制造商:  International Rectifier   
 
产品种类:  MOSFET   
 
RoHS:   详细信息  
 
晶体管极性:  P-Channel   
 
Vds-漏源极击穿电压:  - 20 V   
 
Vgs-栅源极击穿电压 :  12 V   
 
Id-连续漏极电流:  - 9 A   
 
Rds On-漏源导通电阻:  18 mOhms   
 
配置:  Dual   
 
Vgs th-栅源极阈值电压:  - 1 V   
 
Qg-栅极电荷:  42 nC   
 
工作温度:  + 150 C   
 
Pd-功率耗散:  2 W   
 
安装风格:  SMD/SMT   
 
封装 / 箱体:  SO-8   
 
封装:  Reel   
 
商标:  International Rectifier  
 
Ciss-输入电容:  2.94 nF  
 
下降时间:  190 ns  
 
正向跨导 - 值:  19 S  
 
工作温度:  - 55 C  
 
上升时间:  36 ns  
 
工厂包装数量:  4000  
 
典型关闭延迟时间:  170 ns 

企业名：深圳市金嘉锐电子有限公司

类型：生产制造商

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