深圳市联益微电子有限公司注册资金500万，十年电源管理芯片制造经验。富晶锂电池保护IC:DW01+G,DW01A-G,DW01-P,DW01C-G,DW01B-G,DW01MC-S,DW01MC-T,FS312F-G,FS3332C+MOS管FS8205，FS8205A,8205S,8205A,精工保护IC:S-8261ABJMG-G3JT2S,S-8261AAJMD-G2JT2S,S-8261AAMMD-G2MT2S,S-8261ABMMD-G3MT2S,S-8261ABRMD-G3RT2S,S-8261AAGMD-G2GT2S,S-8261ACEMD-G4ET2S,S-8261ABAMD-G3AT2S,S-8261ABPMD-G3PT2S,S-8261AANMD-G2NT2S,S-8211DAR-M5T1S,S-8241ACLMC-GCL ,S-8252AAG-,S-8252AAS-S-8252AAD-.S-8252AAH-,S-8252AAC-,S-8232AAFT-,S-8232ABFT-,S-8232AUFT-,S-8254AAGFT-,S-8254AAQFT-,S-8254AAJFT-,S-8254AAKFT-,S-8254AAAFT-,S-8254AAVFT-,S-8254AAFFT-,S-8254AANFT-S-8254AABFT-,S-8242AAD-,S-8242AAY-,S-8242AAF-,S-8242AAH-,理光保护IC:R5478N193CD-,R5478N101CD-,R5478N102CD-,R5460N208AF-,R5460N208AA-,R5460214AF-,R5460N,R5478N系列等，中星微保护IC:VA7062A,VA7020，VA7026，VA7022，VA7066，光宇保护MOS:SE8205，SE8205A，SE8810，SE8810A,SEDW01，美国万代AOS:AO8810，AO8820，AO8822，AO4407，AO3401，AO4803,AO8814,AO9926B,光大:SDC6073，SDC6088，茂达：SM8205AOC-系类等，锂电池保护IC，单节，双节，三四节锂电池保护IC及高低压MOS众多保护IC及MOS型号

AO3401PDF下 AO3405 AO3406 AO3407 AO3412 SI2300 SI2301 SI2302 SI2305 SI2307 SI2308 SI2312 SI2314 AO9926 AO4435 ME6206 ME2108

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)：30V

Id时的Vgs(th)（大）：1.5V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V

在Vds时的输入电容(Ciss)：1.4W

安装类型：表面贴装

英文描述：P-Channel Enhancement

场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。现在用途广泛，包括电视机高频头（高频，小电流）到开关电源（高压大电流），现在把MOS和双极型（普通三极管）复合在一起（IGBT，绝缘栅双

MOS集成电路：

采用场效应管的集成电路，可有和TTL相同的逻辑功能，代表的有4000系列，现在很多CPU已经采用MOS电路。具有功耗低的特点。

为提高TTL电路性能，74HC系列就用MOS技术，大大 场效应管的作用

   1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

   2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

   3、场效应管可以用作可变电阻。

   4、场效应管可以方便地用作恒

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