0.15
丙烯酸和陶瓷聚合物
是
5mm-550mm
圣泽
粘接散热片,散热器和其他集成电路封装,大功率晶体管的冷却装置。以及其他产生热量的组件。
乳白
H-150B
导热双面胶导热双面胶是由压克力聚合物填充导热陶瓷粉末,与*硅胶粘剂复合而成。具有高导热和*缘的特性,并具有柔软性、压缩性、服帖性、强粘性。适应温度范围大,可填补不平整的表面...
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IRF3205
IR
TO-220
普通型
直插式
散装
*率
【华盛电子科技有限公司】销售:各系列型号场效应管IRF9530NPBF IR TO IRF9540NPBF IR TO IRF3710PBF IR TO IRF3205PBF IR TO IRF530NPBF IR TO IRF540NPBF IR TO IRF630NPBF IR TO I...
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WG
WGD1N60 TO252
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
WGD1N60(1A 600V) TO252贴片场效应管 * 质量* "
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03N60C3
*缘栅(MOSFET)
N沟道
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GE-N-FET锗N沟道
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FGA15N12
*缘栅(MOSFET)
N沟道
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IGBT*缘栅比*
H15R1203INFTO*H20R1202INFTO-247H20R1203INFTO-247ICE2A365INFDIP-8ICE2B0565INFDIP-8ICE2B265INFDIP-8ICE3B0565JINFDIP-8ICE3BR0665J原装INFDIP-8IHW20N120R3INFTO-247IHW20R120R2I...
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辉颖
HN4N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
SMD(SO)/表面封装
2.5(V)
HN4N60本产品主要特点是开关速度快,主要应用于开关电源、电子镇流器、电子变压器等。额定值(Tc=25 °C)参数*号额定值单位漏-源电压Vds610 V漏-栅电压Vdgr610 V栅-源电压...
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NCE
NCE75H35T
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
DC/直流
N-CH
低压大功率MOSFET NCE40H12K TO252 120A 40VNCE7580 TO220 80A 75VNCE75H14 TO220 140A 75VNCE85H21 TO220 210A 85VNCE75H26T TO247 260A 75VNCE75H35T TO247 350A 75VNCE0157 TO220 ...
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随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS? S...
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发,是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。 该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下, 栅源电压要么足够低以防止电流流动,...