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IXGH32N60C

IXGH32N60C

IXGH32N60C

品牌/商标：
IXY美国电报半导体
型号/规格：
IXGH32N60C
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
L/功率放大
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
GE-N-FET锗N沟道
开启电压：
600（V）
夹断电压：
600（V）
跨导：
5（μS）
*间电容：
8（pF）

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普通会员

企业名：结型场效应管广州市越秀区勇兴电子经营部

类型：经销商

电话：

联系人：洪锡勇

地址：广东广州中国广东广州市越秀区米市路31号10档

产品分类

场效应管MOSFET(72)
∟ 结型场效应管(68)

新品上架

商品信息

更多型号请联系

经营范围

二、三*管、场效应、可控硅、三端稳压、晶振、滤波、变容管、微调电阻电容、快速、肖特基、桥堆、干环管、放电管、IC集成电路、电源配件、手机配件、贴片元件等等：

更多型号请联系

联系方式

企业名：结型场效应管广州市越秀区勇兴电子经营部

类型：经销商

电话：

联系人：洪锡勇

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