SI9948AEY
VISHAY
SO8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
SI9948AEY
VISHAY
制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: N 技术: Si 商标名: TrenchFET 系列: SI9 商标: Vishay / Siliconix 产品类型: ...
电话：029-87546875
手机：13289230882
2N6660
vishay
金属封装
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
超大功率
vishay威世MosFET场效晶体管 2N6660 2N6660-E3 2N6660-2 2N6660JTX02 2N6661 2N6661-E3 2N6661-2 2N6661JTXEA MEA DG409AK-E3 2N6660JANTX 2N6660JANTXV vishay威世CMOS模拟开关 9073...
电话：029-88252591-803
手机：13629208773
广腾
GT-KDW127
过压保护额定值: ≤13V（mm）
充电电流: ≤400mA（Kg）
场效应晶体管漏*输出电路等技术并具有快速关断、过压、过流、短路、电平过充、过放电等保护措施。该机具有
环境温度：-5℃～+40℃
名称：陕西广腾电子科技有限公司： 卓先生手机： ：（转）805传真： ： Q Q:3地址：陕西省西安市含光南路232号公司网址：http://sxgt.cn/ 矿用隔爆兼本安型电源采用集电路控制,场效应...
电话：81 029 84506813
手机：13259916003
DO
П217А
俄罗斯*
硅(Si)
95
功率
我公司主要经营俄罗斯、乌克兰、欧美及国产*电子元器件； 经销产品系列具体如下： 二*管、三*管、电阻、电容、继电器、连接器、集成电路、电源模块、 接触器、电子管、可控硅、晶体管...
手机：15809253089
FU
1*H60D-100
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
1.厂价提供恒流管：2DH1，2DH2，2DH3，2DH4，2DH5，2DH6，2DH7，2DH8，2DH9，2DH10，2DH11，2DH12，2DH13，2DH15，2DH16，2DH17，2DH18，2DH19，2DH20，2DH21，2DH22，2DH23，2DH30，...
电话：86 029 85361257
手机：13572063766
否
国产
FHD100E
达林顿
硅(Si)
NPN型
10（A）
100（W）
特点：该产品采用三重扩散台面结构，具有输出电流大，驱动功率小，放大倍数，反压高等优点。使用范围：该产品可广泛应用于电流输出，电压调整及数控机床的词服电路。适用温度范围：-5...
电话：029-87650236
4DO2
MOS
其它
普通型
用于电视机、调频调幅收音机及各种接受机高频电路。 质量等级可分为：*、工业级、民品等 封装形式：TO-18-4 产品*原装，现货供应，在价格方面相当具有优势。另外，对于本公司出售的产...
电话：029-84037322
手机：13572429004
STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。 这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关性能，...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品非常适合即...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合...
New Yorker Electronics 的目标是通过在 Vishay 的单个 3.3 x 3.3mm 封装中存储一对对称 80V n 沟道 MOSFET 来取代 PowerPAK 1212 封装 MOSFET。 Vishay SiZF4800LDT 双 MOSFET cct 据《纽约客》报道，该器件名为 SiZF4800LDT，“为设计人员提供了用于...
STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。 这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关性能...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下， 栅源电压要么足够低以防止电流流动，...
xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实，SiC 功率半导体作为下一代技术迅速引起人们的关注。与 Si IGBT 相比，SiC MOSFET 的效率更高，可实现更长的行驶距离或更小的高压电池，从而为消费者带来好处。 ROHM自2012年获...
IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样，没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。 双脉冲有什么用？ 图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图，图 2 中显示了测量数据。 图 1. 基本双脉冲设置，包括两个...
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管，常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点： 工作原理：结构：MOSFET通常由栅极（Gate）、漏极（Source）...
之前，我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用，但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作，我们需要更详细地检查其频率响应。 在本文中，我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...
