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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOS MOSFET管 MOSFET继电器 场效应管MOS管 场效应晶体管 功率MOSFET

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
中山
源头工厂
LED导热胶带，中山导热胶带
LED导热胶带，中山导热胶带
  • 厚度：

    0.15

  • 基材：

    丙烯酸和陶瓷聚合物

  • 加工定制：

    是

  • 宽度：

    5mm-550mm

  • 品牌/商标：

    圣泽

  • 适用范围：

    粘接散热片，散热器和其他集成电路封装，大功率晶体管的冷却装置。以及其他产生热量的组件。

  • 颜色：

    乳白

  • 型号/规格：

    H-150B

导热双面胶导热双面胶是由压克力聚合物填充导热陶瓷粉末，与*硅胶粘剂复合而成。具有高导热和*缘的特性，并具有柔软性、压缩性、服帖性、强粘性。适应温度范围大，可填补不平整的表面...

场效应管 IRF3205
场效应管 IRF3205
  • 型号/规格：

    IRF3205

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    *率

【华盛电子科技有限公司】销售：各系列型号场效应管IRF9530NPBF IR TO IRF9540NPBF IR TO IRF3710PBF IR TO IRF3205PBF IR TO IRF530NPBF IR TO IRF540NPBF IR TO IRF630NPBF IR TO I...

  • 华盛电子商贸行
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东中山

    • 电话：0760-22634499

    手机：18933313545

WGD1N60 TO252 * 质量*
WGD1N60 TO252 * 质量*
  • 品牌/商标：

    WG

  • 型号/规格：

    WGD1N60 TO252

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

WGD1N60（1A 600V) TO252贴片场效应管 * 质量* "

03N60C3
03N60C3
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    03N60C3

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    CC/恒流

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

原装现货英飞凌03N60C3 TO220F 封装 量大价优！

电磁炉管IGBTGA15N12 FGA20N120ANTD*国产
电磁炉管IGBTGA15N12 FGA20N120ANTD*国产
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FGA15N12

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

H15R1203INFTO*H20R1202INFTO-247H20R1203INFTO-247ICE2A365INFDIP-8ICE2B0565INFDIP-8ICE2B265INFDIP-8ICE3B0565JINFDIP-8ICE3BR0665J原装INFDIP-8IHW20N120R3INFTO-247IHW20R120R2I...

MOS场效应管4N60
MOS场效应管4N60
  • 品牌/商标：

    辉颖

  • 型号/规格：

    HN4N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 开启电压：

    2.5（V）

HN4N60本产品主要特点是开关速度快，主要应用于开关电源、电子镇流器、电子变压器等。额定值（Tc=25 °C)参数*号额定值单位漏-源电压Vds610 V漏-栅电压Vdgr610 V栅-源电压...

260A、350A 75V低压大功率MOS管：NCE75H26T、NCE75H35T
260A、350A 75V低压大功率MOS管：NCE75H26T、NCE75H35T
  • 品牌/商标：

    NCE

  • 型号/规格：

    NCE75H35T

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    DC/直流

  • MOS：

    N-CH

低压大功率MOSFET NCE40H12K TO252 120A 40VNCE7580 TO220 80A 75VNCE75H14 TO220 140A 75VNCE85H21 TO220 210A 85VNCE75H26T TO247 260A 75VNCE75H35T TO247 350A 75VNCE0157 TO220 ...

MOSFET行业资讯

  • Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200 V SiC MOSFET功率模块提升功率效率[2026-03-23]

    这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案　　日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120，其...

  • Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET[2026-01-28]

    新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。　　伊利诺伊州罗斯蒙特，Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推...

  • Infineon-英飞凌拓展CoolSiC MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装[2026-01-27]

    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出全新封装的CoolSiC MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供Q-DPAK、D2PAK等多种封装，产品组合覆盖在25°C...

  • 三菱电机开始提供4款用于功率器件的全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片样品[2026-01-14]

    三菱电机集团于今日（2026年1月14日）宣布，将于1月21日开始提供4款全新沟槽型1 SiC-MOSFET裸芯片（未封装在封装材料中的芯片），该芯片专为电动汽车（EV）主驱逆变器2，车载充电器3以及太阳能发电系统等可再生能源的功率系统等中的功率器件而设计。这些新型...

  • 英飞凌CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件[2026-01-05]

    CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与低通态电阻等优势，同时有助于优化系统成本。该系列400V与440V碳化硅MOSFET可在两电平和三电平的硬开关与软开关拓扑中，提供卓越的功率密度和系统效率，主要面向人工智能服务器电源、开关电...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • MOSFET的30种封装形式[2025-11-19]

    MOSFET自1960年由贝尔实验室发明以来，最初采用金属外壳的TO（Transistor Outline）封装，如TO-3和TO-92。这类封装以铜或铁镍合金为引线框架，通过环氧树脂密封，具备机械强度高、散热性能稳定的特点，能够耐受超过50G的机械冲击。MOSFET封装。　　一、早期金...

  • MOSFET 器件选型的三大核心法则[2025-08-11]

    功率 MOSFET 恐怕是工程师们最常用的器件之一了。然而，关于 MOSFET 的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选 N 型还是 P 型、封装类型，大到 MOSFET 的耐压、导通电阻等。不同的应用需求千变万化，下面将详细总结 MOSFET 器件选型的三大核心法则，相信看完会...

  • MOSFET 噪声模型全揭秘：特性、建模与参数提取[2025-08-01]

    在现代电子电路设计领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）凭借其卓越的性能和广泛的应用，成为了不可或缺的关键器件。然而，MOSFET 中的噪声问题却对电路的性能和稳定性产生着重要影响，尤其在无线通信等对噪声要求极为严格的领域。因此，深入...

  • mosfet管导通条件[2025-07-22]

    MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件取决于其类型（N沟道或P沟道）和工作模式（增强型或耗尽型）。以下是详细分析：1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET（NMOS）增强型（常闭型）：栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth（正电压）。漏源电压 VDSVD...

  • 安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器：电动汽车电力系统创新引领者[2025-07-10]

    在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动汽车（EV）的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者，电动汽车必须具备足够的续航里程，支持快速充电，同时还要保证价格经济实惠。在这一变革进程中，...

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