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AOS场效应管

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    A19T

  • 品牌/商标:

    AOS

  • 封装形式:

    SOT-23-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 型号/规格:

    AO3400 / AO3401

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 封装:

    SOT23

  • 批号:

    全新原装

  • 型号/规格:

    AO8810

  • 品牌/商标:

    AOS

  • 封装形式:

    TSSOP8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

  • 型号/规格:

    AO3401

  • 品牌/商标:

    AO

  • 包装:

    盘装

  • 数量:

    3000

  • 型号/规格:

    AOD454

  • 品牌/商标:

    AOS

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 型号/规格:

    AO3403

  • 品牌/商标:

    AOS

  • 封装形式:

    SOT23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    AO3400/AO3401

  • 品牌/商标:

    航誉微

  • 封装:

    SOP8

  • 批号:

    2020

  • 型号/规格:

    AO3407 SOT-23

  • 品牌/商标:

    AOS

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO4824

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 功率:

    2A

  • 批号:

    +13

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 电源电流:

    1

  • 针脚数:

    直插

  • 类型:

    电源模块

  • 封装外形:

    SOT-23

  • 型号/规格:

    AOT430

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    AO3403

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 结温:

    -50~+150℃

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO4710

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    AO

  • 型号/规格:

    AO3401A

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 品牌/商标:

    AOS/ALPHA

  • 型号/规格:

    AO4456 AO4459 AO4466

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO3402

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌:

    AOS/美国万代

  • 型号:

    AO3400

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO3404

  • 低频噪声系数:

    33

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 漏*电流:

    33

  • 品牌:

    AOS/美国万代

  • 型号:

    AO7400

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AOD456(P)

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

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