SI4925BDY-T1-E3介绍：

描述 MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

制造商标准提前期 33 周

详细描述 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 5.3A 1.1W 表面贴装 8-SO

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装   带卷（TR）

零件状态 在售

FET 类型 2 个 P 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.3A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 25 毫欧 @ 7.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 50nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） -

功率 - 值 1.1W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SO

基本零件编号 SI4925

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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