SI9948AEY
VISHAY
SO8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
SI9948AEY
VISHAY
制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: N 技术: Si 商标名: TrenchFET 系列: SI9 商标: Vishay / Siliconix 产品类型: ...
电话:029-87546875
手机:13289230882
2N6660
vishay
金属封装
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
超大功率
vishay威世MosFET场效晶体管 2N6660 2N6660-E3 2N6660-2 2N6660JTX02 2N6661 2N6661-E3 2N6661-2 2N6661JTXEA MEA DG409AK-E3 2N6660JANTX 2N6660JANTXV vishay威世CMOS模拟开关 9073...
电话:029-88252591-803
手机:13629208773
广腾
GT-KDW127
过压保护额定值: ≤13V(mm)
充电电流: ≤400mA(Kg)
场效应晶体管漏*输出电路等技术并具有快速关断、过压、过流、短路、电平过充、过放电等保护措施。该机具有
环境温度:-5℃~+40℃
名称:陕西广腾电子科技有限公司: 卓先生手机: :(转)805传真: : Q Q:3地址:陕西省西安市含光南路232号公司网址:http://sxgt.cn/ 矿用隔爆兼本安型电源采用集电路控制,场效应...
电话:81 029 84506813
手机:13259916003
DO
П217А
俄罗斯*
硅(Si)
95
功率
我公司主要经营俄罗斯、乌克兰、欧美及国产*电子元器件; 经销产品系列具体如下: 二*管、三*管、电阻、电容、继电器、连接器、集成电路、电源模块、 接触器、电子管、可控硅、晶体管...
手机:15809253089
FU
1*H60D-100
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
1.厂价提供恒流管:2DH1,2DH2,2DH3,2DH4,2DH5,2DH6,2DH7,2DH8,2DH9,2DH10,2DH11,2DH12,2DH13,2DH15,2DH16,2DH17,2DH18,2DH19,2DH20,2DH21,2DH22,2DH23,2DH30,...
电话:86 029 85361257
手机:13572063766
否
国产
FHD100E
达林顿
硅(Si)
NPN型
10(A)
100(W)
特点:该产品采用三重扩散台面结构,具有输出电流大,驱动功率小,放大倍数,反压高等优点。使用范围:该产品可广泛应用于电流输出,电压调整及数控机床的词服电路。适用温度范围:-5...
电话:029-87650236
4DO2
MOS
其它
普通型
用于电视机、调频调幅收音机及各种接受机高频电路。 质量等级可分为:*、工业级、民品等 封装形式:TO-18-4 产品*原装,现货供应,在价格方面相当具有优势。另外,对于本公司出售的产...
电话:029-84037322
手机:13572429004
Nexperia 已将更多单、双小信号 MOSFET 放入 DFN1110D-3(SOT8015)和 DFN1412-6(SOT1268)封装中,并配备侧面可润湿侧面,可用于自动光学检查。 该公司表示:“1.1 x 1mm DFN1110D-3 封装已得到越来越广泛的采用,并迅速成为汽车应用小信号 MOSFET 和双...
英飞凌已宣布推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET。 英飞凌 TO220 StrongIRFET 2 场效应晶体管 它们是 StrongIRfet 2 系列的一部分,其资质不如其工业级 Optimos 设备。 该公司表示:“新型功率场效应晶体管旨在满足大众市场应用的需求——开关电...
半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前,3种封装10种型号的新产品...
Nexperia今日宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化,可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种...
日前,搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起,这款功率模块经由罗姆和...
氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...