这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案　　日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120，其...

新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。　　伊利诺伊州罗斯蒙特，Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推...

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出全新封装的CoolSiC MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供Q-DPAK、D2PAK等多种封装，产品组合覆盖在25°C...

三菱电机集团于今日（2026年1月14日）宣布，将于1月21日开始提供4款全新沟槽型1 SiC-MOSFET裸芯片（未封装在封装材料中的芯片），该芯片专为电动汽车（EV）主驱逆变器2，车载充电器3以及太阳能发电系统等可再生能源的功率系统等中的功率器件而设计。这些新型...

CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与低通态电阻等优势，同时有助于优化系统成本。该系列400V与440V碳化硅MOSFET可在两电平和三电平的硬开关与软开关拓扑中，提供卓越的功率密度和系统效率，主要面向人工智能服务器电源、开关电...

MOSFET自1960年由贝尔实验室发明以来，最初采用金属外壳的TO（Transistor Outline）封装，如TO-3和TO-92。这类封装以铜或铁镍合金为引线框架，通过环氧树脂密封，具备机械强度高、散热性能稳定的特点，能够耐受超过50G的机械冲击。MOSFET封装。　　一、早期金...

功率 MOSFET 恐怕是工程师们最常用的器件之一了。然而，关于 MOSFET 的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选 N 型还是 P 型、封装类型，大到 MOSFET 的耐压、导通电阻等。不同的应用需求千变万化，下面将详细总结 MOSFET 器件选型的三大核心法则，相信看完会...

在现代电子电路设计领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）凭借其卓越的性能和广泛的应用，成为了不可或缺的关键器件。然而，MOSFET 中的噪声问题却对电路的性能和稳定性产生着重要影响，尤其在无线通信等对噪声要求极为严格的领域。因此，深入...

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件取决于其类型（N沟道或P沟道）和工作模式（增强型或耗尽型）。以下是详细分析：1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET（NMOS）增强型（常闭型）：栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth（正电压）。漏源电压 VDSVD...

在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动汽车（EV）的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者，电动汽车必须具备足够的续航里程，支持快速充电，同时还要保证价格经济实惠。在这一变革进程中，...