOT-23
针脚数：
3引脚
工作温度值：
150°C

发布询价信息

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企业名：深圳市义熙科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-23613525

联系人：徐生

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地址：广东深圳深圳市福田区深南中路福田大厦西部2210

产品分类

集成电路(IC)(215)
∟ 逻辑IC(3)∟ 其他IC(212)
二极管(6)
∟ 贴片/片式/SMD二极管(1)∟ 开关二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(1)∟ ESD静电二极管(1)∟ 其他二极管(2)
三极管(9)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(3)∟ 功率三极管(1)∟ 开关三极管(1)∟ 三端稳压管(器)(1)∟ 复合(达林顿)三极管(1)∟ 其他三极管(2)
场效应管MOSFET(2)
∟ MOSFET(2)
电容器(1)
∟ 贴片(片式/SMD)电容(1)
电阻器(1)
∟ 压敏电阻(1)
电源/稳压器(5)
∟ 线性电源(5)
开关(1)
∟ 检测开关(1)
传感器(3)
∟ 温(湿)度传感器(3)
保险丝(1)
∟ 贴片保险丝(1)
继电器(1)
∟ 信号继电器(1)
编码器(1)
∟ 其他编码器(1)
其他未分类(6)

新品上架

商品信息 更新时间：2018-02-02

MOS 场效应管也被称为MOS FET，既Metal Oxide Semiconductor Field Effect

Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS

场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。

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