IRF1010EZSTRL
INFINEON(英飞凌)
TO-263
无铅环保型
直插式
单件包装
大功率
Infineon供应IRF1010EZSTRL半导体分立半导体晶体管MOSFET原厂原装芯片规格: Infineon供应IRF1010EZSTRL半导体分立半导体晶体管MOSFET原厂原装芯片的特征: 先进的工...
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BSB280N15NZ3
INFINEON(英飞凌)
WDSON-2-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
----- 致力于中小微客户提供全方位的现货供应链服务:请在线QQ联系或拨打电话联系下单快2小时发货 ,20000+型号,9000万+常备现...
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IRFB4020PBF
INFINEON(英飞凌)
TO-220
无铅环保型
直插式
单件包装
大功率
深圳市奥利腾科技有限公司业务部专营各国品牌集成电路,IC,晶振。并具有着丰富的电子行业经验,在激烈的市场竞争中,以其独特的经营方式,优质的服务,逐渐闯出了一套属于自己的行业...
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BS107ARL1G
ON(安森美)
TO-92
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
安森美BS107ARL1G 场效应管 安森美BS107ARL1G场效应管相关资料: ds-漏源极击穿电压: 200V Id-连续漏极电流:250 mA Rds On-漏源导通电阻:6.4 Ohms 工作温度:+150C 场效应管:场效应晶...
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IPA70R360P7S
INFINEON(英飞凌)
TO-220
无铅环保型
直插式
盒子管装
原装现货长期滚动式备货库存13714450367 NRF52832-QFAA-R NRF52833-QDAA-R NRF52810-QFAA-R ADR01AKSZ-REEL7 LT1964ES5-5#TRMPBF BTS3035EJ TLE4296-2GV50 TLE6250GV33 TLS810B1EJ V3...
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FAIRCHILD/仙童
BS170
绝缘栅(MOSFET)
MOSFET N 通道,金属氧化物
增强型
CC/恒流
N-FET硅N沟道
1
深圳市波光电子有限公司,起源于1985年,正式成立于2002年,是一家国际品牌半导体代理分销公司,主要服务于中小型电子制造企业。我可提供一系列的元器件服务,包括现货供应,期货订货...
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KU310N10D-RTF/H
KEC
DPAK(1)
普通型
贴片式
卷带编带包装
中功率
KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A 芯片技术参数: 品牌: KEC 型号:KU310N10D-RTF/H 封装:DPAK(1) 包装数:3000片/包 连续漏极电流(Id)(25°C 时):27A(Tc) 漏源...
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SI2305
CJ/长电
SOT23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
SI2305 -20V P沟道增强型MOSFET特征SI2305先进的沟槽工艺技术超低导通电阻的高密度电池设计包装尺寸SOT23VDS=-20VRDS(ON),Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A ?笔记SI2305脉冲宽度受zui高结温限...
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2N7002ET1G
ON(安森美)
SOT23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
100000
类型 描述 类别 集成电路(IC) 场效应管 制造商 ON 系列 包装 卷带 输出配置 正 输出类型 可调式 稳压器数 ...
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IRF3007S
国际品牌
SMD/DIP
无铅环保型
SMD/DIP
单件包装
大功率
IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S 深圳市现代芯城互联网科技有限公司,是国际知名的电子元件混合型分销商,公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处...
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IPD90P04P4L-04
INFINEON/英飞凌
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
进口原装
标题产品描述:IPD90P04P4L-04 晶体管 MOSFET Infineon MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2产品属性 属性值 选择属性制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: ...
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50P06D
XBLW/芯伯乐
TO-252
普通型
贴片式
卷带编带包装
大功率
XBLW/芯伯乐 国产品牌50P06D深圳市博伟奇电子有限公司是一家专注于集成电路产品代理分销,致力于为客户提供灵活、高效、可靠的芯片服务。公司总部设在中国深圳,由一批具有海内外企业...
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AM2329P-T1-PF
ANALOGPOW
SOT-23
无铅环保型
贴片式
编带
产品描述: MOSFET场效应管AM2329P-T1-PF / 原装现货新年份品牌ANALOGPOW厂家型AM2329P-T1-PF封装形式SOT-23内部结构:SINGLE WITH BUILT-IN DIODEFET 类型:P-CHANNEL商品目录 MOSFE...
电话:18141144397
手机:18141144397
IPDH4N03LA-G
INFINEON(英飞凌)
SMD
普通型
直插式
卷带编带包装
大功率
IPDH4N03LA-G 晶体管 Infineon 产品属性 IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-...
电话:0755-82542579
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AP1A003GMT
APEC/富鼎
QFN5x6
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
深圳市汇莱威科技有限公司是国内首批斥巨资开发的电子元器件小批量采购电商之一。2017年拿到众山海润资产管理首轮天使投资,自营品牌:TI、ADI、XILINX、ALTERA/Intel汇聚中小企业殷...
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SI4116DY-T1-GE3
VISHAY/威世
SOP-8
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
中功率
N
SI4116DY-T1-GE3 SI4116DY-T1-GE3特征 功率MOSFET 100%Rg和UIS测试 ?材料分类: 有关合规性的定义,请参见 应用 ?同步降压 -低压侧 LMC7211BIM5/NOPB LMP7704MT/NOPB LMR14020QDPRTQ1...
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WPM2026-3/TR
SReleics芯瑞
SOT-23
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
The WPM2026 is P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench<div class="...
电话:0755-82531233
手机:13544236333
DN2540N8-G
Microchip
MOSFET 400V 25Ohm
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
DN2540N8-G N沟道MOS场效应管产品属性属性值选择属性制造商:Microchip产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-89-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 Ch...
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KIA18N50H
KIA
TO-220F
无铅环保型
直插式
管装
深圳市信泰瑞达科技有限公司是KIA半导体总代理商: 主经营场效应管(MOS管),广泛应用于移动数码、开关电源、充电器、电源适配器、LCD液晶电视、HID安定器、UPS、电动车、逆变器、电子...
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SI2301CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23(SOT-23-3)
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
深圳市芯巴巴科技有限公司是一家极具实力的集成电路代理分销商,分销:ST、TI、ON、ADI、NXP、MPS、ATMEL、MICROCHIP等品牌集成电路。广泛涵盖通信、家电、汽车、计算机、工业自动化...
电话:075582711229
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Nexperia 已将更多单、双小信号 MOSFET 放入 DFN1110D-3(SOT8015)和 DFN1412-6(SOT1268)封装中,并配备侧面可润湿侧面,可用于自动光学检查。 该公司表示:“1.1 x 1mm DFN1110D-3 封装已得到越来越广泛的采用,并迅速成为汽车应用小信号 MOSFET 和双...
英飞凌已宣布推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET。 英飞凌 TO220 StrongIRFET 2 场效应晶体管 它们是 StrongIRfet 2 系列的一部分,其资质不如其工业级 Optimos 设备。 该公司表示:“新型功率场效应晶体管旨在满足大众市场应用的需求——开关电...
半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前,3种封装10种型号的新产品...
Nexperia今日宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化,可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种...
日前,搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起,这款功率模块经由罗姆和...
氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...