DNLS160-7介绍：

描述 TRANS NPN 60V 1A SOT23-3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 20 周

详细描述 Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 270MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 单

制造商 Diodes Incorporated

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

晶体管类型 NPN

电流 - 集电极（Ic）（值） 1A

电压 - 集射极击穿（值） 60V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（值） 250mV @ 100mA，1A

电流 - 集电极截止（值） 100nA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（值） 200 @ 500mA，5V

功率 - 值 300mW

频率 - 跃迁 270MHz

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3

基本零件编号 DNLS160

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;

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耗散功率与晶体管的允许结温和集电极电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。

5G商用的脚步越来越近，呈现其威力的终端则是智能手机。不过，对于普通用户来说，5G和4G相比只是更快的网速，手机厂商直接销售5G手机，用户向运营商购买新的手机资费套餐即可。但这一切的具体应用只是一步，现在英特尔、高通、华为等厂商争夺的是产业链上的阵营。

自2017年底至今，芯片厂商纷纷抢跑5G芯片，高通、英特尔、华为、联发科已经发布了3GPP标准的5G基带芯片，预计搭载这些芯片的终端将在2019年面世。其中，终端包括华为、OPPO、vivo、小米等品牌的5G手机，以及PC、商用设备等。

手机内的芯片主要包括射频芯片、基带调制解调器和核心应用处理器。其中射频芯片主要的厂商是Skyworks(思佳讯)、Qorvo、TriQuint等；核心应用处理器，是常见的CPU和GPU，比如高通的骁龙系列，这一领域目前依然没有厂商能够撼动高通的地位；而基带调制解调器，关键的厂商包括高通、联发科、三星、海思和展讯。

但是，调制解调器的逐步出炉并不意味着5G图景已经完全实现，英特尔院士兼英特尔无线技术与标准技术吴耕向21世纪经济报道记者表示：“实际上现在5G只是新一代技术整体水平提

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