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场效应管MOSFET

（共找到“14”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： GTR模块 irf场效应管 MOS场效应管芯片 nec场效应管 N沟道场效应管 P场效应管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
辽宁
源头工厂
【特卖8.50】RU190N08Q 场效应管
【特卖8.50】RU190N08Q 场效应管
  • 品牌/商标：

    ON/安森美

  • 型号/规格：

    RU190N08Q

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

RU190N08Q 190A 80V TO-247场效应管 原装 适用于焊机，逆变器等。 沈阳电子市场先科电子商店 经销批发的电子元件，二三*管，场效应管，可控硅消费者市场，在消费者当中享有较高的*，...

MOS场效应管芯片/晶圆/裸片3N50
MOS场效应管芯片/晶圆/裸片3N50
  • 封装外形：

    WAFER/裸芯片

  • 型号/规格：

    3N50

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标：

    *

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

我司经销MOS场效应管芯片/晶圆/3N50，质量*。芯片基本性质：芯片型号Model3N50 芯片尺寸：2.55*2.55 硅片直径(㎜)φ125/φ150 正面电*金属铝 背面电*金属银 VD...

3DJ3 N沟道结型高频场效应晶体管
3DJ3 N沟道结型高频场效应晶体管
  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    3DJ3

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

*二、三*管、刹车整流器、 高压硅堆、桥式整流器、可控硅 二*管类： 温度补偿稳压二*管（2DW231-2DW236、1/2W8-12.6V)、低噪声温度补偿稳压二*管(2DW14A-14C、2DW15A-2DW15C、2DW16A-...

国产*器
国产*器
  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    XDS510-U*2.0

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MIN/微型

  • 封装外形：

    SP/*外形

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

特点:⊙支持215 个厂商，34441 颗可编程器件。⊙本产品采用SUPERPRO/5000内核,与SUPERPRO/5000等速度一致,采用48脚驱动电路,支持器件略低于SUPERPRO/3000U (以器件支持清单为准)。⊙...

非稳压电源模块
非稳压电源模块
  • 型号/规格：

    DC-DC定电压隔离非稳压系列

  • 品牌/商标：

    其它

  • *类别：

    普通型

类型 电源模块 品牌 广州金升阳科技有限公司 型号 DC-DC定电压隔离非稳压系列 封装 SIP/SMD 批号 DC-DC001 定电压输入、隔离非稳压、双隔离双输出、*小型SMD/DIP封装、正负双路/单路输出、1W/2W DC-DC模块电源。产品特点 * 工作温度:-40 ～ +85℃。 * *小型SI...

N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管7N60
N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管7N60

    品牌:国产 型号:7N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 低频跨导:-（μS） *间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏*电流:7000（mA） 耗散功率:48000（mW）产品简介7N60N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高...

    MOS场效应管芯片、晶圆、裸片 6N60
    MOS场效应管芯片、晶圆、裸片 6N60

      品牌:- 型号:6N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:WAFER/裸芯片 材料:N-FET硅N沟道我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆6N60，质量*。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！产品介绍：6N60是专为*开关电源而设计的一种*的高压MOSFET，具有...

      *西门康IGBT模块 SKM100GB128DE
      *西门康IGBT模块 SKM100GB128DE

        特色标志:* 型号:SKM100GB128DE 厂家:西门康 封装:塑封

        SKM400GB12E4 晶体管模块
        SKM400GB12E4 晶体管模块

          种类:晶体管模块 品牌:SEMIKRON 型号:SKM400GB12E4制造商: SEMIKRON 库存编号: 1761363 制造商编号: SKM400GB12E4RoHS协从产品:是描述封装类型:SEMITRANS 3表面安装器件:螺丝

          • 王咏红
          • 供应商等级： 免费会员
          • 企业类型：经销商
          • 地区:辽宁大连

            • 电话：0411-82200500

          MOS场效应管芯片IRF640
          MOS场效应管芯片IRF640
          • 品牌：

            TW

          • 型号：

            IRF640

          品牌/商标 TW 型号/规格 IRF640 种类 *缘栅 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 夹断电压 200（V） 饱和漏*电流 18（mA） 我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆IRF640，质量*。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！ 芯片基本性质：：芯片型号ModelIRF640芯片尺寸：3.59*4.59VDSS200VRDS(on)0.18...

          功率驱动模块！
          功率驱动模块！
          • 型号/规格：

            M57959L

          • 品牌/商标：

            三菱

          • *类别：

            无铅*型

          沈阳齐威电子是国内*早接触电子元器件行业的先驱之一。公司多年来致力于诚信，务实，开拓，*，服务的经营理念。主要经营西门康，西门子，三社，三菱，IXYS可控硅模块、整流管模块、IGBT模块;M57962AL、M57962L、M57959L、EXB841;单相、三相整流桥、半控桥、全...

          MOSFET场效应管,2N60，TO-251,TO-252
          MOSFET场效应管,2N60，TO-251,TO-252
          • 品牌/商标：

            DE

          • 型号/规格：

            2N60

          • 种类：

            绝缘栅(MOSFET)

          • 沟道类型：

            N沟道

          • 导电方式：

            增强型

          • 封装外形：

            P-DIT/塑料双列直插

          • 材料：

            N-FET硅N沟道

          MOSFET场效应管,1N60，TO-251详情 我司为几十年晶体管生产厂家，有着多年场效应管封测经验，现引进进口封测MOSFET设备和进口芯片，高性价比。欢迎采购。 订购：高经理产品图片公司介...

          • 丹东欣港电子有限公司
          • 供应商等级： 免费会员
          • 企业类型：生产型 贸易型
          • 地区:辽宁

            • 电话：8604156135907

            手机：13941517731

          2N60芯片
          2N60芯片
          • 品牌/商标：

            TW

          • 型号/规格：

            2N60芯片

          • 种类：

            绝缘栅(MOSFET)

          • 沟道类型：

            P沟道

          • 导电方式：

            耗尽型

          • 用途：

            UNI/一般用途

          • 封装外形：

            WAFER/裸芯片

          • 材料：

            ALGaAS铝镓砷

          2N60是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET，具有快速开关的特点。芯片基本性质：：芯片型号Model2N60芯片尺寸：2.30*2.89 VDSS600VRDS(on)4.5(max)ID2.1A 正面电极金属铝 ...

          • 丹东鑫原电子有限公司
          • 供应商等级： 免费会员
          • 企业类型：生产型 贸易型
          • 地区:辽宁

            • 电话：8604152188181

            手机：13904956321

          IGBT模块SEMiX603GAL066HDs
          IGBT模块SEMiX603GAL066HDs
          • 型号/规格：

            SEMiX603GAL066HDs

          • 品牌/商标：

            西门康

          • *类别：

            普通型

          SEMiX603GAL066HDs 720A 斩波器模块 SEMIX 3s

          场效应管MOSFET技术资料

          • 场效应管（MOSFET）检测方法与经验[2009-11-14]

            一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

          • 场效应管（mosfet）参数符号意义[2008-05-28]

            Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流

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