GMN1003LM
固锝GOOD-ARK
PDFN5060
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
N沟道30V(D-S)功率MOSFET型号:GMN1003LM品牌:GOOD-ARK封装:PDFN5060100%雪崩测试极低损耗,FOM Rdson*Qg低无卤素、无铅符合RoHS标准应用:直流电机、灯具电源切换jue对zui大额定...
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FDN306P
FAIRCHILD(飞兆)
SOT-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
迪蒙信源电子有限公司是一家的电子器件经销商,经营各类进口IC芯片,二三级管,电阻电容,拥有大量现货库存, 现已成为各中小企业、医疗器材生产企业、研究院、航天研究院、各大专院校、...
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2SK3565(STA4,Q,M)
TOSHIBA(东芝)
TO-220F
无铅环保型
直插式
散装
东芝2SK3565(STA4,Q,M)是东芝(TOSHIBA)推出的N沟道增强型高压功率MOSFET,属于2SK系列高压开关器件,主打900V高耐压、低开关损耗与高可靠性,广泛应用于中小功率AC-DC电源、LED驱动...
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AUIRFP064N-IR
杰盛微
TO-247
无铅环保型
直插式
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小功率
AUIRFP064N-IR 杰盛微原厂直供深圳市杰興電子有限公司 专营二.三级管等电子,诚信合作. 欢迎大众惠顾! 强势推出原装大功率三极管打造市场 本公司zui新到货大功率功放音响配对管:2SA193...
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BSB280N15NZ3
INFINEON(英飞凌)
WDSON-2-3
无铅环保型
贴片式
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大功率
----- 致力于中小微客户提供全方位的现货供应链服务:请在线QQ联系或拨打电话联系下单快2小时发货 ,20000+型号,9000万+常备现...
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IRFR5305TRPBF
INFINEON(英飞凌)
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
IRFR5305TRPBF International Rectifier MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC ROHS 无铅 晶体管极性:P-Channel 汲极/源极击穿电压:- 55 V 闸/源击穿电压:20 V 漏极连续电流:-...
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SUM110N10-09-E3
VISHAY(威世)
TO-263-3
无铅环保型
贴片式
编带
<p microsoft="" yahei",="" 宋体;="" text-wrap-...
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CRSS052N08N
华润微
TO-263
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
现货
深圳市鼎运世纪科技有限公司成立于2018年,代理分销MOS管、LED发光管、集成IC芯片、晶振、电容,电阻,电感等全系列电子元器件。是一家拥有一流产品、优质服务、完整技术支持的电子企...
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SI2305
CJ/长电
SOT23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
SI2305 -20V P沟道增强型MOSFET特征SI2305先进的沟槽工艺技术超低导通电阻的高密度电池设计包装尺寸SOT23VDS=-20VRDS(ON),Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A ?笔记SI2305脉冲宽度受zui高结温限...
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IRF3007S
国际品牌
SMD/DIP
无铅环保型
SMD/DIP
单件包装
大功率
IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S 深圳市现代芯城互联网科技有限公司,是国际知名的电子元件混合型分销商,公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处...
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IPDH4N03LA-G
INFINEON(英飞凌)
SMD
普通型
直插式
卷带编带包装
大功率
IPDH4N03LA-G 晶体管 Infineon 产品属性 IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-...
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TK100E10N1
Toshiba Semiconductor and Storage
TO-220-3
无铅环保型
直插式
管件
小功率
产品属性类型描述类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSVIII-H 包装 管件 产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOS...
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英飞凌InfineonIRF640NSTRLPBF
INFINEON(英飞凌)
D2PAK
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
<div class="content clearfix" style="margin: 0px; padding: 0px; border: 0px; outline: 0px; font-size: 12px; font...
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NTB18N06LT4G
ON(安森美)
TO263
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc) 驱动电压( Rds On, Rds On) 5V 不同 Id,Vgs 时的 Rds O...
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IXFN80N50Q2
IXYS/艾赛斯
树脂封装
普通型
直插式
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大功率
IXFN24N100 IXFN34N100 IXFN36N100 IXFN73N30Q IXFN48N50Q IXFN27N80Q IXFN21N100Q IXFN66N50Q2 IXFN80N50Q2 IXFN70N60Q2 IXFN38N80Q2 IXFN50N80Q2 IXFN38N100Q2 MCC94-22io1B MCC94-...
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AOTF4S60
NA
SOP8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
AOTF4S60 一手货源 进口原装现货长期供应! 深圳市现代芯城互联网科技有限公司,是国际的电子元件混合型分销商,公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处,专注于...
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FDN338P
鹏领
SOT-23
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
请新老顾客下单前先咨询客服。 封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216) 1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)FDN338P 电压:4V 6.3V 10V 16V 2...
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AP1A003GMT
APEC/富鼎
QFN5x6
无铅环保型
贴片式
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中功率
深圳市汇莱威科技有限公司是国内首批斥巨资开发的电子元器件小批量采购电商之一。2017年拿到众山海润资产管理首轮天使投资,自营品牌:TI、ADI、XILINX、ALTERA/Intel汇聚中小企业殷...
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MMBT7002K
ST
SOT-23
无铅环保型
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深圳市明昇电子有限公司 本公司秉承“以质为本,以诚取信”为宗旨,深得广大客户、厂商的信赖。 主营:先科ST 全系列二三极管 SOD-123 SOD-323 SOD-523 SOT-23 LL-34 LL-41 DO-35 DO-...
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IPW60R037CSFD
INFINEON(英飞凌)
TO-247
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大功率
MOSFET
IPW60R037CSFD代理进口原装现货 IPW60R037CSFD代理进口原装现货,尽在-宇集芯电子 IPW60R037CSFDCoolMOS超结MOSFET是一款优化的器件,专门针对非车载电动汽车充电市场而设计。由于低...
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这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案 日前,威世科技Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120,其...
新型X4级器件在简化热设计,提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。 伊利诺伊州罗斯蒙特,Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家多元化的工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推...
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出全新封装的CoolSiC MOSFET 750V G2系列,旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供Q-DPAK、D2PAK等多种封装,产品组合覆盖在25°C...
三菱电机集团于今日(2026年1月14日)宣布,将于1月21日开始提供4款全新沟槽型1 SiC-MOSFET裸芯片(未封装在封装材料中的芯片),该芯片专为电动汽车(EV)主驱逆变器2,车载充电器3以及太阳能发电系统等可再生能源的功率系统等中的功率器件而设计。这些新型...
CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与低通态电阻等优势,同时有助于优化系统成本。该系列400V与440V碳化硅MOSFET可在两电平和三电平的硬开关与软开关拓扑中,提供卓越的功率密度和系统效率,主要面向人工智能服务器电源、开关电...
MOSFET自1960年由贝尔实验室发明以来,最初采用金属外壳的TO(Transistor Outline)封装,如TO-3和TO-92。这类封装以铜或铁镍合金为引线框架,通过环氧树脂密封,具备机械强度高、散热性能稳定的特点,能够耐受超过50G的机械冲击。MOSFET封装。 一、早期金...
功率 MOSFET 恐怕是工程师们最常用的器件之一了。然而,关于 MOSFET 的器件选型要考虑方方面面的因素,小到选 N 型还是 P 型、封装类型,大到 MOSFET 的耐压、导通电阻等。不同的应用需求千变万化,下面将详细总结 MOSFET 器件选型的三大核心法则,相信看完会...
在现代电子电路设计领域,MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)凭借其卓越的性能和广泛的应用,成为了不可或缺的关键器件。然而,MOSFET 中的噪声问题却对电路的性能和稳定性产生着重要影响,尤其在无线通信等对噪声要求极为严格的领域。因此,深入...
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的导通条件取决于其类型(N沟道或P沟道)和工作模式(增强型或耗尽型)。以下是详细分析:1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET(NMOS)增强型(常闭型):栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth(正电压)。漏源电压 VDSVD...
在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下,全球范围内从化石燃料向电动汽车(EV)的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者,电动汽车必须具备足够的续航里程,支持快速充电,同时还要保证价格经济实惠。在这一变革进程中,...
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