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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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N沟道30V（D-S）功率MOSFET
N沟道30V（D-S）功率MOSFET
  • 型号/规格：

    GMN1003LM

  • 品牌/商标：

    固锝GOOD-ARK

  • 封装形式：

    PDFN5060

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

N沟道30V（D-S）功率MOSFET型号：GMN1003LM品牌：GOOD-ARK封装：PDFN5060100%雪崩测试极低损耗，FOM Rdson*Qg低无卤素、无铅符合RoHS标准应用：直流电机、灯具电源切换jue对zui大额定...

鹏领现货场效应管FDN338P
鹏领现货场效应管FDN338P
  • 型号/规格：

    FDN338P

  • 品牌/商标：

    鹏领

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

请新老顾客下单前先咨询客服。 封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216） 1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）FDN338P 电压：4V 6.3V 10V 16V 2...

IRLML0040TRPBF晶体管
IRLML0040TRPBF晶体管
  • 型号/规格：

    IRLML0040TRPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-236-3

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

产品简介：IRLML0040TRPBF晶体管 类别 分立半导体产品晶体管FET，MOSFET单 FET，MOSFET 制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET? 包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制...

RSM002N06T2L ROHM VMT3
RSM002N06T2L ROHM VMT3
  • 型号/规格：

    RSM002N06T2L

  • 品牌/商标：

    ROHM（罗姆）

  • 封装形式：

    VMT3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

RSM002N06T2L ROHM产品概述 产品特点 RSM002N06T2L ROHM是一款高效能的 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为高频开关应用而设计。其封装采用 VMT3（SOT-723）形式，适用于表面...

场效应管IRF3007S 全新现货
场效应管IRF3007S 全新现货
  • 型号/规格：

    IRF3007S

  • 品牌/商标：

    国际品牌

  • 封装形式：

    SMD/DIP

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    SMD/DIP

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S 深圳市现代芯城互联网科技有限公司，是国际知名的电子元件混合型分销商，公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处...

IRFTS8342TRPBF场效应管MOSFET
IRFTS8342TRPBF场效应管MOSFET
  • 型号/规格：

    IRFTS8342TRPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TSOP-6

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

产品描述： 场效应管（MOSFET)/IRFTS8342TRPBF/TSOP-6/INFINEON/ 全新原装现货品牌： INFINEON(英飞凌）厂家型号： IRFTS8342TRPBF封装： TSOP-6包装方式： 编带商品目录： 场效应管...

场效应管IRF4905PBF 原装 假一罚十
场效应管IRF4905PBF 原装 假一罚十
  • 型号/规格：

    IRF4905PBF

  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

IRF4905PBF产品详细规格生产商:Ir规格书:RohsLead free / RoHS Compliant标准包装50FET 型MOSFET P-Channel, Metal OxideFET特点Standard漏极至源极电压（VDSS）55V电流-连续漏极（编...

SQJ469EP-T1-GE3原装现货MOSFET
SQJ469EP-T1-GE3原装现货MOSFET
  • 型号/规格：

    SQJ469EP-T1-GE3

  • 品牌/商标：

    威世

  • 封装形式：

    SOP

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

  • 单位：

    个

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-eff...

AOTF4S60采购 AOTF4S60商
AOTF4S60采购 AOTF4S60商
  • 型号/规格：

    AOTF4S60

  • 品牌/商标：

    NA

  • 封装形式：

    SOP8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

AOTF4S60 一手货源 进口原装现货长期供应！ 深圳市现代芯城互联网科技有限公司，是国际的电子元件混合型分销商，公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处，专注于...

NTB18N06LT4G TO263全新原装长期
NTB18N06LT4G TO263全新原装长期
  • 型号/规格：

    NTB18N06LT4G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TO263

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A（Tc） 驱动电压（ Rds On， Rds On） 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds O...

TPS73618DBVR固定1.8V 400MA稳压器SOT-23-5
TPS73618DBVR固定1.8V 400MA稳压器SOT-23-5
  • 型号/规格：

    STP55NF06

  • 品牌/商标：

    ST（意法半导体）

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

型号STP55NF06 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics 系列 STripFET™ II FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化...

SC8205A 富满微20V N沟道增强型MOS管
SC8205A 富满微20V N沟道增强型MOS管
  • 型号/规格：

    SC8205A

  • 品牌/商标：

    FM富满微

  • 封装形式：

    TSSOP-8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

FM/富满微 SC8205A TSSOP-8 20V N沟道增强型MOS场效应管 深圳市科瑞芯电子供应中！欢迎致电咨询！深圳快速发货！</st...

4080K 40V N沟道MOSFET场效应管
4080K 40V N沟道MOSFET场效应管
  • 型号/规格：

    4080K

  • 品牌/商标：

    kxcz semi

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

应用领域 手机、PDA、MP3、MP4 充电器 蓝牙、GPS导航仪 主要特性 可编程充电电流，可达1000mA 不需外接MOSFET,传感电阻和阻塞二极管 用于单节锂电池、采用SOP封装的完整线性充电器 恒...

SPW47N60C3 场效应管 TO-247
SPW47N60C3 场效应管 TO-247
  • 型号/规格：

    SPW47N60C3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    直插

SPW47N60C3 SPW47N60C3 SPW47N60C3 属性 参数值 商品目录 MOS(场效应管) 漏源电压（Vdss） 650V 连续漏极电流（Id）（25&#176;C 时） 47A 栅源极阈值电压 3.9V @ 2.7mA 漏源导通...

ST13005A原装ST直插TO-220高压快速开关NPN功率晶体管
ST13005A原装ST直插TO-220高压快速开关NPN功率晶体管
  • 型号/规格：

    ST13005A

  • 品牌/商标：

    ST（意法半导体）

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

ST13005A 是意法半导体推出的一款 高压快速开关 NPN 功率晶体管，采用 TO-220 直插封装（3引脚）。该器件基于 ST 的高压多外延平面技术制造，采用蜂窝发射极结构与平面边缘终端设计，...

TK100E10N1
TK100E10N1
  • 型号/规格：

    TK100E10N1

  • 品牌/商标：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 封装形式：

    TO-220-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管件

  • 功率特征：

    小功率

产品属性类型描述类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSVIII-H 包装 管件 产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOS...

SI2301CDS-T1-GE3场效应管
SI2301CDS-T1-GE3场效应管
  • 型号/规格：

    SI2301CDS-T1-GE3

  • 品牌/商标：

    VISHAY(威世)

  • 封装形式：

    SOT-23(SOT-23-3)

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

深圳市芯巴巴科技有限公司是一家极具实力的集成电路代理分销商，分销：ST、TI、ON、ADI、NXP、MPS、ATMEL、MICROCHIP等品牌集成电路。广泛涵盖通信、家电、汽车、计算机、工业自动化...

仙童 场效应管 FAIRCHILD BSS138
仙童 场效应管 FAIRCHILD BSS138
  • 型号/规格：

    BSS138NH6327

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 品牌：

    FAIRCHILD

  • 丝印：

    SS

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JGSEMI/台湾金锆 NTD15N06LT4G TO-252 全新原装现货
JGSEMI/台湾金锆 NTD15N06LT4G TO-252 全新原装现货
  • 型号/规格：

    NTD15N06LT4G

  • 品牌/商标：

    JGSEMI/台湾金锆

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

深圳中元伟业经营世界厂家，MOS管/高频管/场效应管/变容管/电源IC，二三极管等SMD，产品主要应用于民用、工业、军事领域的通讯、网络、仪器仪表、电脑、电视、VCD/DVD、音响、IT等。...

IPW60R037CSFD进口原装现货
IPW60R037CSFD进口原装现货
  • 型号/规格：

    IPW60R037CSFD

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

  • 产品种类：

    MOSFET

IPW60R037CSFD代理进口原装现货 IPW60R037CSFD代理进口原装现货，尽在-宇集芯电子 IPW60R037CSFDCoolMOS超结MOSFET是一款优化的器件，专门针对非车载电动汽车充电市场而设计。由于低...

MOSFET行业资讯

  • 东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提升AI数据中心的效率[2026-07-01]

    东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。　　随着AI处理需求持续扩大，数据中...

  • ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品[2026-06-17]

    ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。　　为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求，在现有封装基础上，新增了DFN8080-5L（8.0 × 8.0 × 0.85mm）和TOLL（11.68 × 9.9 ...

  • ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”[2026-06-15]

    全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。　　新产品采用HPLF5060（4.9mm×6.0mm）和DFN3333（3.3mm×3.3mm）封装，与车载MOSFET中常见的TO-252（6.6mm×10.0mm...

  • 英飞凌推出OptiMOS 8 100V功率MOSFET，适用于电机驱动与电池保护应用[2026-06-12]

    绿色出行、机器人、人工智能等大趋势，对功率系统的负载电流可靠处理能力提出了愈发严苛的要求。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS 8 100V功率MOSFET技术，针对电机...

  • Wolfspeed 发布新一代技术，推出业界最低导通电阻的碳化硅 MOSFET[2026-06-11]

    Wolfspeed 第五代 (Gen 5) 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术在比导通电阻方面实现重大突破，相较目前市面同类 1200 V 竞品方案，效率最高可提升27%　　该项技术彰显 Wolfspeed 深耕碳化硅 (SiC) 功率器件、赋能实现真正耐久系统的坚定承诺　　 依托 Wolfspeed 已完成...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

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    MOSFET

MOSFET技术资料

  • 解析 Poly 于 MOSFET 结构的关键作用与意义[2026-07-16]

    MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）作为现代集成电路的核心单元，其结构设计的每一个环节都直接决定着器件的性能、功耗与集成度。在 MOSFET 的漫长发展历程中，poly（多晶硅）材料凭借其独特的物理与电学特性，成为了结构中的关键核心材料，广泛应...

  • 栅极驱动设计：让MOSFET[2026-06-17]

    近日，行业聚焦于汽车电子领域中 MOSFET 的栅极驱动设计。若将 MOSFET 比作汽车功率驱动的 “肌肉”，那么栅极驱动电路就是控制这块 “肌肉” 的 “神经信号”，其设计直接影响 MOSFET 的开关速度、开关损耗和 EMI 表现。　　栅极驱动的本质是给 MOSFET 的容...

  • 硅基 MOSFET 的 UIS 失效[2026-06-09]

    在电力电子拓扑领域，各类感性负载如电机绕组、变压器漏感、继电器线圈等十分常见。当硅基 MOSFET 高速关断时，若这些感性负载产生的反电动势无法及时释放，就会迫使 MOSFET 进入雪崩击穿状态，这种工况被称为 UIS（Unclamped Inductive Switching，非钳位感...

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    在功率半导体器件 MOSFET 中，栅氧化层是位于栅极与半导体芯片之间的关键绝缘层，其核心材质多为二氧化硅（SiO），堪称器件的 “电力控制阀门”。它一方面承担着电绝缘的重任，隔离栅极与沟道的电信号，防止电流泄漏；另一方面让外部栅电压精准调控沟道的导电...

  • MOSFET 源极与 Bulk 衬底短接的必要性[2026-05-20]

    在电子电路的广阔领域中，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）无疑是一颗璀璨的明星，被广泛应用于开关电源、驱动电路、功率控制电路等众多场景。熟悉硬件电路与半导体器件的专业人士都清楚，MOSFET 本质上是一种四端器件，它包含栅极（G）、漏极（...

黄金展位供应商

  • 电话：13928786606
    苏州固锝电子股份有限公司
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