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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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N沟道30V（D-S）功率MOSFET
N沟道30V（D-S）功率MOSFET
  • 型号/规格：

    GMN1003LM

  • 品牌/商标：

    固锝GOOD-ARK

  • 封装形式：

    PDFN5060

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

N沟道30V（D-S）功率MOSFET型号：GMN1003LM品牌：GOOD-ARK封装：PDFN5060100%雪崩测试极低损耗，FOM Rdson*Qg低无卤素、无铅符合RoHS标准应用：直流电机、灯具电源切换jue对zui大额定...

SI2305 P沟道增强型MOSFET
SI2305 P沟道增强型MOSFET
  • 型号/规格：

    SI2305

  • 品牌/商标：

    CJ/长电

  • 封装形式：

    SOT23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

SI2305 -20V P沟道增强型MOSFET特征SI2305先进的沟槽工艺技术超低导通电阻的高密度电池设计包装尺寸SOT23VDS=-20VRDS（ON），Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A ?笔记SI2305脉冲宽度受zui高结温限...

场效应管IRF3007S 全新现货
场效应管IRF3007S 全新现货
  • 型号/规格：

    IRF3007S

  • 品牌/商标：

    国际品牌

  • 封装形式：

    SMD/DIP

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    SMD/DIP

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S 深圳市现代芯城互联网科技有限公司，是国际知名的电子元件混合型分销商，公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处...

IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3
IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3
  • 型号/规格：

    IPDH4N03LA-G

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    SMD

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

IPDH4N03LA-G 晶体管 Infineon 产品属性 IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-...

NTR4003NT1G场效应管MOSFET
NTR4003NT1G场效应管MOSFET
  • 型号/规格：

    NTR4003NT1G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    SOT23-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

深圳市博睿海科技电子有限公司 主营 TI（德州仪器）、ADI（亚德诺）、MAXIM（美信）、ON（安森美）、ARTERY雅特力、INFINEON（英飞凌)、NXP(恩智浦)、VISHAY（威世）、DIODES（美台）...

射频MOSFETs,BLC9G27LS-151AV
射频MOSFETs,BLC9G27LS-151AV
  • 型号/规格：

    BLC9G27LS-151AV

  • 品牌/商标：

    AMPLEON

  • 封装形式：

    SOT-1275-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    托盘

  • 功率特征：

    大功率

  • 起订量：

    1

BLC9G27LS-151AV：特性和优势专为宽带应用设计（1805 MHz至2025 MHz）采用去耦引脚，提高视频带宽性能出色的耐用性高效很好的热稳定性内部匹配，便于使用高功率增益集成ESD保护符合欧...

TK100E10N1
TK100E10N1
  • 型号/规格：

    TK100E10N1

  • 品牌/商标：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 封装形式：

    TO-220-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管件

  • 功率特征：

    小功率

产品属性类型描述类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSVIII-H 包装 管件 产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOS...

IRF640NSTRLPBF 自有库存 原装现货
IRF640NSTRLPBF 自有库存 原装现货
  • 型号/规格：

    英飞凌InfineonIRF640NSTRLPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    D2PAK

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

<div class="content clearfix" style="margin: 0px; padding: 0px; border: 0px; outline: 0px; font-size: 12px; font...

NTB18N06LT4G TO263全新原装长期
NTB18N06LT4G TO263全新原装长期
  • 型号/规格：

    NTB18N06LT4G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TO263

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25&#176;C 时） 15A（Tc） 驱动电压（ Rds On， Rds On） 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds O...

诚信 全新MOS管IXFN80N50Q2型号齐全 欢迎选购
诚信 全新MOS管IXFN80N50Q2型号齐全 欢迎选购
  • 型号/规格：

    IXFN80N50Q2

  • 品牌/商标：

    IXYS/艾赛斯

  • 封装形式：

    树脂封装

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    大功率

IXFN24N100 IXFN34N100 IXFN36N100 IXFN73N30Q IXFN48N50Q IXFN27N80Q IXFN21N100Q IXFN66N50Q2 IXFN80N50Q2 IXFN70N60Q2 IXFN38N80Q2 IXFN50N80Q2 IXFN38N100Q2 MCC94-22io1B MCC94-...

AOTF4S60采购 AOTF4S60商
AOTF4S60采购 AOTF4S60商
  • 型号/规格：

    AOTF4S60

  • 品牌/商标：

    NA

  • 封装形式：

    SOP8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

AOTF4S60 一手货源 进口原装现货长期供应！ 深圳市现代芯城互联网科技有限公司，是国际的电子元件混合型分销商，公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处，专注于...

鹏领现货场效应管FDN338P
鹏领现货场效应管FDN338P
  • 型号/规格：

    FDN338P

  • 品牌/商标：

    鹏领

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

请新老顾客下单前先咨询客服。 封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216） 1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）FDN338P 电压：4V 6.3V 10V 16V 2...

N沟道增强型功率MOSFET
N沟道增强型功率MOSFET
  • 型号/规格：

    AP1A003GMT

  • 品牌/商标：

    APEC/富鼎

  • 封装形式：

    QFN5x6

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

深圳市汇莱威科技有限公司是国内首批斥巨资开发的电子元器件小批量采购电商之一。2017年拿到众山海润资产管理首轮天使投资，自营品牌：TI、ADI、XILINX、ALTERA/Intel汇聚中小企业殷...

贴片MOS场效应管MMBT7002K
贴片MOS场效应管MMBT7002K
  • 型号/规格：

    MMBT7002K

  • 品牌/商标：

    ST

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

深圳市明昇电子有限公司 本公司秉承“以质为本，以诚取信”为宗旨，深得广大客户、厂商的信赖。 主营：先科ST 全系列二三极管 SOD-123 SOD-323 SOD-523 SOT-23 LL-34 LL-41 DO-35 DO-...

IPW60R037CSFD进口原装现货
IPW60R037CSFD进口原装现货
  • 型号/规格：

    IPW60R037CSFD

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

  • 产品种类：

    MOSFET

IPW60R037CSFD代理进口原装现货 IPW60R037CSFD代理进口原装现货，尽在-宇集芯电子 IPW60R037CSFDCoolMOS超结MOSFET是一款优化的器件，专门针对非车载电动汽车充电市场而设计。由于低...

BSO204P 场效应管MOSFET P-KANAL
BSO204P 场效应管MOSFET P-KANAL
  • 型号/规格：

    BSO204P

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    SOIC-8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

芯片详情：型号：BSO204P类型：场效应管MOSFET P-KANAL深圳市腾桩电子有限公司为电子元器件供应服务商，致力于芯片代理、推广、销售及方案，产品应用于温控、电力系统自动化产品、交...

IRFBC40LC 场效应管MOSFET
IRFBC40LC 场效应管MOSFET
  • 型号/规格：

    IRFBC40LC

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-220-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

芯片详情：型号：IRFBC40LC类型：场效应管MOSFET深圳市腾桩电子有限公司为电子元器件供应服务商，致力于芯片代理、推广、销售及方案，产品应用于温控、电力系统自动化产品、交换机、...

IPP075N15N3G进口原装现货
IPP075N15N3G进口原装现货
  • 型号/规格：

    IPP075N15N3G

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-220-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

  • 产品种类：

    MOSFET

IPP075N15N3G代理进口原装、大量现货库存假一罚十价格合理 IPP075N15N3G IPP075N15N3G MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 ...

ON晶体管NTR4101PT1G
ON晶体管NTR4101PT1G
  • 型号/规格：

    NTR4101PT1G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    DFN

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

深圳市星源微科技有限公司，成立于2008年10月，主营电子元器件领域国内外贸易和为客户提供剩余库存解决方案、批量采购。 只做原装，百分百自家现货，严格的品质管理、优异的技术支持...

MOSFET FDP8874
MOSFET FDP8874
  • 型号/规格：

    FDP8874

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TO-220-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

芯片详情：产品属性 属性值 选择属性制造商: onsemi 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 C...

MOSFET行业资讯

  • Toshiba-东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET[2025-05-29]

    －四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度－　　东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET...

  • Infineon - 英飞凌OptiMOS6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准[2025-05-28]

    随着图形处理器（GPU）的性能日益强大，对板级电源的要求也越来越高。中间总线转换器（IBC）可将48 V输入电压转换为较低的总线电压，这对于AI数据中心的能效、功率密度和散热性能愈发重要。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布，其采...

  • 东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET[2025-05-21]

    东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏...

  • ROHM推出实现超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用[2025-05-19]

    全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐压共源Nch MOSFET*1新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻*2低至2.0mΩ（Typ.），达到业界先进水平。　　新产品采用ROHM自有结构，不仅提高器件集成度，还降低单位芯片...

  • ROHM-内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯模块 被SMA的太阳能系统采用[2025-05-19]

    全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG（以下简称“SMA”）在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模太阳能发电设施、储能...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • SiC MOSFET 模块并联的动态均流难题及对策[2025-05-30]

    在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联使用时，能够进一步提高系统的功率容量和性能。然而，受器件参数、寄生参数等诸多因素...

  • IGBT与MOSFET的区别[2025-05-19]

    IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）都是现代电力电子中的核心开关器件，但它们在结构、特性和应用场景上有显著差异。以下是两者的详细对比： 1. 基本结构与工作原理特性IGBTMOSFET结构MOSFET + 双极型晶体管（BJT）组合...

  • 增强型和耗尽型MOSFET之间的区别是什么?[2025-04-29]

    增强型（Enhancement-mode）和耗尽型（Depletion-mode）MOSFET是金属氧化物半导体场效应管的两种基本工作模式，它们在导通特性、阈值电压和应用场景上存在本质区别。以下是详细对比分析： 1. 阈值电压（VGS(th)VGS(th)）与导通机制特性增强型MOSFET耗尽型M...

  • 为什么电力电子系统中使用低压MOSFET？[2025-02-19]

    低压技术　　与N通道MOSFET相比，P通道MOSFET代表相对较小的份额，低压的主流技术是沟槽门。这项技术的开发是为了克服早期平面结构的局限性，以提供较低的抵抗力和较低的损失。这些MOSFET通过插入沟槽区域的栅极结构彻底蚀刻的栅极结构实现，这可以使抗性改善...

  • 低压电源MOSFET设计[2025-02-10]

    低压功率MOSFET设计用于以排水源电压运行，通常低于100 V，但具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效效率和处理高电流的应用，即使电源电压很低。关键功能包括以下内容：　　低抗性（RDS（ON））以减少传导过程中的功率损失，从而提高能源效率。当设...

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