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碳化硅(SiC)肖特基二极管
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如今,为了实现可持续发展和繁荣的社会,在能源领域十分要求效率。本公司为实现这一目标正在开发新的产品群,进而推进下一代电力设备的发展。 这次开始提供的样片NJDC010A065AA3PS是使用了碳化硅材料的世界最小尺寸的肖特基二极管,其最大额定值为650V/10A...
Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的企业,宣布新推出了四个隶属于其第2代产品家族的1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品,该产品家族最初于2017年5月发布。 第2代1200V碳化硅肖特基二极管 LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系...
Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的企业,今日宣布新推出了四个隶属于其第2代产品家族的1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品,该产品家族最初于2017年5月发布。 第2代1200V碳化硅肖特基二极管 LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的额定电流分别为8A、1...
Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的企业,今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管,以配合2017年欧洲电力转换与智能运动(PCIM)展的开幕。这种碳化硅二极管是通过Littelfuse与Monolith Semiconductor合作技术平台开发的产品系列中的首批产品。其他基于该技术平台的碳...
英飞凌科技股份公司推出第五代1200VthinQ!碳化硅肖特基二极管,进一步扩展了碳化硅产品阵容。新的1200V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压,其浪涌电流承受能力提高了一倍以上,并且具备卓越的散热性能。得益于这些特性,该产品可以在太阳
为什么 SiC 功率芯片更小? 功率芯片的大小直接由单位面积的导通电阻决定,而导通电阻主要由作为功能层的外延层的电阻主导。为了最小化器件的导通电阻,必须增加外延层中的掺杂剂浓度(即降低电阻率)或减少层厚度,但这些也会导致击穿电压下降。这意味着...
碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带),达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm.,其导热率是硅的3.3倍,为49w/cm.k。 它与硅半导体材料一样,可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。 其优点是:...
Littelfuse, Inc.今日宣布推出两个第二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅(SiC)肖特基二极管系列。 LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA系列碳化硅肖特基二极管提供各种额定电流选择(6A、8A、10A、16A或20A)。 它们可为电力电子系统设计师提供各种性能优势,包括可忽略不计的反向恢复电流、高...