制造商: Toshiba 
产品种类: MOSFET 
RoHS: 符合RoHS 详细信息 
商标: Toshiba 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: SOP-8 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: P-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: - 30 V 
Id-连续漏极电流: 13 A 
Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
工作温度: + 150 C 
技术: Si 
封装: Reel 
通道模式: Enhancement 
配置: Single Quad Drain Triple Source 
下降时间: 93 ns 
工作温度: - 55 C 
Pd-功率耗散: 1.9 W 
上升时间: 124 ns 
晶体管类型: 1 P-Channel 
典型关闭延迟时间: 92 ns 
典型接通延迟时间: 19 ns 
单位重量: 851 mg

企业名：深圳市金嘉锐电子有限公司

类型：生产制造商

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