数据列表IRFPE40

标准包装  25

包装    管件 

零件状态   在售

类别    分立半导体产品

产品族   晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）800V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5.4A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）2 欧姆 @ 3.2A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）130nC @ 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1900pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）150W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-247-3封装/外壳TO-247-3

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