制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IRLB4132PBF

描述

MOSFET N-CH 30V 78A TO220

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

原厂标准交货期 10 周

详细描述 通孔-N-沟道-30V-78A（Tc）-140W（Tc）-TO-220AB

数量 项目编号   客户内部零件编号

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IRLB4132PBF Infineon Technologies | IRLB4132PBF-ND | Digi-Key Electronics

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

一般信息

数据列表 IRLB4132PbF~;

标准包装   50

包装   管件  

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 HEXFET®

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 78A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 3.5 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.35V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 54nC @ 4.5V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 5110pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（值） 140W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

热销料号：

IRLB4132PBF &MCP6002T-I/SN原装现货

BZV85C33V ST DO-41 782.00

L7912CV-DG ST TO-220 748.00

ITA15N50A IPS TO-220F 737.00

SS24(MIC) MIC DO-214AC 720.00

BZX55C9V1 ST DO-35 705.00

IRGP4066DPBF IR TO-247 700.00

24LC64-I/P MICROCHIP DIP8 660.00

IRFB4310PBF IR TO-220 645.00

FSW25N50B IPS TO-3P 629.00

E13007（塑） SP TO-220F 564.00

IRG4PC50UDPBF IR TO-247 553.00

MM1Z15 ST SOD-123 550.00

SVF20N60F SILAN TO-220F 520.00

PMBT2222A NXP SOT-23 510.00

LM358DT STM SO-8 500.00

企业名：北京天阳诚业科贸有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 86-534-7058298

手机：18263029515

联系人：王小姐

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