IR/国际整流器
IRFP150N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
AM/调幅
P-DIT/塑料双列直插
ALGaAS铝镓砷
型号繁多,无法一一上传实物图片,请谅解,若有需要可向本公司要求提供图片,如搜索不到的型号可通过旺旺询问或联系哦。 电子行业价格变动快,请下单前先咨询当天的价格以免出现不愉...
手机:13871050908
MCC(美微科)
SI3404
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SMD(SO)/表面封装
MOSFET
Features• High dense cell design for extremely low RDS(ON)• Rugged and reliable• Lead free product is acquired• SOT-23...
电话:18986251187
手机:18986251187
FJD日本富士电机
7*P150RA120
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
IGBT*缘栅比*
公司简介武汉新瑞科电气技术有限公司成立于1996年,位于武汉市东湖开发区内,是集科、工、贸为一体的高新技术企业,本公司致力于功率半导体及军民用控制IC的销售与应用开发。在销售与...
电话:027-87166570
普通
IGBT*缘栅比*
二*
*缘栅(MOSFET)
FF200R12KS4
INFINEON/英飞凌
MOS-HBM/半桥组件
N沟道
英飞凌KS4系列IGBT模块*武汉科琪电子有限公司代理功率半导体产品及配套器件,是功率半导体行业知名企业之一。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精*及良好的商业信誉,在电力电子行...
电话:027-87267972
IRFP460PBF
IR
TO-247
无铅*型
直插式
单件包装
大功率
TO-220封装、TO-247封装,用于放大、电子开关、阻*变换、可调电阻、恒流源。
电话:027-87267971
手机:13907155687
ST/意法
STP75NF75
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-ARR/陈列组件
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
[产品说明] 本产品为全新原装进口无铅现货,价格以当天报价为准◆◆◆◆◆◆价格以当天报价为准◆◆◆◆◆◆ 捷保(香港)有限公司是我国的电子元器件供应商之一,主要进行电子公司电子...
电话:027-85722807
手机:13871094320
品牌:Infineon英飞凌 型号:IPW60R045CP 应用范围:功率功率MOSFET,600V,TO-247,IPW60R045CP,infineon*原装制造商: INFINEON 制造商编号: IPW60R045CPRoHS协从产品:是描述晶体管类型:Power MOSFET晶体管*性:N Channel电压, Vds 典型值:650V电流, Id 连续:60A开态电阻, Rds(on):0.045ohm电压 Vgs @ Rds on 测量:10V阈值电压, V...
电话:27-88866685
IR美国国际整流器公司
IRLML6302TR
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRLML6302TR 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 IGBT*缘栅比* 开启电压 --(V) 夹断电压 --(V) 跨导 --(μS) *间电容 --(pF) 低频噪声系数 --(dB) 漏*电流 --(mA) 耗散功率 --(m...
电话:027-87865582
IXFN48N50
IXYS
塑料封装
无铅*型
直插
散装
大功率
场效应管系列: IRFBC20 IRFBC30 IRFB*0 IRF530 IRF540 IRF630 IRF640 IRF650 IRF710 IRF720 IRF730 IRF740 IRF820 IRF830 IRF840 IRFZ20 IRFZ24 IRFZ30 IRFZ34 IRFZ40 IRFZ44 IRFZ46 ...
电话:027-51854223
氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...