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功率MOS场效应管

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源头工厂
  • 型号/规格:

    50P03

  • 品牌/商标:

    JXVSEMI

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 型号/规格:

    TFP290N08

  • 品牌/商标:

    TFP

  • 封装形式:

    TO-247

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 型号/规格:

    MEM1N65

  • 品牌/商标:

    Microne/微盟

  • 封装形式:

    TO-92

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    IRL3803S

  • 品牌/商标:

    IOR

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 封装:

    TO263

  • 品牌/商标:

    ISI英国英特锡尔

  • 型号/规格:

    HUF75344P3

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    新洁能

  • 型号/规格:

    NCE7580

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 品牌:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号:

    FQP*20

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    NF/音频(低频)

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 品牌:

    IR/国际整流器

  • 型号:

    IRFP260N

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    HEMT高电子迁移率

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    IRFP32N50

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 陈德民

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:754-84475714

  • 品牌:

    TOREX

  • 型号:

    XP151A01C3MR

品牌/商标TOREX型号/规格XP151A01C3MR种类结型(JFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途L/功率放大封装外形CHIP/小型片状材料GE-N-FET锗N沟道开启电压220(V) 夹断电压180(V) 低频跨导12(μS) *间电容3...

    品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP260N 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 HEMT高电子迁移率 开启电压 -(V) 夹断电压 -(V) 跨导 ...

      品牌:BGS型号:大电流大功率MOS场效应管种类:*缘栅(MOSFET)沟道类型:P沟道导电方式:增强型用途:V-FET/V型槽MOS封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:2-4(V) 夹断电压:100-680(V) 跨导...

      • 封装外形:

        P-DIT/塑料双列直插

      • 型号/规格:

        TK15A60U

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

      • 用途:

        MOS-TPBM/三相桥

      • 品牌/商标:

        TOSHIBA/东芝

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 导电方式:

        增强型

      • 品牌/商标:

        TOREX/特瑞仕

      • 型号/规格:

        XP152A12COMR

      • 产品类型:

        阻尼管

      • 结构:

        平面型

      • 材料:

        硅(Si)

      • 封装形式:

        贴片型

      • 封装材料:

        塑料封装

      • 功率特性:

        *率

      • 赵瑞霞

      • 供应商等级: 免费会员
      • 企业类型:经销商
      • 地区:广东深圳
      • 电话:0755-29021052

      功率MOS场效应管技术资料

      • 功率MOS场效应管

        表列出了一些小功率MOS场效应管的主要特性参数。  一些小功率场效应管主要特性参数

      电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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