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场效应管MOSFET

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  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF1405

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    D-G双栅四*

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

深圳市福田区迪克森电子商行是从事电子元器件配套服务的供应商。主要分销及代理:美国IR(国际整流器)、VISHAY(威世)、MAXIM美信(DALLAS)、美国BOURNS(柏恩丝或邦斯)、FAIRCHILD...

  • 品牌/商标:

    ON/安森美

  • 型号/规格:

    *R1060*

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    VR/可变电阻

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 类型:

    其他IC

大中小功效三*管,三.四.五端压稳压,电源模块.可控硅,场效应,特基,快恢复二*管,APT系列,TOP系列,BTS系列 BTA系列 TIP系列 IGBT 光耦I*TL(數字電路):74HC/H*/LS/ALS/AC/A*/F...

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    L4981AD

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    NF/音频(低频)

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    M*金属半导体

价格优惠、原装*、优质*、漏电小、容量大、稳压、大功率、 "

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    IRF840,IRF730

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    HEMT高电子迁移率

东莞市立林电子有限公司,是从事电子元器件配套服务的知名品牌公司,专注为中国电子产品生产企业提供集成电路及其周边器件,也是目前东莞较大规模的原装IR产品的现货供应商之一。至今...

  • 漏*电流:

    --

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 型号/规格:

    FMMT614TA

  • 封装外形:

    WAFER/裸芯片

  • 品牌/商标:

    Zetex/捷特科

  • 用途:

    DC/直流

  • 沟道类型:

    N沟道

本公司产品绿色*!原装!一手货源,大量现货库存!产品广泛有:二*管·三*管·电容·电阻·电感·磁珠&...

  • 品牌/商标:

    松木

  • 型号/规格:

    ME2307

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

10年*原装现货 *热卖"

  • 品牌:

    IR/VISHAY

  • 型号:

    IRFP460CPBF

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

交易注意事项及售后服务:1.本公司*出售商品***原装的世界国内外品牌的集成电路,品质信心*,满足各类工厂(家),研发机构或公司,个人*友以及研究学院的不同需求。2.请各位商家在选...

  • 品牌/商标:

    AF

  • 型号/规格:

    AF8205S

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

FeaturesFor a single mosfetVDS(V) = 20V, ID = 6A,RDS(ON) ≤ 25mΩ @VGS = 4.50VRDS(ON) ≤ 26mΩ @VGS = 3.85VRDS(ON) &...

  • 品牌/商标:

    ADV美国*半导体

  • 型号/规格:

    2SK215

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

我司贴片、直插 电容 电感 电阻 二*管 整流桥堆 场效应 肖特基 可控硅 三*管 集成IC 电解电容、瓷片、校正、CBB电容,启动电容、等类电子元件生产商 价格长期价,特优供货及时,以现...

  • 品牌:

    IR/国际整流器

  • 型号:

    IRFP460PBF

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

*供应IR原装IRFP460PBF 我司代理销售KEC、NXP、JRC、ST、TI、SANKEN、FAIRCHILD、ROHM.等世界知名品牌电子元件。主要经营产品有:CPU 复位IC、三端稳压器、全系列的晶体管、MOS管、LD...

  • 品牌:

    APEC/富鼎

  • 型号:

    75N07GP

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    M*金属半导体

品牌AP型号AP75N07种类结型(JFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途电源封装外形P-DIT/塑料双列直插开启电压75(V)夹断电压1.5(V)低频跨导22(μS)*间电容2(pF)低频噪...

  • 品牌/商标:

    XYD

  • 型号/规格:

    A/F TO A/F

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 开启电压:

    -(V)

  • 夹断电压:

    -(V)

  • 跨导:

    -(μS)

A/F TO A/FA TYPE MALE/F TYPE FEMALEV2.0 CABLE 公司介绍 深圳市宝安区福永镇兴源达塑胶电子制品厂成立于一九九八年经过数年的发展,公司已从单一贸易型企业发展为集研发、生产销售...

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF820

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

本公司可根据客户要求对产品进行翻新 接脚 欧信电子商行成立于2003年,座落于广东省汕头市潮南区司马浦镇华里西村。主营产品包括场效应,整流,TOP,达林顿,可控硅等各系列拆机三*管...

  • 品牌/商标:

    MAT日本松下

  • 型号/规格:

    多种

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    WAFER/裸芯片

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

航空插头也叫做*插头,就是连接器,即电缆接插件,芯数不等,大小多样.但航空插头基本都是金属壳,航空插头的插头插座插都有螺丝扣,连接之后,可以旋紧固定,不会脱落.航空插头多用在飞机上...

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    2SK2257

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    SP/*外形

  • 材料:

    M*金属半导体

本公司销售各种集成电路IC.贴片二.三*管.逻辑电路.运放电路.光耦.电源IC.储存器IC.接口电路.单片机.通信设 备.ZIP,SIP,TO220,TO247,TO252,TO263.等。 本公司是一家私营独资企业。公...

  • 品牌:

    STI美国半导体技术

  • 型号:

    场效应管

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

盈勋电子科技(上海)有限公司是一家集生产,代理与销售电阻,电容,二、三*管为一体的商家。生产全系列中小功率二、三*管以及销售世界知名厂商生产的DIP和SMD二、三*管,品种*,主要...

  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    2N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 耗散功率:

    54W

  • *间电容:

    5

  • 漏*电流:

    2A

2N60 TO-220的产品参数:PD(W)=2 ID(A)=2 V9br)dss(V)=600 (Ω )RDS(on)(MAX):ID(A)=1 VGS(V)=10 Gfs(min) VDS(V)=50 ID(A)=1 管脚排列GSD场效应晶体管(Field Effect ...

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 型号/规格:

    2SK4202-S19-AY

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

型号:2SK4202-S19-AY 封装:TO-220 品牌:NEC 年份:11+100%*原厂原装,信誉,质量*,欢迎来电咨询订购!温馨提示:本公司建议你:谨慎下单,货比三家!我们长期坚持薄利多销的原则...

  • 品牌:

    Alpha/阿尔法

  • 型号:

    AO3402

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

深圳市集胜电子有限公司 有用到AO这一系列产品的朋友 方便的话可以加一下我的联系方式

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    STP75NF75

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    M*金属半导体

深圳市古东科技*销售IR全系列电子元器件长期现货供应,量大从优,*销售欢迎来电:方<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过或贸易通在线联系,以确定...

场效应管MOSFET技术资料

  • 场效应管(MOSFET)检测方法与经验[2009-11-14]

    一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

  • 场效应管(mosfet)参数符号意义[2008-05-28]

    Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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