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MOSFET

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  • 型号/规格:

    GMN02103LK

  • 品牌/商标:

    GOOD-ARK

  • 封装形式:

    PDFN3333

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

GMN02103LK是苏州固锝电子推出的一款N沟道增强型功率场效应晶体管(N-ChannelPowerMOSFET),采用30V漏源耐压设计,连续漏极电流高达108A(TC=25°C),脉冲电流可达434A,封...

  • 型号/规格:

    SPW47N60C3

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    TO-247

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    直插

SPW47N60C3 SPW47N60C3 SPW47N60C3 属性 参数值 商品目录 MOS(场效应管) 漏源电压(Vdss) 650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时) 47A 栅源极阈值电压 3.9V @ 2.7mA 漏源导通...

  • 型号/规格:

    PMV230ENEAR

  • 品牌/商标:

    Nexperia(安世)

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

产品描述: 场效应管(MOSFET)/PMV230ENEAR/SOT23/NEXPERIA/ 全新原装现货品牌: Nexperia(安世)厂家型号: PMV230ENEAR封装: SOT23商品毛重: 0.029392克(g)包装方式: 编带商品目...

  • 型号/规格:

    IPW60R037CSFD

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    TO-247

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 产品种类:

    MOSFET

IPW60R037CSFD代理进口原装现货 IPW60R037CSFD代理进口原装现货,尽在-宇集芯电子 IPW60R037CSFDCoolMOS超结MOSFET是一款优化的器件,专门针对非车载电动汽车充电市场而设计。由于低...

  • 型号/规格:

    7N60

  • 品牌/商标:

    UTC

  • 封装形式:

    TO

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

7N60 /8N60 /10N60 /12N60代理商 产品型号: 7N60品牌: UTC封装: TO包装: 原装电路名称: 功率MOS管本公司销售重点是为CCD、CMOS安防监控摄像机;汽车倒视;可视门铃;LED照明; HID氙气灯;...

  • 型号/规格:

    4080K

  • 品牌/商标:

    kxcz semi

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

应用领域 手机、PDA、MP3、MP4 充电器 蓝牙、GPS导航仪 主要特性 可编程充电电流,可达1000mA 不需外接MOSFET,传感电阻和阻塞二极管 用于单节锂电池、采用SOP封装的完整线性充电器 恒...

  • 型号/规格:

    MUN2213T1G

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    SC-59

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    编带

深圳市东鸿鼎业科技有限公司,提供电子元器件一站式 BOM 配单与方案替代服务。我们能为你做:整合多品牌资源——把分散的物料需求集中到我们这里,一站式搞定;支持研发试产——打样...

  • 型号/规格:

    SI2301CDS-T1-GE3

  • 品牌/商标:

    VISHAY(威世)

  • 封装形式:

    SOT-23(SOT-23-3)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

深圳市芯巴巴科技有限公司是一家极具实力的集成电路代理分销商,分销:ST、TI、ON、ADI、NXP、MPS、ATMEL、MICROCHIP等品牌集成电路。广泛涵盖通信、家电、汽车、计算机、工业自动化...

  • 型号/规格:

    STP55NF06

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

型号 STP55NF06 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单 <span style="...

  • 型号/规格:

    IPDH4N03LA-G

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    SMD

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

IPDH4N03LA-G 晶体管 Infineon 产品属性 IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-...

  • 型号/规格:

    2SK3018

  • 品牌/商标:

    SZXYL

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

<h3 class="header-OdWb_u auto-hide-last-sibling-br" style="-webkit-font-smoothing: antialiased; box-sizing: border-box; -webkit-tap-highlight-color: rgb...

  • 型号/规格:

    IRLML0040TRPBF

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    TO-236-3

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

产品简介:IRLML0040TRPBF晶体管 类别 分立半导体产品晶体管FET,MOSFET单 FET,MOSFET 制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET? 包装 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制...

  • 型号/规格:

    RSM002N06T2L

  • 品牌/商标:

    ROHM(罗姆)

  • 封装形式:

    VMT3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

RSM002N06T2L ROHM产品概述 产品特点 RSM002N06T2L ROHM是一款高效能的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),专为高频开关应用而设计。其封装采用 VMT3(SOT-723)形式,适用于表面...

  • 型号/规格:

    NCEP023N10LL NCEN

  • 品牌/商标:

    NCE新洁能

  • 封装形式:

    TOLL

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 数量:

    5773

NCEP023N10LL NCEN 沟道功率 MOS 管产品属性:NCEP023N10LL 是 NCE 新洁能 N 沟道功率 MOS 管,采用 TOLL 贴片封装,为无铅环保型器件,常规以卷带形式包装,属于大功率开关器件。NCE...

  • 型号/规格:

    BSC010NE2LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.001Ω

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    5000/盘

BSC010NE2LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.001Ω 深圳市金城微零件有限公司是一家代理经营半导体电子元件公司,是深圳电子商会常务理事单位。经过十几年的发展,公...

  • 型号/规格:

    AOTF4S60

  • 品牌/商标:

    NA

  • 封装形式:

    SOP8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

AOTF4S60 一手货源 进口原装现货长期供应! 深圳市现代芯城互联网科技有限公司,是国际的电子元件混合型分销商,公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处,专注于...

  • 品牌:

    IRF4905

  • 型号:

    IRF4905

  • 器件类型:

    晶体管

  • 主要用途:

    开关放大

产品型号:IRF4905,品牌/商标:IR/Infineon,产品类别:P沟道功率MOSFET,产品名称:IRF4905 P沟道功率MOSFET。IRF4905 是一款P沟道功率MOSFET,适合在对应电子电路中作为功能器件使用。产品用途:该器件用于电源开关、反接保护、负载驱动和功率控制电路,可...

  • 型号/规格:

    2N7002AQ-7

  • 品牌/商标:

    DIODES

  • 封装形式:

    SOT-23-3

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

2N7002AQ-7 车规 N 沟道 MOSFET:一、2N7002AQ-7 车规 N 沟道 MOSFET电气参数参数数值测试条件漏源耐压 Vdss60Vzui大漏源电压连续漏极电流 Id220mATa=25℃栅源电压 Vgs±20V连续...

  • 型号/规格:

    IRF3007S

  • 品牌/商标:

    国际品牌

  • 封装形式:

    SMD/DIP

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    SMD/DIP

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    大功率

IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S 深圳市现代芯城互联网科技有限公司,是国际知名的电子元件混合型分销商,公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处...

  • 型号/规格:

    IRFP3206PBF

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    TO-247AC

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特征:

    超大功率

  • FET 类型:

    N 通道

产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A(Tc) 驱动电压( Rds On, 小 Rds On) 10V 不同 Id、Vgs...

MOSFET行业资讯

  • Toshiba-东芝推出具备高浪涌电流能力3300V SiC MOSFET模块,助力提升工业设备可靠性[2026-09-28]

    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块“IX800FXF2YMS4”,进一步扩充了产品线。该模块适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等应用。新模块搭载东芝第三代碳化硅(SiC)MOSFET芯片,漏源电...

  • Infineon-麦米电气采用英飞凌CoolMOS 8 MOSFET驱动其新一代AI服务器[2026-07-27]

    中国人工智能服务器电源供应商深圳麦格米特电气股份有限公司(以下简称:麦米电气)宣布,将在其5.5 kW人工智能(AI)服务器电源中采用由全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)最新推出的CoolMOS 8超...

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    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。  随着AI处理需求持续扩大,数据中...

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什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称全氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
  • MOSFET

MOSFET技术资料

  • MOSFET 从截止到导通[2026-08-28]

    在电子电路领域,MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种极为重要的电子元件,其从截止到导通的过程蕴含着诸多专业知识。我们之前提到,在 V_gs(栅源电压)上升过程中并非 “一帆风顺”,会产生一个著名的 “台阶”,也就是 “米勒台阶” 或者 ...

  • 深度剖析超级结 MOSFET 的结构、特性与选型要点[2026-08-25]

    超级结 MOSFET(SJ - MOSFET)是一种在功率半导体领域具有重要地位的硅基功率 MOSFET。它能够在实现高耐压的同时,易于达成低导通电阻的特性。特别是在处理商用电源输入的 AC - DC 电源、PFC、LLC、反激式转换器以及各种工业电源中,超级结 MOSFET 对于同时实...

  • 功率 MOSFET 的特点、类别及应用[2026-07-30]

    功率 MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。这一特性使其在开关功率损耗占主导地位的高频应用中,相较于功率双极结晶体管(BJT)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有显著优势。在高频环境下,功率 MOSFET 能够...

  • 深入解析沟槽型 SiC MOSFET 工艺流程与 SiC 离子注入技术[2026-07-28]

    在提高 SiC 功率器件性能方面,器件制造工艺流程起着至关重要的作用。SiC 功率器件用作 n 沟道时往往比 p 沟道表现出更好的性能。为获得更高性能,该器件需要在低电阻率的 p 型衬底上外延生长。  然而,目前市场上商用 p 型 4H - SiC 衬底具有相对较高的电...

  • N沟道增强型功率MOSFET垂直 DMOS 结构[2026-07-27]

    功率 MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。在开关功率损耗占主导地位的高频应用场景中,它展现出了显著的优势,相较于功率双极结晶体管(BJT)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)更为适用。这是因为功率 MOSFET ...

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