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场效应MOS管

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    AUIRFS4310Z

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-263

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    超大功率

  • 包装:

    800

  • 型号/规格:

    7N65L-TF1-T

  • 品牌/商标:

    UTC

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 品牌:

    UTC

  • 年份:

    18+

  • 型号/规格:

    MMF60R360PTH

  • 品牌/商标:

    MAGNACHIP

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号:

    2N7002K-7-F

  • 封装:

    SOT23

  • 品牌:

    DIODES

  • 年份:

    16+

  • 型号/规格:

    NCE65T360I

  • 品牌/商标:

    NCE新洁能

  • 封装形式:

    SOP-8 top view

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 品牌:

    弘晟达

  • 型号:

    3401-A19T

  • 封装:

    SOT-23

  • 批号:

    18+

  • FET类型:

    /

  • 漏源电压(Vdss):

    /

  • 漏极电流(Id):

    /

  • 漏源导通电阻(RDS On):

    /

  • 型号/规格:

    IRF740PBF

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    塑料双列直插

  • 功率特性:

    大功率

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 型号/规格:

    STF22NM60N

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 品牌:

    GOFORD

  • 型号:

    G80N06

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 型号/规格:

    AON7403

  • 品牌/商标:

    AOS

  • 封装形式:

    DFN3x3-8L

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

  • 品牌:

    AOS

  • 型号:

    AOTF404

  • 封装:

    TO220

  • 库存:

    65600

  • 单价:

    请来电

  • 型号/规格:

    SVF12N60F

  • 品牌/商标:

    士兰微

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    大功率

  • 系列:

    2

  • 品牌:

    FM/富满电子

  • 型号:

    8205

  • 类型:

    其他IC

  • 功率:

    精准

  • 用途:

    N沟道增强型双MOS管

  • 封装:

    SOT23-6 提供样品测试

  • 批号:

    2019+

  • 型号/规格:

    AON6426

  • 品牌/商标:

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

  • 封装形式:

    DFN5X6

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

  • FET 类型:

    N 沟道

  • 品牌:

    other

  • 型号:

    FQPF12N60C

  • 封装:

    TO-220F

  • 批号:

    2019+

  • FET类型:

    标准

  • 漏源电压(Vdss):

    标准

  • 漏极电流(Id):

    标准

  • 漏源导通电阻(RDS On):

    标准

  • 系列:

    ST

  • 品牌:

    ST

  • 型号:

    STW28N60M2

  • 类型:

    射频IC

  • 功率:

    3V

  • 用途:

    音频

  • 封装:

    76

  • 特色服务:

    支持线下交易

  • 型号/规格:

    STF13N60M2

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 环保类别:

    普通型

  • 封装:

    TO-220F

  • 说明:

    原装现货 市场价

  • 型号/规格:

    2SK2225

  • 品牌/商标:

    RENESAS

  • 封装形式:

    TO-3P

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    大功率

  • 品牌:

    全新

  • 型号:

    AP10N10

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    AM/调幅

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 型号/规格:

    FQPF8N60C

  • 品牌/商标:

    FSC

  • 封装:

    TO-220F

  • 批号:

    19+

  • 产品种类:

    塑封 场效应MOS管

场效应MOS管技术资料

  • 载流子寿命控制技术加快ST新型场效应MOS管的速度

    意法半导体日前推出一款0N沟道场效应MOS晶体管——STx9NK60ZD,可用于高强度放电灯、高端镇流器和采用零压和零流开关技术的开关电源。STx9NK60ZD率先采用SuperFREDMesh新型高压工艺,由于这项先进技术在ST原有的基本高压系列

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