0.15
丙烯酸和陶瓷聚合物
是
5mm-550mm
圣泽
粘接散热片,散热器和其他集成电路封装,大功率晶体管的冷却装置。以及其他产生热量的组件。
乳白
H-150B
导热双面胶导热双面胶是由压克力聚合物填充导热陶瓷粉末,与*硅胶粘剂复合而成。具有高导热和*缘的特性,并具有柔软性、压缩性、服帖性、强粘性。适应温度范围大,可填补不平整的表面...
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IRF3205
IR
TO-220
普通型
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散装
*率
【华盛电子科技有限公司】销售:各系列型号场效应管IRF9530NPBF IR TO IRF9540NPBF IR TO IRF3710PBF IR TO IRF3205PBF IR TO IRF530NPBF IR TO IRF540NPBF IR TO IRF630NPBF IR TO I...
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WG
WGD1N60 TO252
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
WGD1N60(1A 600V) TO252贴片场效应管 * 质量* "
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03N60C3
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FGA15N12
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HN4N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
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SMD(SO)/表面封装
2.5(V)
HN4N60本产品主要特点是开关速度快,主要应用于开关电源、电子镇流器、电子变压器等。额定值(Tc=25 °C)参数*号额定值单位漏-源电压Vds610 V漏-栅电压Vdgr610 V栅-源电压...
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NCE75H35T
*缘栅(MOSFET)
N沟道
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N-CH
低压大功率MOSFET NCE40H12K TO252 120A 40VNCE7580 TO220 80A 75VNCE75H14 TO220 140A 75VNCE85H21 TO220 210A 85VNCE75H26T TO247 260A 75VNCE75H35T TO247 350A 75VNCE0157 TO220 ...
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Nexperia 已将更多单、双小信号 MOSFET 放入 DFN1110D-3(SOT8015)和 DFN1412-6(SOT1268)封装中,并配备侧面可润湿侧面,可用于自动光学检查。 该公司表示:“1.1 x 1mm DFN1110D-3 封装已得到越来越广泛的采用,并迅速成为汽车应用小信号 MOSFET 和双...
英飞凌已宣布推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET。 英飞凌 TO220 StrongIRFET 2 场效应晶体管 它们是 StrongIRfet 2 系列的一部分,其资质不如其工业级 Optimos 设备。 该公司表示:“新型功率场效应晶体管旨在满足大众市场应用的需求——开关电...
半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前,3种封装10种型号的新产品...
Nexperia今日宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化,可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种...
日前,搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起,这款功率模块经由罗姆和...
氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...