您是不是要找: IRF730场效应管 ir场效应管 MOSFET场效应管 N沟道场效应管 P场效应管 P沟道MOS场效应管
MMD240S160B
MACMIC宏微
普通型
IGBT模块
其他
树脂封装
MMD70E120X MMD70E160X MMD70E180X MMD100E120X MMD100E160X MMD100E180X MMD150F120X MMD150F160X MMD150F180X MMD200F120X MMD200F160X MMD200F180X MMD250F120X MMD250F160X MMD25...
电话:0592-5710719
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FLS PB M12 DO 8 M12-2A
菲尼克斯
普通型
2736110 FLS PB M12 DO 8 M12-2A 用于PROFIBUS的一体化模块带有8个数字化输入,每个的负载能力为2 A。M12的连接使用了快速连接技术。 24 V DC的电源用于*短路和过载。 2736110 FLS PB M12 DO 8 M12-2A 关于此项目的信息 项目主页 附件 技术数据 /许可 PDF格式...
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PowerMos
PMS740P
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
PMS740P / PMS740F400V N沟道场效应管(N-channel Mosfet)特点:• 10.5A, 400V, RDS(on) = 0.53Ω @VGS = 10 V• 低栅电荷• *度&...
电话:86 592 5925389
RSM-RKM5711-2M
图尔克
普通型
厦门鼎源:韩汝连3 RSS4.5-PDP-TR RSM-RKM572-0,3M RSM-RKM572-0,5M RSM-RKM572-1M RSM-RKM572-1,5M RSM-RKM572-2M RKM572-0,3M RSM-2RKM57 RSM572-0,3M RSM57-TR2 WSM-WKM5711-0,5M WSM-WKM5711-1M WSM-WKM5711-1,5M WSM-WKM5711-2M WSM-WKM5711-3M WSM-WKM5...
电话:0592-5787603
Alpha/阿尔法
AO3401/AO3401A
结型(JFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
厦门格亚电子科技有限公司是一家综合性、化的电子元器件*分销商;至今已成为福建市场多家知名品牌电子厂商的分销商、和合作伙伴;是福建市场较具规模的电子元器件供应商之一;自公司...
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德国法勒
LTE/LTE-U10
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MIN/微型
CHIP/小型片状
GE-P-FET锗P沟道
德国vahle法勒 中国《厦门》办事处厦 门 科 比 特 自 动 化 技 术 有 限 公 司联 系 人 : 乐 彬联系 : 0 5 9 2 0 5Q Q: 9 6 3 9德国VAHLE移动供电系统VAHLE代理 VAHLE厂家 VAHLE价...
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其他
HFS12N65S
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
厦门格亚电子科技有限公司是一家综合性、化的电子元器件*分销商;至今已成为福建市场多家知名品牌电子厂商的分销商、和合作伙伴;是福建市场较具规模的电子元器件供应商之一;自公司...
电话:86 0592 6021896
电话:592-5650661
国产
MOS-P LY5801
结型(JFET)
P沟道
增强型
S/开关
CHIP/小型片状
GE-P-FET锗P沟道
工作原理 场效应管工作原理用一句话说,就是“漏*-源*间流经沟道的ID,用以门*与沟道间的pn结形成的反偏的门*电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度...
电话:0592-5933267
1N60
TR
TO92/TO251
无铅*型
直插式
*条装
*率
产品名称 产品类型 封装类别 应用领域 典型参数 产品特性说明 ID (A) VDSS(V) RDS (ON)Ω 1N60 场效应 晶体管 TO92/ TO251 充电器、 高频开关电源、 适配器N60是N沟道增强型场效应晶...
电话:0592-6219390
手机:13860116760
品牌: MICRONE(南京微盟);型号: MEM2311SG封装: SOP-8产品介绍: 完*全*替代市场上良莠不齐的4953,性能十分稳定,采用大芯片封装,目前已由多家大型显示屏客户*并大量投入生产使用,未曾出现任何品质问题,我们不是廉价产品,但我们是性价比的产品!品质敢做200%*!欢迎来电来函询洽索样!热卖专线: 我们将竭诚为您...
电话:0592-5530385
AUK
2n60
品牌/商标 AUK 型号/规格 2n60 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 SP/*外形 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 2-4(V) 跨导 5(μS) 漏*电流 2000(mA) 本品为场效应管 2N60 TO-251 为2A 600V
电话:0592-5712416
品牌:HELIOS 型号:LPAD18P33U/DV1G48HE 信息传送内容:都可以 支持网络:DCS 频段:75(MHz) 发射功率:2(W) 外形尺寸:185*90*29(mm) DCS 33dBm低噪放-功放一体化指标书 序列号:测试项目指标要求数据记录Forward前向Backward反向前向反向频率范围1805~1880MHz(或指定)1710~1785MHz(或指定)――――――带宽75MHz(或指...
电话:592-5785219
国产
MOS-N LY5802
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
工作原理 场效应管工作原理用一句话说,就是“漏*-源*间流经沟道的ID,用以门*与沟道间的pn结形成的反偏的门*电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度...
电话:0592-5933267
一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流