GMN02103LK
GOOD-ARK
PDFN3333
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
GMN02103LK是苏州固锝电子推出的一款N沟道增强型功率场效应晶体管(N-ChannelPowerMOSFET),采用30V漏源耐压设计,连续漏极电流高达108A(TC=25°C),脉冲电流可达434A,封...
电话:020-83182723
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SPW47N60C3
INFINEON(英飞凌)
TO-247
无铅环保型
直插式
直插
SPW47N60C3 SPW47N60C3 SPW47N60C3 属性 参数值 商品目录 MOS(场效应管) 漏源电压(Vdss) 650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时) 47A 栅源极阈值电压 3.9V @ 2.7mA 漏源导通...
电话:0755-83209937
手机:18922805453
PMV230ENEAR
Nexperia(安世)
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
产品描述: 场效应管(MOSFET)/PMV230ENEAR/SOT23/NEXPERIA/ 全新原装现货品牌: Nexperia(安世)厂家型号: PMV230ENEAR封装: SOT23商品毛重: 0.029392克(g)包装方式: 编带商品目...
电话:075583047638
手机:13823143863
IPW60R037CSFD
INFINEON(英飞凌)
TO-247
无铅环保型
直插式
单件包装
大功率
MOSFET
IPW60R037CSFD代理进口原装现货 IPW60R037CSFD代理进口原装现货,尽在-宇集芯电子 IPW60R037CSFDCoolMOS超结MOSFET是一款优化的器件,专门针对非车载电动汽车充电市场而设计。由于低...
电话:0755-28708773
手机:13430772257
7N60
UTC
TO
无铅环保型
直插式
单件包装
7N60 /8N60 /10N60 /12N60代理商 产品型号: 7N60品牌: UTC封装: TO包装: 原装电路名称: 功率MOS管本公司销售重点是为CCD、CMOS安防监控摄像机;汽车倒视;可视门铃;LED照明; HID氙气灯;...
电话:13632684023
4080K
kxcz semi
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
应用领域 手机、PDA、MP3、MP4 充电器 蓝牙、GPS导航仪 主要特性 可编程充电电流,可达1000mA 不需外接MOSFET,传感电阻和阻塞二极管 用于单节锂电池、采用SOP封装的完整线性充电器 恒...
电话:0755-83768026
手机:13715286762
MUN2213T1G
ON(安森美)
SC-59
无铅环保型
贴片式
编带
深圳市东鸿鼎业科技有限公司,提供电子元器件一站式 BOM 配单与方案替代服务。我们能为你做:整合多品牌资源——把分散的物料需求集中到我们这里,一站式搞定;支持研发试产——打样...
电话:13392867890
手机:13392867890
SI2301CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23(SOT-23-3)
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
深圳市芯巴巴科技有限公司是一家极具实力的集成电路代理分销商,分销:ST、TI、ON、ADI、NXP、MPS、ATMEL、MICROCHIP等品牌集成电路。广泛涵盖通信、家电、汽车、计算机、工业自动化...
电话:075582711229
手机:13267238803
STP55NF06
ST(意法半导体)
TO-220
无铅环保型
直插式
管装
型号 STP55NF06 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单 <span style="...
电话:0755-23004145
手机:13544027289
IPDH4N03LA-G
INFINEON(英飞凌)
SMD
普通型
直插式
卷带编带包装
大功率
IPDH4N03LA-G 晶体管 Infineon 产品属性 IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-...
电话:15013613919
手机:15013613919
2SK3018
SZXYL
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
<h3 class="header-OdWb_u auto-hide-last-sibling-br" style="-webkit-font-smoothing: antialiased; box-sizing: border-box; -webkit-tap-highlight-color: rgb...
电话:075582762266
手机:15989314729
IRLML0040TRPBF
INFINEON(英飞凌)
TO-236-3
普通型
贴片式
卷带编带包装
产品简介:IRLML0040TRPBF晶体管 类别 分立半导体产品晶体管FET,MOSFET单 FET,MOSFET 制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET? 包装 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制...
电话:0755-83234548
手机:13428746590
RSM002N06T2L
ROHM(罗姆)
VMT3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
RSM002N06T2L ROHM产品概述 产品特点 RSM002N06T2L ROHM是一款高效能的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),专为高频开关应用而设计。其封装采用 VMT3(SOT-723)形式,适用于表面...
电话:0755-82788489
手机:13418533975
NCEP023N10LL NCEN
NCE新洁能
TOLL
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
5773
NCEP023N10LL NCEN 沟道功率 MOS 管产品属性:NCEP023N10LL 是 NCE 新洁能 N 沟道功率 MOS 管,采用 TOLL 贴片封装,为无铅环保型器件,常规以卷带形式包装,属于大功率开关器件。NCE...
电话:18145816762
手机:18145816762
BSC010NE2LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.001Ω
INFINEON(英飞凌)
QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
无铅环保型
贴片式
5000/盘
BSC010NE2LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.001Ω 深圳市金城微零件有限公司是一家代理经营半导体电子元件公司,是深圳电子商会常务理事单位。经过十几年的发展,公...
电话:0755-83291777
手机:15811831089
AOTF4S60
NA
SOP8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
AOTF4S60 一手货源 进口原装现货长期供应! 深圳市现代芯城互联网科技有限公司,是国际的电子元件混合型分销商,公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处,专注于...
电话:0755-27381274
手机:15013613919
IRF4905
IRF4905
晶体管
开关放大
产品型号:IRF4905,品牌/商标:IR/Infineon,产品类别:P沟道功率MOSFET,产品名称:IRF4905 P沟道功率MOSFET。IRF4905 是一款P沟道功率MOSFET,适合在对应电子电路中作为功能器件使用。产品用途:该器件用于电源开关、反接保护、负载驱动和功率控制电路,可...
手机:18379630635
2N7002AQ-7
DIODES
SOT-23-3
普通型
贴片式
卷带编带包装
小功率
2N7002AQ-7 车规 N 沟道 MOSFET:一、2N7002AQ-7 车规 N 沟道 MOSFET电气参数参数数值测试条件漏源耐压 Vdss60Vzui大漏源电压连续漏极电流 Id220mATa=25℃栅源电压 Vgs±20V连续...
电话:021-54662191-8010
手机:18221631772
IRF3007S
国际品牌
SMD/DIP
无铅环保型
SMD/DIP
单件包装
大功率
IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S 深圳市现代芯城互联网科技有限公司,是国际知名的电子元件混合型分销商,公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处...
电话:0755-82542579
手机:15013613919
IRFP3206PBF
INFINEON(英飞凌)
TO-247AC
无铅环保型
直插式
管装
超大功率
N 通道
产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A(Tc) 驱动电压( Rds On, 小 Rds On) 10V 不同 Id、Vgs...
电话:0755-83234840
手机:13530404658
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块“IX800FXF2YMS4”,进一步扩充了产品线。该模块适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等应用。新模块搭载东芝第三代碳化硅(SiC)MOSFET芯片,漏源电...
中国人工智能服务器电源供应商深圳麦格米特电气股份有限公司(以下简称:麦米电气)宣布,将在其5.5 kW人工智能(AI)服务器电源中采用由全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)最新推出的CoolMOS 8超...
ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出SiC MOSFET的TSC3PAK(14.00×18.58×3.50mm)封装。新产品为可自动安装的表贴型产品,通过采用将散热面置于封装顶部的结构,实现了与插装型封装(TO-247-4L)同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车(xEV)的...
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。 随着AI处理需求持续扩大,数据中...
ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。 为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求,在现有封装基础上,新增了DFN8080-5L(8.0 × 8.0 × 0.85mm)和TOLL(11.68 × 9.9 ...
在电子电路领域,MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种极为重要的电子元件,其从截止到导通的过程蕴含着诸多专业知识。我们之前提到,在 V_gs(栅源电压)上升过程中并非 “一帆风顺”,会产生一个著名的 “台阶”,也就是 “米勒台阶” 或者 ...
超级结 MOSFET(SJ - MOSFET)是一种在功率半导体领域具有重要地位的硅基功率 MOSFET。它能够在实现高耐压的同时,易于达成低导通电阻的特性。特别是在处理商用电源输入的 AC - DC 电源、PFC、LLC、反激式转换器以及各种工业电源中,超级结 MOSFET 对于同时实...
功率 MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。这一特性使其在开关功率损耗占主导地位的高频应用中,相较于功率双极结晶体管(BJT)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有显著优势。在高频环境下,功率 MOSFET 能够...
在提高 SiC 功率器件性能方面,器件制造工艺流程起着至关重要的作用。SiC 功率器件用作 n 沟道时往往比 p 沟道表现出更好的性能。为获得更高性能,该器件需要在低电阻率的 p 型衬底上外延生长。 然而,目前市场上商用 p 型 4H - SiC 衬底具有相对较高的电...
功率 MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。在开关功率损耗占主导地位的高频应用场景中,它展现出了显著的优势,相较于功率双极结晶体管(BJT)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)更为适用。这是因为功率 MOSFET ...
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