MJE3055T
ON(安森美)
TO-220
无铅环保型
直插式
散装
大功率
高频
NPN型
企业名:深圳市勤思达科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-83264115
0755-82710921
手机:15889758566
13714022780
联系人:朱亮成/18948336722
微信:
邮箱:1282971461@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强北赛格科技园四栋中12楼A4座—2L
厂家:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
描述:isc Silicon NPN Power Transistor
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)():10A
电压 - 集电极发射极击穿():60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度():8V @ 3.3A,10A
电流 - 集电极截止():700μA
在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE):20 @ 4A,4V
功率 - :75W
频率 - 转换:2MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件
其它名称:MJE3055TOS
标准包装:50
备注:MJE3055T 主要设计用于通用放大器使用,开关应用。
■ STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPES
■ COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
DESCRIPTION
The MJE3055T is a silicon Epitaxial-Base NPN
transistor in Jedec TO-220 package. It is
intended for power switching circuits and
general-purpose amplifiers. The complementary
PNP type is MJE2955T.
VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 60 V
VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 70 V
VEBO Emitter-Base Voltage (IC = 0) 5 V
IC Collector Current 10 A
IB Base Current 6 A
Ptot Total Power Dissipation at Tcase ≤ 25 oC 75 W
Tstg Storage Temperature -55 to 150 oC
Tj Max. Operating Junction Temperature 150 oC
MJE3055T MJE3055T企业名:深圳市勤思达科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-83264115
0755-82710921
手机:15889758566
13714022780
联系人:朱亮成/18948336722
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地址:广东深圳深圳市福田区华强北赛格科技园四栋中12楼A4座—2L