40
4
TO-126
BD681
硅(Si)
ISC、iscsmi
塑料封装
功率
DESCRIPTION ·Collector–Emitter Breakdown Voltage—: V(BR)CEO= 100V·DC Current Gain—: hFE= 750(Min) ...
电话:0510-85346300
手机:15961889150
8N65
kevin
TO-220F
无铅环保型
直插式
单件包装
【购买须知】 1、小批量与整盘价格:整盘购买请咨询客服。由于行情变动频繁,暂不能实时更新在线价格,购买前请务必咨询客服后,再拍产品。 2、订单金额:当前总金额低于100元的订单...
电话:0510-88150510
手机:13338119997
CS1N60
华晶
TO-251
无铅*型
直插式
盒带编带包装
联系:,: 华晶mos管CS1N60A3H,主要应用于LED驱动电源,充电器,电源逆变器,LED灯等,主要的客户有:浙江阳光、德国欧司朗、飞利浦、雷士、三雄、镇江强凌、厦门东林、西普尔、纽...
电话:0510-13812020156
手机:13812020156
OGFD6703
OGFD
sot-23-6
普通型
贴片式
单件包装
小功率
产品型号:OGFD6703(替代AO6604/MT2701)封装:SOT-26(TSOP6) N+P 双芯片 场效应管 我们在国内外均建有强大的经验丰富的自主研发科技团队,产品主要针对电源管理和功率器件领域。我...
电话:0510-82864500
手机:18118913227
华晶
CS5B6002A
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
UNI/一般用途
WAFER/裸芯片
N-FET硅N沟道
注①:此处是「华晶」品牌*,可查看企业实名或公司诚信档案。注②:此处所标单价均为建设网站而虚构,并非真实价格,故不作为成交依据。注③如需产品资料,样品及报价,可以来电或咨询。...
电话:86 0510 81805625
手机:13771500160
NCE
3050,3080,3010,3012,7580,7190,8580,8290,01H10等等
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
WAFER/裸芯片
GE-N-FET锗N沟道
原厂大量供应原装3050、3080、3010、3012、55H12、60H10、7080、7190、7578、7580、8290、8580......中压系列晶圆,型号*。采用的8英寸芯片制程工艺;器件电参数的稳定性好。 主要团...
手机:13510096050
YR
IRF3205
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
N-FET硅N沟道
无锡亚润半导体技术有限公司坐落于风景秀美的太湖之滨--无锡高新科技园,毗邻太湖、紧靠环太湖*公路、沪宁*,距离南京、上海、杭州各200多公里,距苏州、常州三十多公里。公司生产面...
手机:
国产
2N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
*,批量供应MOS管 质优价廉。型号有 2N60 4N60 5N60 10N60 75N08 50N06 GPF730 GPF740 GPF830 GPF840产品特点】: 原装,*合欧洲ROHS条例,体积小,重量轻,耐温耐压高, 漏电流和介...
手机:
CS4N60A3HD
N-FET硅N沟道
华晶
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
注1:此处是「华晶」品牌*,请*网页的企业实名或查看公司诚信档案。 注2:此处所示单价均为网站建设需要,且单价随行就市,故不作为成交的依据。 注3如需产品资料,样品及报价,可以来电...
手机:
P-DIT/塑料双列直插
2SK117GR
A/宽频带放大
TOSHIBA/东芝
N沟道
结型(JFET)
增强型
1.低噪声高灵敏音频放大2.电源开关3.仪器仪表
手机:
Directed美国
3842
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MIX/混频
SMD(SO)/表面封装
M*金属半导体
本公司诚接配套业务经营范围如下:配套电动车冲电器、控制器、开关电源等全套元器件。质量*,价格优惠。*: : 何先生,陈 【运费说明】★方案1:顺丰快递【国内速度*快、服务】资费说...
手机:
新洁能
NCE75H21T
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
N-FET硅N沟道
2-4(V)
NCE75H21T (75V210A,TO247封装) "
手机:
玉祁东顺
IRF3205
结型(JFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
我公司成立于2000年。公司拥有现代化的标准厂房1000多平方米。拥有完整,科学的质量管理体系,拥有*、的检测和生产设备。产品内部空间大,可以根据客户的要求生产加工,并能提供芯片...
手机:13861888702
国产
BUZ11
结型(JFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
特征:•30A,50V•RDS(0N)=0.04Ω•SOA is Power Dissipation Limited•Nanosecond Switching Speeds•...
手机:
新洁能
NCE7580
结型(JFET)
N沟道
增强型
CC/恒流
NCE7580采用*引线框架的高端封装,具有良好的散热性能。特点:1、升温慢2、平衡温度低3、持续大电流时间长无锡恒尚工控技术有限公司,致力于工业和民用电源系统以及电机驱动系统的研...
手机:
NEC/日本电气
2SK4145B,K4145B
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
逆变器,控制器
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
现货供应NEC场效应管2SK4145B,供应场效应管2SK4145B,现货供应NEC场效应管2SK4145B,供应场效应管2SK4145B,现货供应NEC场效应管2SK4145B,供应场效应管2SK4145B,现货供应NEC场效应管2SK4...
手机:
NCE
NCE20N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
产品特征:卓越的功率转换效率 *低的导通功率损耗源于*低的特征导通电阻(Ron*A) *低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于*低的FOM(Ron*Qg) 卓越的Eas能力(100%Eas测试) 产品应用:...
手机:
FUJI/富士通
2SK3683-01MR
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
本月优惠活动,富士(高压MOS管)2SK3683-01MR,*出售,有需求的或者做相关产品的朋友请联系我!无锡纽斯特科技有限公司,电子元件销售,*品质与价格的优势,欢迎来电咨询洽谈!网址:w...
电话:86 0510 85290742
SR
1-100A/50-600V
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DC/直流
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
生产厂家,采用*和国内品牌生产商芯片,全自动生产线,产品*,通过质量管理体系和*,期待与您合作!"
电话:86 0510 83330185
YR
50N06 65N06 75N08
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
无锡亚伦科技有限公司坐落于风景秀美的太湖之滨--无锡高新科技园,毗邻太湖、紧靠环太湖*公路、沪宁*,距离南京、上海、杭州各200多公里,距苏州、常州三十多公里。公司生产面积12000...
电话:86 510 68937001
手机:13951562276
一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流