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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： mos管 P沟道MOS管 TLP181 TLP521 场效应MOSFET管东芝电子管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型

中山

源头工厂

LED导热胶带，中山导热胶带

厚度：
0.15
基材：
丙烯酸和陶瓷聚合物
加工定制：
是
宽度：
5mm-550mm
品牌/商标：
圣泽
适用范围：
粘接散热片，散热器和其他集成电路封装，大功率晶体管的冷却装置。以及其他产生热量的组件。
颜色：
乳白
型号/规格：
H-150B

导热双面胶导热双面胶是由压克力聚合物填充导热陶瓷粉末，与*硅胶粘剂复合而成。具有高导热和*缘的特性，并具有柔软性、压缩性、服帖性、强粘性。适应温度范围大，可填补不平整的表面...

中山市东升镇圣泽电子材料制品厂
供应商等级： 免费会员
企业类型：生产企业
地区:广东中山

电话：86 0760 22222259

手机：13823981395

场效应管 IRF3205

型号/规格：
IRF3205
品牌/商标：
IR
封装形式：
TO-220
*类别：
普通型
安装方式：
直插式
包装方式：
散装
功率特征：
*率

【华盛电子科技有限公司】销售：各系列型号场效应管IRF9530NPBF IR TO IRF9540NPBF IR TO IRF3710PBF IR TO IRF3205PBF IR TO IRF530NPBF IR TO IRF540NPBF IR TO IRF630NPBF IR TO I...

华盛电子商贸行
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:广东中山

电话：0760-22634499

手机：18933313545

WGD1N60 TO252 * 质量*

品牌/商标：
WG
型号/规格：
WGD1N60 TO252
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
SW-REG/开关电源
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
N-FET硅N沟道

WGD1N60（1A 600V) TO252贴片场效应管 * 质量* "

国利（个体经营）
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:广东中山

手机：

03N60C3

品牌/商标：
INFINEON/英飞凌
型号/规格：
03N60C3
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
CC/恒流
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
GE-N-FET锗N沟道

原装现货英飞凌03N60C3 TO220F 封装量大价优！

中山市古镇焯鑫电子配件门市部
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企业类型：经销商
地区:广东中山

手机：15900081824

电磁炉管IGBTGA15N12 FGA20N120ANTD*国产

品牌/商标：
FAIRCHILD/*童
型号/规格：
FGA15N12
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
L/功率放大
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
IGBT*缘栅比*

H15R1203INFTO*H20R1202INFTO-247H20R1203INFTO-247ICE2A365INFDIP-8ICE2B0565INFDIP-8ICE2B265INFDIP-8ICE3B0565JINFDIP-8ICE3BR0665J原装INFDIP-8IHW20N120R3INFTO-247IHW20R120R2I...

中山市华扬电子贸易有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：
地区:广东中山

电话：86 0760 22617669

MOS场效应管4N60

品牌/商标：
辉颖
型号/规格：
HN4N60
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
SW-REG/开关电源
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
开启电压：
2.5（V）

HN4N60本产品主要特点是开关速度快，主要应用于开关电源、电子镇流器、电子变压器等。额定值（Tc=25 &deg;C)参数*号额定值单位漏-源电压Vds610 V漏-栅电压Vdgr610 V栅-源电压...

中山市古镇辉颖半导体器件厂
供应商等级： 免费会员
企业类型：
地区:广东中山

电话：86 0760 22313060

260A、350A 75V低压大功率MOS管：NCE75H26T、NCE75H35T

品牌/商标：
NCE
型号/规格：
NCE75H35T
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
DC/直流
MOS：
N-CH

低压大功率MOSFET NCE40H12K TO252 120A 40VNCE7580 TO220 80A 75VNCE75H14 TO220 140A 75VNCE85H21 TO220 210A 85VNCE75H26T TO247 260A 75VNCE75H35T TO247 350A 75VNCE0157 TO220 ...

中山市康淇电子科技有限公司
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地区:广东中山

电话：86 760 88928577

手机：18938744457

什么是MOSFET?

金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
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MOSFET技术资料

SiC MOSFET 利用快速关断方法实现短路保护[2024-12-19]
短路原点　　电源转换系统中的 SC 事件可能由多种原因引起，包括电缆操作、负载故障、绝缘材料老化、组件故障和设计错误。电源应用可以包括不同的保护机制以提高其可靠性。　　负载引起的高电感 SC 事件通常通过软件中编程的电流限制和阈值电压进行管理。另一...
关于模拟布局中的堆叠 MOSFET[2024-12-11]
这些串联器件通常称为堆叠式 MOSFET 或堆叠式器件。例如，将三个 1 um MOSFET 串联起来，可以产生一个通道长度为 3 um 的有效器件（图 1）。　　关于模拟布局中的堆叠式 MOSFET 的所有信息　　图 1三个 MOSFET 串联堆叠，提供 3 um 的通道长度。来源：Pulsic...
模拟布局：为什么孔、抽头和保护环至关重要[2024-12-10]
这些结构由原理图隐含，但没有详细指定。这方面的主要示例是井、水龙头和保护环。这些结构对于任何 MOSFET 电路的工作都是必不可少的。　　这就是为什么了解基板在 MOSFET 电路中的作用对于创建有效的模拟设计至关重要的原因。为此，有必要首先了解 MOSFET 晶...
SiC MOSFET的栅极应力测试[2024-08-06]
氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻（RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

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