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双极晶体管 2SA2210

供应 双极晶体管  2SA2210
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  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装 / 箱体:

    TO-220FP-3

  • TO-220FP-3:

    - 20 A

  • 增益带宽产品fT:

    140 MHz

  • 工作温度:

    + 150 C

  • 直流电流增益 hFE 值:

    450

  • Pd-功率耗散:

    30 W

普通会员
  • 企业名:深圳国芯威科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-82529597

    手机:18598801555

    联系人:李先生

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    邮箱:xyx11@szxinyixin.com

    地址:广东深圳深圳市龙岗区平湖富安大道亚纲1号1608-1609

商品信息 更新时间:2019-08-22

由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管,50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构:PNP型和NPN型。在这3层半导体中,中间一层称基区,外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时,在发射区和集电区之间就会形成较大的电流,这就是晶体管的放大效应。双极型晶体管是一种电流控制器件,电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比,双极型晶体管开关速度慢,输入阻抗小,功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高,已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域,起放大、振荡、开关等作用。双极型晶体管晶体管:用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就构成了晶体管.输入特性曲线:描述了在管压降UCE一定的情况下,基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性,可表示为: 硅管的开启电压约为0.7V,锗管的开启电压约为0.3V。输出特性曲线:描述基极电流IB为一常量时,集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。可表示为:双极型晶体管输出特性可分为三个区★截止区:发射结和集电结均为反向偏置。IE@0,IC@0,UCE@EC,管子失去放大能力。如果把三极管当作一个开关,这个状态相当于断开状态。★饱和区:发射结和集电结均为正向偏置。在饱和区IC不受IB的控制,管子失去放大作用,UCE@0,IC=EC/RC,把三极管当作一个开关,这时开关处于闭合状态。温度对的影响: 是集电结加反向电压时平衡少子的漂移运动形成的,当温度升高时,热运动加剧,更多的价电子有足够的能量挣脱共价键的束缚,从而使少子的浓度明显增大, 增大。温度每升高10 时, 增加约一倍。硅管的 比锗管的小得多,硅管比锗管受温度的影响要小。温度对输入特性的影响:温度升高,正向特性将左移。温度对输出特性的影响:温度升高时 增大。光电三极管:依据光照的强度来控制集电极电流的大小。暗电流ICEO:光照时的集电极电流称为暗电流ICEO,它比光电二极管的暗电流约大两倍;温度每升高25 ,ICEO上升约10倍。

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