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GMN04210M
固锝GOOD-ARK
PDFN5060
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n沟道mos管100v型号:GMN04210M品牌:固锝GOOD-ARK100%雪崩测试损耗极低,FOM Rdson*Qg低无卤素、无铅符合RoHS标准应用:DC-DC电机、灯具电源切换jue对zui大额定值(TJ=25°C...
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NTR4101PT1G
ON(安森美)
DFN
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深圳市星源微科技有限公司,成立于2008年10月,主营电子元器件领域国内外贸易和为客户提供剩余库存解决方案、批量采购。 只做原装,百分百自家现货,严格的品质管理、优异的技术支持...
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AO4437L
万代
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AOS
AO4437L
绝缘栅(MOSFET)
P沟道
增强型
深圳市港禾科技有限公司 所上传的产品图片均为真实库存拍摄 AOS/万代 AO4437L SOP8 12V/11A P 沟道 AOS/万代 AO4437L SOP8 12V/...
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CSD17578Q3AT
TI
VSONP-8
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大功率
型号:CSD17578Q3AT 深圳市腾桩电子有限公司,是电子元器件的国际分销商,代理分销TOSHIBA,IR,ST,ON,FAIRCHILD,TI,NXP,MAXIM-DALLAS,ADI,ALTERA,XILINX,MICROCHIP,品牌各种模拟器件...
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LWG200H12E4U
SZFJ
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金属平底
200
1200
62X107MM
LS韩国 IGBT模块 可控硅模块LWG200H12E4U 可控硅苏州 LUH75G602Z LUH75G603Z LUH100G602Z LUH100G603Z LUH150G603Z LUH200G603Z LUH50G1201Z LUH50G1203Z LUH75G1201Z LUH75G123Z LUH...
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FDP8874
ON(安森美)
TO-220-3
无铅环保型
直插式
管装
芯片详情:产品属性 属性值 选择属性制造商: onsemi 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 C...
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NXP(恩智浦)
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FUMEX
上海航欧销售FUMEX 万向罩FUMEX过滤器FUMEX FA110G-V FUMEX FA140B-2 FUMEX FA100 FUMEX FA201D 压力开关 M0132A-033-BAO MANOCOMB-IP65/2KA/VA pressure range:0-250bar 压力开关 M0031A-020-AAO MANOCOMB-IP65/2KA prssure range:0-1bar 压力开关 M0131A-0...
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STY60NK30Z
ST(意法半导体)
无铅环保型
功放IC
STY60NK30Z 产品属性其它有关文件 STY60NK30Z View All Specifications 标准包装30 类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列SuperMESH™FET 型MOSFET N 通道, 金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)300V电流 - 连续漏极(Id) @ 25...
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FDN338P
鹏领
SOT-23
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SI2301ADS-T1-GE3
VISHAY/威世
SOT-23
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深圳中元伟业经营世界厂家,MOS管/高频管/场效应管/变容管/电源IC,二三极管等SMD,产品主要应用于民用、工业、军事领域的通讯、网络、仪器仪表、电脑、电视、VCD/DVD、音响、IT等。...
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FDN306P
FAIRCHILD(飞兆)
SOT-3
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IRFR5305TRPBF
INFINEON(英飞凌)
TO-252
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IRFR5305TRPBF International Rectifier MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC ROHS 无铅 晶体管极性:P-Channel 汲极/源极击穿电压:- 55 V 闸/源击穿电压:20 V 漏极连续电流:-...
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AP9575AGH
APEC/富鼎
TO-252
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AP9575AGH TO-252 MOS场效应管 P沟道 <img src="https://file...
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TOSHIBA(东芝)
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型号:2SK246-GR 封装:TO-92 捷美创芯授权代理:AVAGO(安捷伦),美信(MAXIM),ON, POWER, ,ALTERA,XILINX,模拟器件 (ADI),半导体技术(ST), MICROCHIP , NXP, 德州(TI), 布尔布朗(BB), CYPRESS,NS, ATMEL,FREESCALE, SENSIRON等。 ●Avago...
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BSB280N15NZ3
INFINEON(英飞凌)
WDSON-2-3
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2SK543-4
SANYO(三洋)
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INFINEON(英飞凌)
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IRF1010EZSTRL
INFINEON(英飞凌)
TO-263
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Infineon供应IRF1010EZSTRL半导体分立半导体晶体管MOSFET原厂原装芯片规格: Infineon供应IRF1010EZSTRL半导体分立半导体晶体管MOSFET原厂原装芯片的特征: &#61623;先进的工...
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VISHAY(威世)
SOT-23
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BS107ARL1G
ON(安森美)
TO-92
无铅环保型
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安森美BS107ARL1G 场效应管 安森美BS107ARL1G场效应管相关资料: ds-漏源极击穿电压: 200V Id-连续漏极电流:250 mA Rds On-漏源导通电阻:6.4 Ohms 工作温度:+150C 场效应管:场效应晶...
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一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流