Diodes Incorporated
1A
330mV @ 150mA,1A
\t250 @ 500mA,10V
625mW
200MHz
企业名:深圳国芯威科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-82529597
手机:18598801555
联系人:李先生
邮箱:xyx11@szxinyixin.com
地址:广东深圳深圳市龙岗区平湖富安大道亚纲1号1608-1609
由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管,50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构:PNP型和NPN型。在这3层半导体中,中间一层称基区,外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时,在发射区和集电区之间就会形成较大的电流,这就是晶体管的放大效应。双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor)双极型晶体管是一种电流控制器件,电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比,双极型晶体管开关速度慢,输入阻抗小,功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高,已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域,起放大、振荡、开关等作用。双极型晶体管晶体管:用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就构成了晶体管.★放大区:发射结正偏,集电结反偏。放大区的特点是:◆IC受IB的控制,与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小,反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小,间隔越大表示管子电流放大系数b越大。◆伏安特性的那条线为IB=0,表示基极开路,IC很小,此时的IC就是穿透电流ICEO。◆在放大区电流电压关系为:UCE=EC-ICRC, IC=βIB◆在放大区管子可等效为一个可变直流电阻。极间反向电流:是少数载流子漂移运动的结果。集电极-基极反向饱和电流ICBO :是集电结的反向电流。集电极-发射极反向饱和电流ICEO :它是穿透电
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