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MOSFET

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河北
源头工厂
  • 是否提供加工定制:

  • 品牌/商标:

    xinyuan

  • 型号/规格:

    k2098

  • 种类:

    功放配件

  • 材质:

    juzhi

  • 规格尺寸:

    1*2(mm)

  • 声道数:

    双声道(立体声)

我公司以过硬的产品质量,优良的性价比,完善的售后服务,在市场中异军突起。以质量求发展,服务赢客户,的经营理念,优异的产品质量,完善的服务迎接新老客户。D-1电子倒车报警器(...

  • 赵根旺
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产加工
  • 地区:河北廊坊
  • 电话:0316-5884100

  • 品牌/商标:

    VISHAY/HJX

  • 型号/规格:

    SI2301/02/03/05/06

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    SENSEFET电流敏感

  • 开启电压:

    1(V)

产品有全系列贴片(SMD)、直插(DIP),二、三*管、三端稳压管、达林顿管、场效应管、稳压电路、稳压二*管、开关晶体管、可控硅、肖特基、光耦、IC集成电路,其产品广泛用于开关电源...

  • 许庆生
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:河北邢台
  • 电话:319-8349056

    手机:13931949329

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称全氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
  • MOSFET

MOSFET技术资料

  • SiC MOSFET 利用快速关断方法实现短路保护[2024-12-19]

    短路原点  电源转换系统中的 SC 事件可能由多种原因引起,包括电缆操作、负载故障、绝缘材料老化、组件故障和设计错误。电源应用可以包括不同的保护机制以提高其可靠性。  负载引起的高电感 SC 事件通常通过软件中编程的电流限制和阈值电压进行管理。另一...

  • 关于模拟布局中的堆叠 MOSFET[2024-12-11]

    这些串联器件通常称为堆叠式 MOSFET 或堆叠式器件。例如,将三个 1 um MOSFET 串联起来,可以产生一个通道长度为 3 um 的有效器件(图 1)。  关于模拟布局中的堆叠式 MOSFET 的所有信息  图 1三个 MOSFET 串联堆叠,提供 3 um 的通道长度。来源:Pulsic...

  • 模拟布局:为什么孔、抽头和保护环至关重要[2024-12-10]

    这些结构由原理图隐含,但没有详细指定。这方面的主要示例是井、水龙头和保护环。这些结构对于任何 MOSFET 电路的工作都是必不可少的。  这就是为什么了解基板在 MOSFET 电路中的作用对于创建有效的模拟设计至关重要的原因。为此,有必要首先了解 MOSFET 晶...

  • SiC MOSFET的栅极应力测试[2024-08-06]

    氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...

  • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

    “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。  如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...

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