GMN1003LM
固锝GOOD-ARK
PDFN5060
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
N沟道30V(D-S)功率MOSFET型号:GMN1003LM品牌:GOOD-ARK封装:PDFN5060100%雪崩测试极低损耗,FOM Rdson*Qg低无卤素、无铅符合RoHS标准应用:直流电机、灯具电源切换jue对zui大额定...
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IRF3007S
国际品牌
SMD/DIP
无铅环保型
SMD/DIP
单件包装
大功率
IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S 深圳市现代芯城互联网科技有限公司,是国际知名的电子元件混合型分销商,公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处...
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SC8205A
FM富满微
TSSOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
FM/富满微 SC8205A TSSOP-8 20V N沟道增强型MOS场效应管 深圳市科瑞芯电子供应中!欢迎致电咨询!深圳快速发货!</st...
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IPDH4N03LA-G
INFINEON(英飞凌)
SMD
普通型
直插式
卷带编带包装
大功率
IPDH4N03LA-G 晶体管 Infineon 产品属性 IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-...
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SI2301CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23(SOT-23-3)
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
深圳市芯巴巴科技有限公司是一家极具实力的集成电路代理分销商,分销:ST、TI、ON、ADI、NXP、MPS、ATMEL、MICROCHIP等品牌集成电路。广泛涵盖通信、家电、汽车、计算机、工业自动化...
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FDN306P
FAIRCHILD(飞兆)
SOT-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
迪蒙信源电子有限公司是一家的电子器件经销商,经营各类进口IC芯片,二三级管,电阻电容,拥有大量现货库存, 现已成为各中小企业、医疗器材生产企业、研究院、航天研究院、各大专院校、...
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IRFP260NPBF
INFINEON(英飞凌)
TO-247AC-3
无铅环保型
直插式
管装
小功率
IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET)产品描述: 类别分立半导体产品晶体管FET,MOSFET单 FET,MOSFET制造商Infineon Technologies包装管件零件状态在售FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化...
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7N65
XY
TO-220F
无铅环保型
直插式
管装
中功率
N沟道
深圳市星宇佳科技有限公司是一家集研发,生产,销售的电子元器件服务商。公司成立于2011年。是原星宇佳电子的转型升级。公司旗下有自主品牌“ING” “XYJ” .其中ING品牌的MOS管系列...
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BSS138NH6327
FAIRCHILD(飞兆)
SOT-23
无铅环保型
贴片式
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FAIRCHILD
SS
<div data-v-4e0cbf29="" class="name" style="-webkit-tap-highlight-color:rgba(0, 0, 0, 0);box-sizing:border-box;margin:0px;padding:0px 16px 0px...
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IRF4905
IRF4905
晶体管
开关放大
产品型号:IRF4905,品牌/商标:IR/Infineon,产品类别:P沟道功率MOSFET,产品名称:IRF4905 P沟道功率MOSFET。IRF4905 是一款P沟道功率MOSFET,适合在对应电子电路中作为功能器件使用。产品用途:该器件用于电源开关、反接保护、负载驱动和功率控制电路,可...
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SI2309
SWIRE
SOT-23
无铅环保型
贴片式
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23+
型号:SI2309 封装:SOT-23 品牌:SWIRE 类型:低压MOS管/低压MOS管/低压MOS管 <p...
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7N60
UTC
TO
无铅环保型
直插式
单件包装
7N60 /8N60 /10N60 /12N60代理商 产品型号: 7N60品牌: UTC封装: TO包装: 原装电路名称: 功率MOS管本公司销售重点是为CCD、CMOS安防监控摄像机;汽车倒视;可视门铃;LED照明; HID氙气灯;...
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AO3414 AO3480
万代
SOT-23-3L
普通型
贴片式
盒带编带包装
大功率
1.4W/MOSFET/N通道IC/ 1.4W/MOSFET/N通道IC 1.4W/MOSFET/N通道IC 1.4W/MOSFET/N通道IC4.4V高电压新型锂电池充电专用芯片耐压12V单节锂电充电芯片,5V输入充电电流可达1A, 带芯片温度...
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MEK600-04DA
艾赛斯
标准封装
无铅环保型
螺丝型
盒带编带包装
中功率
苏州新杰邦电子技术有限公司: 代理功率半导体产品及配套器件,IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉,在电力电子行业树立了良好的...
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50P06D
XBLW/芯伯乐
TO-252
普通型
贴片式
卷带编带包装
大功率
XBLW/芯伯乐 国产品牌50P06D深圳市博伟奇电子有限公司是一家专注于集成电路产品代理分销,致力于为客户提供灵活、高效、可靠的芯片服务。公司总部设在中国深圳,由一批具有海内外企业...
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DMP2104V-7
DIODES/美台
SOT-563
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
DMP2104V-7,DMP2104V-7产品属性介绍:产品型号 DMP2104V-7类别 分立半导体产品晶体管 FET,MOSFET单 FET,MOSFET制造商Diodes Incorporated系列Automotive, AEC-Q101包装 卷带(TR)...
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STP55NF06
ST(意法半导体)
TO-220
无铅环保型
直插式
管装
型号STP55NF06 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics 系列 STripFET&#129;&#8482; II FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化...
电话:0755-23202135
手机:13544027289
AO4447A
AOS
SOP8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
5298
AO4447A 分立半导体 晶体管 属性:FET 类型 P 通道技术 MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A(Ta)驱动电压(Rds On,Rds On):4V,1...
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TK100E10N1
Toshiba Semiconductor and Storage
TO-220-3
无铅环保型
直插式
管件
小功率
产品属性类型描述类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSVIII-H 包装 管件 产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOS...
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2SK3018
SZXYL
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
<h3 class="header-OdWb_u auto-hide-last-sibling-br" style="-webkit-font-smoothing: antialiased; box-sizing: border-box; -webkit-tap-highlight-color: rgb...
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Wolfspeed 第五代 (Gen 5) 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术在比导通电阻方面实现重大突破,相较目前市面同类 1200 V 竞品方案,效率最高可提升27% 该项技术彰显 Wolfspeed 深耕碳化硅 (SiC) 功率器件、赋能实现真正耐久系统的坚定承诺 依托 Wolfspeed 已完成...
ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,面向车载应用中日益普及的48V电源系统,推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。 新产品采用HPLF5060(4.9mm×6.0mm)和DFN3333(3.3mm×3.3mm)封装,与车载MOSFET中常见的TO-252(6.6mm×10.0mm)等封装相比,有望进...
-集成3相直流无刷电机驱动电路与微控制器,实现小型车载电机的直接驱动- 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,已开始提供“TB9M040FTG”的工程样品。TB9M040FTG是一款内置功率MOSFET,用于3相直流无刷电机驱动的电机控制器件。作为东芝...
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货,该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统,同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展,功耗不断上升已成为数据中...
全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布,其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及,AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进,在这种背景下,罗姆的SiC MOSFET产品被...
在电力电子拓扑领域,各类感性负载如电机绕组、变压器漏感、继电器线圈等十分常见。当硅基 MOSFET 高速关断时,若这些感性负载产生的反电动势无法及时释放,就会迫使 MOSFET 进入雪崩击穿状态,这种工况被称为 UIS(Unclamped Inductive Switching,非钳位感...
在功率半导体器件 MOSFET 中,栅氧化层是位于栅极与半导体芯片之间的关键绝缘层,其核心材质多为二氧化硅(SiO),堪称器件的 “电力控制阀门”。它一方面承担着电绝缘的重任,隔离栅极与沟道的电信号,防止电流泄漏;另一方面让外部栅电压精准调控沟道的导电...
在电子电路的广阔领域中,MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)无疑是一颗璀璨的明星,被广泛应用于开关电源、驱动电路、功率控制电路等众多场景。熟悉硬件电路与半导体器件的专业人士都清楚,MOSFET 本质上是一种四端器件,它包含栅极(G)、漏极(...
功率 MOSFET 无疑是工程师们在电子设计中最常用的器件之一。然而,MOSFET 的器件选型是一个复杂且需要综合考虑多方面因素的过程,小到 N 型与 P 型的选择、封装类型的确定,大到 MOSFET 的耐压、导通电阻等参数的考量,不同的应用场景有着千变万化的需求。下...
在功率器件的可靠性评估体系中,可靠性测试无疑是验证其长期稳定性的关键环节。不过,器件失效的原因并非总是源于器件本体,有时候问题可能隐藏在外部封装的细微之处。本文将深入剖析一个典型的失效案例:某 MOSFET 在经过可靠性测试后,出现了 DS 短路(GS ...
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