SI4166DY-T1-GE3

制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号

SI4166DY-T1-GE3

描述

MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装-N-沟道-pval-2068-30.5A（Tc）-3W（Ta）-6.5W（Tc）-8-SO

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30.5A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 3.9 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 65nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2730pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（值） 3W（Ta），6.5W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

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