CS4N60A3HD
N-FET硅N沟道
华晶
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
类型:生产企业
电话:
联系人:杨炜伟
地址:江苏无锡中国 江苏 无锡市 无锡市梁溪路14号
∟ 肖特基二极管(2)
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华晶mos管CS1N60A3H,主要应用于LED驱动电源,充电器,电源逆变器,LED灯等,主要的客户有:浙江阳光、德国欧司朗、飞利浦、雷士、三雄、镇江强凌、厦门东林、西普尔、纽福克斯等。也可以联系我qq:471321801,:
VDSS 600 V
ID 4 A
PD(TC=25℃) 55 W
RDS(ON) 1.9 ?
Symbol Parameter Rating Units
VDSS Drain-to-Source Voltage 600 V
Continuous Drain Current 4 A
ID
Continuous Drain Current TC = 100 °C 2.9 A
IDM
a1
Pulsed Drain Current 16 A
VGS Gate-to-Source Voltage &plu*n;30 V
EAS
a2
Single Pulse Avalanche Energy 300 mJ
EAR
a1
Avalanche Energy ,Repetitive 30 mJ
IAR
a1
Avalanche Current 7.7 A
dv/dt
a3
Peak Diode Recovery dv/dt 4.5 V/ns
Power Dissipation 75 W
PD
Derating Factor above 25°C 0.60 W/℃
V*D(G-S) Gate source *D (HBM-C= 100pF, R=1.5k?) 3000 V
TJ,Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range 150,–55 to 150 ℃
TL MaximumTemperature for Soldering 300 ℃
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司