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P沟道场效应管

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    AO3407

  • 品牌/商标:

    AO

  • 封装:

    SOT23

  • 批号:

    全新原装

  • 型号/规格:

    NCE40P13S

  • 品牌/商标:

    NCE/新洁能

  • 封装形式:

    SOP8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 型号/规格:

    HX3401

  • 品牌/商标:

    禾芯微

  • 封装:

    SOT/SOP

  • 批号:

    全新原装

  • 价格:

    0.5/个

  • 型号/规格:

    AO3401

  • 品牌/商标:

    恒佳盛

  • 封装:

    SOT23-3

  • 批号:

    2019+

  • 电源电压:

    30V

  • 电流:

    4.2A

  • 型号/规格:

    IRF5305

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO220

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒装管装

  • 型号:

    NTS4101PT1G

  • 封装:

    SOT323

  • 批号:

    2018+

  • FET类型:

    P 沟道

  • 漏源电压(Vdss):

    20V

  • 漏极电流(Id):

    1.37A(Ta)

  • 漏源导通电阻(RDS On):

    120 mΩ @ 1A,4.5V

  • 栅源电压(Vgs):

    ±8V

  • 型号/规格:

    DMP2035U-7

  • 品牌/商标:

    DIODES

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • FET 类型:

    P 通道

  • 型号/规格:

    DMP3056LSS-13

  • 品牌/商标:

    DIODES/美台

  • 年份:

    21+

  • 库存:

    200k

  • 封装:

    SOP8

  • 型号/规格:

    IRF9540NS

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 品牌:

    NCE 新洁能

  • 型号:

    NCE40P06S

  • 封装:

    TO-252

  • 批号:

    批号

  • FET类型:

    P沟道

  • 漏源电压(Vdss):

    -40V

  • 漏极电流(Id):

    -20A

  • 漏源导通电阻(RDS On):

    4.2A

  • 型号/规格:

    IRF9630S

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    SOT263

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    BSS84LT1G

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    BSS84LT1G

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特性:

    小功率

  • 频率特性:

    低频

  • 型号/规格:

    WPM1480-3/TR

  • 品牌/商标:

    韦尔

  • 封装形式:

    SOT323

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 加工定制:

  • 产品类型:

    其他

  • 是否进口:

  • 品牌/商标:

    NXP/恩智浦

  • 型号/规格:

    MMBFJ177/PMBFJ177 BYD77B BAV99 PDZ22B NXP 原装特价

  • 材料:

    硅(Si)

  • 主要参数:

    V

  • 用途:

    电路

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    TPCF8B01

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

    品牌:SANYO 型号:2SJ584 TO-220F 06NPB SANYO -4.5A -250V 1.2Ω 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 以优势说话! MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源SANYO MOSFET...

    • 品牌/商标:

      Vishay/威世通

    • 型号/规格:

      SI2301

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      P沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      DC/直流

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料:

      硅(Si)

    • 品牌/商标:

      ADV美国*半导体

    • 型号/规格:

      J350,2SJ350(供应拆机P沟道场效应管)

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      P沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      MOS-HBM/半桥组件

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料:

      *肖特基势垒栅

    • 品牌/商标:

      IR/国际整流器

    • 型号/规格:

      IRLML6401TRPBF

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      P沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      A/宽频带放大

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    • 封装:

      SOT-23

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    • 型号/规格:

      IRF4905S F4905S

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 用途:

      A/宽频带放大

    • 品牌/商标:

      IR/国际整流器

    • 沟道类型:

      P沟道

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 导电方式:

      耗尽型

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