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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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N沟道30V（D-S）功率MOSFET
N沟道30V（D-S）功率MOSFET
  • 型号/规格：

    GMN1003LM

  • 品牌/商标：

    固锝GOOD-ARK

  • 封装形式：

    PDFN5060

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

N沟道30V（D-S）功率MOSFET型号：GMN1003LM品牌：GOOD-ARK封装：PDFN5060100%雪崩测试极低损耗，FOM Rdson*Qg低无卤素、无铅符合RoHS标准应用：直流电机、灯具电源切换jue对zui大额定...

原装场效应管IPB072N15N3G
原装场效应管IPB072N15N3G
  • 型号/规格：

    IPB072N15N3G

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-263

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

原装场效应管IPB072N15N3G产品信息 深圳驰源科技长期供应原装场效应管IPB072N15N3G <img style="max-width:700px;" src="http://file3.dzsc.com/product/20/06/03/...

AO4815 8A/30V 场内效应管
AO4815 8A/30V 场内效应管
  • 型号/规格：

    AO4815

  • 品牌/商标：

    AOS

  • 封装形式：

    SOP8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    超大功率

双P沟道 8A/30V MOS管场效应管 SOP8 <h1 data-spm="100...

SPW47N60C3 场效应管 TO-247
SPW47N60C3 场效应管 TO-247
  • 型号/规格：

    SPW47N60C3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    直插

SPW47N60C3 SPW47N60C3 SPW47N60C3 属性 参数值 商品目录 MOS(场效应管) 漏源电压（Vdss） 650V 连续漏极电流（Id）（25&#176;C 时） 47A 栅源极阈值电压 3.9V @ 2.7mA 漏源导通...

MOS管AOZ8831DI现货低价
MOS管AOZ8831DI现货低价
  • 型号/规格：

    AOZ8831DI

  • 品牌/商标：

    NXP（恩智浦）

  • 封装形式：

    SOD-923

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

深圳市俊腾源电子有限公司成立于2008年，是一家从事半导体器件科研、生产、OEM、销售为一体的高新技术企业。专注于贴片半导体分立元器件，拥有国内外全方位的销售精英及完善的技术支...

RSM002N06T2L ROHM VMT3
RSM002N06T2L ROHM VMT3
  • 型号/规格：

    RSM002N06T2L

  • 品牌/商标：

    ROHM（罗姆）

  • 封装形式：

    VMT3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

RSM002N06T2L ROHM产品概述 产品特点 RSM002N06T2L ROHM是一款高效能的 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为高频开关应用而设计。其封装采用 VMT3（SOT-723）形式，适用于表面...

NDC7002N MOS场效应管
NDC7002N MOS场效应管
  • 型号/规格：

    NDC7002N

  • 品牌/商标：

    鹏领

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

公司简介： 深圳智睿捷科技有限公司成立于2008年，是一家从事半导体器件科研、生产、OEM、销售为一体的高新技术企业。公司位于福田区振华路海外装饰大厦A座409B室。专注于贴片半导体...

MOSFET 晶体管 FDN306P
MOSFET 晶体管 FDN306P
  • 型号/规格：

    FDN306P

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 封装形式：

    SOT-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

迪蒙信源电子有限公司是一家的电子器件经销商,经营各类进口IC芯片,二三级管，电阻电容，拥有大量现货库存, 现已成为各中小企业、医疗器材生产企业、研究院、航天研究院、各大专院校、...

FDMC2523P
FDMC2523P
  • 型号/规格：

    FDMC2523P

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    SMD

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

上海意淼电子科技有限公司，代理经销世界众多品牌IC：美国ADI、爱特梅尔(Atmel)、 TI(BB) 、alterA、 美信Maxim（Dallas）、安森美(ON)、 恩智浦NXP(Philips)、仙童(Fairchild)、 三...

三社可控硅模块PWB200A40
三社可控硅模块PWB200A40
  • 型号/规格：

    PWB200A40

  • 品牌/商标：

    三社

  • 封装形式：

    模块

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

北京恒达功率元器件代理:电源模块,功率模块,GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅，整流桥模块,快恢复二极管,场效应及驱动电路.品牌三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、西门子、eupec、IR...

AO4447A 分立半导体 晶体管
AO4447A 分立半导体 晶体管
  • 型号/规格：

    AO4447A

  • 品牌/商标：

    AOS

  • 封装形式：

    SOP8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 数量：

    5298

AO4447A 分立半导体 晶体管 属性：FET 类型 P 通道技术 MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Ta）驱动电压（Rds On，Rds On）：4V，1...

SI2301ADS-T1-GE3
SI2301ADS-T1-GE3
  • 型号/规格：

    SI2301ADS-T1-GE3

  • 品牌/商标：

    VISHAY/威世

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

深圳中元伟业经营世界厂家，MOS管/高频管/场效应管/变容管/电源IC，二三极管等SMD，产品主要应用于民用、工业、军事领域的通讯、网络、仪器仪表、电脑、电视、VCD/DVD、音响、IT等。...

CSD86330Q3D
CSD86330Q3D
  • 型号/规格：

    CSD86330Q3D

  • 品牌/商标：

    TI

  • 封装形式：

    SON8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

深圳市金亨利科技有限公司是国内市场较具规模的电子元器件供应商之一 ，可为客户提供13%的增值税票，开拓终端工厂市场， 提供的电子元件配套服务。经营各类电子元器件、集成电路 IC芯...

IRF3205ZPBF TO-220 N沟道 55V/75A 直插MOSFET
IRF3205ZPBF TO-220 N沟道 55V/75A 直插MOSFET
  • 型号/规格：

    IRF3205ZPBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

深圳市河锋鑫科技有限公司是一家的电子元器件代理经销商，营业范围主要包括代理电子元器件的市场推广、产品研发、技术支援以及销售业务，总部位于亚洲电子元器件集散地的深圳华强北中...

PT7A7514WEX-2017 三极管MOS管 封装SOIC8场效应管 美台宏芯光代理商
PT7A7514WEX-2017 三极管MOS管 封装SOIC8场效应管 美台宏芯光代理商
  • 型号/规格：

    PT7A7514WEX-2017

  • 品牌/商标：

    美台DIODES宏芯光

  • 封装形式：

    SIOC8

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

型号 LTR-553ALS-WA LTR-308ALS-01 LTR-507ALS-01 LTR-329ALS-01 LTL-4231N LTE-2872U LTR-536AD LTST-C155KGJRKT LTR-559ALS LTV-354T-B2 LTST-C193TBKT-5A LTST-C195KGJSKT LTW-C19...

XBLW/芯伯乐 50P06D TO-252 MOS管
XBLW/芯伯乐 50P06D TO-252 MOS管
  • 型号/规格：

    50P06D

  • 品牌/商标：

    XBLW/芯伯乐

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

XBLW/芯伯乐 国产品牌50P06D深圳市博伟奇电子有限公司是一家专注于集成电路产品代理分销，致力于为客户提供灵活、高效、可靠的芯片服务。公司总部设在中国深圳，由一批具有海内外企业...

代理InfineonIRF1010EZSTRL半导体分立半导体晶体管MOSFET特卖原厂原装现货十年芯片销售只做原装
代理InfineonIRF1010EZSTRL半导体分立半导体晶体管MOSFET特卖原厂原装现货十年芯片销售只做原装
  • 型号/规格：

    IRF1010EZSTRL

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-263

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

Infineon供应IRF1010EZSTRL半导体分立半导体晶体管MOSFET原厂原装芯片规格： Infineon供应IRF1010EZSTRL半导体分立半导体晶体管MOSFET原厂原装芯片的特征： &amp;#61623;先进的工...

4N60 TO-220 大量现货N沟道高压MOS管
4N60 TO-220 大量现货N沟道高压MOS管
  • 型号/规格：

    4N60

  • 品牌/商标：

    TG

  • 封装形式：

    251/252/220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装 盒装

  • 功率特征：

    中功率

  • 极低栅电荷：

    典型15nC

?<span style="-webkit-text-stroke-color: rgb(51, 51, 51); background-image: linear-gradient(to right, rgba(111, 75, 250, 0.12), rgba(111, 75, 250, 0.12)); backgro...

贴片MOS场效应管MMBT7002K
贴片MOS场效应管MMBT7002K
  • 型号/规格：

    MMBT7002K

  • 品牌/商标：

    ST

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

深圳市明昇电子有限公司 本公司秉承“以质为本，以诚取信”为宗旨，深得广大客户、厂商的信赖。 主营：先科ST 全系列二三极管 SOD-123 SOD-323 SOD-523 SOT-23 LL-34 LL-41 DO-35 DO-...

IRFP3206PBF MOSFET
IRFP3206PBF MOSFET
  • 型号/规格：

    IRFP3206PBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247AC

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特征：

    超大功率

  • FET 类型：

    N 通道

产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A（Tc） 驱动电压（ Rds On， 小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs...

MOSFET行业资讯

  • Infineon-英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiCMOSFET 750 V G2，适用于汽车和工业功率电子应用[2025-07-24]

    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSiCMOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiCMOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合，...

  • ST-SiC MOSFET并联的关键技术[2025-07-23]

    基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个MOSFET无法满足功率需求时，再并联...

  • Wolfspeed 1700 V MOSFET 技术：重塑辅助电源系统耐用性与成本的利器[2025-07-05]

    在众多领域，如电机驱动、电动汽车、快速充电器以及可再生能源系统中，低功耗辅助电源虽常被忽视，但却是保障系统高效运行的关键。设计人员在提高系统可靠性、减小系统尺寸、缩减成本、降低风险以及支持多源采购等方面，面临着诸多相互矛盾的挑战。　　Wolfsp...

  • CoolSiC MOSFET 750 V G2 登场，英飞凌助力功率电子应用升级[2025-07-02]

    德国慕尼黑传来消息，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司，正式推出了新型 CoolSiC MOSFET 750 V G2。这款产品专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而精心设计，将为相关领域带来新的技术变革。　　提供了一系列精细化...

  • Infineon-英飞凌CoolMOS8超结MOSFET为光宝科技数据中心应用树立最佳系统性能新标杆[2025-06-24]

    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）为电源管理解决方案领域领导者光宝科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，使服务器应用拥有更加出色的效率和可靠性。600 V CoolMOS8提供...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • mosfet管导通条件[2025-07-22]

    MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件取决于其类型（N沟道或P沟道）和工作模式（增强型或耗尽型）。以下是详细分析：1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET（NMOS）增强型（常闭型）：栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth（正电压）。漏源电压 VDSVD...

  • 安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器：电动汽车电力系统创新引领者[2025-07-10]

    在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动汽车（EV）的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者，电动汽车必须具备足够的续航里程，支持快速充电，同时还要保证价格经济实惠。在这一变革进程中，...

  • 全面了解功率半导体 MOSFET 的奥秘[2025-07-10]

    在电子元器件的领域中，功率半导体器件 MOSFET 占据着举足轻重的地位。如果说晶体管能够被称为 20 世纪最伟大的发明，那么毫无疑问，MOSFET 在其中功不可没。早在 1925 年，关于 MOSFET 基本原理的专利就已发表，1959 年贝尔实验室发明了基于此原理的 MOSFET ...

  • 深度解析 SiC MOSFET 模块损耗计算方法[2025-06-19]

    在电力电子领域，为了确保 SiC（碳化硅）模块的安全使用，精确计算其在工作条件下的功率损耗和结温，并使其在额定值范围内运行至关重要。MOSFET 的损耗计算与 IGBT 既有相似之处，又存在显著差异。相较于 IGBT，MOSFET 具备反向导通的特性，能够工作在同步整...

  • SiC MOSFET 模块并联的动态均流难题及对策[2025-05-30]

    在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联使用时，能够进一步提高系统的功率容量和性能。然而，受器件参数、寄生参数等诸多因素...

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