SI7230DN-T1-E3
VISHAY
DFN3*3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
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2SK4086LS
SANYO(三洋)
TO-220FP
无铅环保型
直插式
单件包装
大功率
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STS6NF20V
ST(意法半导体)
SOIC-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
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IPD200N15N3G
Infineon(英飞凌)
200N15N
21+
5000
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AO3402A
AOS
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
中频
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MOS管
XZ
SOP8
全新原装
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8205S
AISK
SOT23-6
全新原装
0.5/个
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ST
TO-247-3
19+
600
600 V
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NCE15TD60BF
NCE新洁能
TO-220F
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
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手机:18988767293
2SK1288
NEC
TO-220F
普通型
直插式
管装
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手机:13723795532
STW4N150
ST(意法半导体)
TO247
无铅环保型
直插式
管装
大功率
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手机:13530367768
FQPF4N90C
ON(安森美)
TO-220FP
无铅环保型
直插式
单件包装
NPN型
900 V
电话:0755-23956688
手机:13410226883
FDP20N50
ON(安森美)
TO-220
无铅环保型
直插式
散装
大功率
电话:0755-23915992
手机:13480654098
IRFP90N20D
INFINEON(英飞凌)
TO-247AC
无铅环保型
直插式
管装
大功率
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IRFP4568PBF
IR
TO-247
MOSFET管
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
150V
171A(Tc)
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意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。 STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶体管,可用于汽车电机控制、电池极性接...
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。 STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶体管,可用于汽车电机控...
意法半导体的900V MDmesh? K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求,具有同级的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。 900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有RDS(ON)导通电阻低于100m?的900V MOSFET管,是RDS(ON) 电阻的DPAK...
意法半导体的900VMDmesh™K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求,具有同级的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有
意法半导体的900VMDmeshK5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求,具有同级的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有RDS(ON)
我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态,承受着很大的功耗,一但过压或过流就会导致功耗大增,晶圆结温急剧上升,如果散热不及时,就会导致器件损坏,甚至可能会伴随爆炸,非常危险。这里就衍生一个概念,安全工作区。 一、什么...
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,电压等,电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是的,作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增...
H桥功率驱动电路可应用于步进电机、交流电机及直流电机等的驱动。永磁步进电机或混合式步进电机的励磁绕组都必须用双极性电源供电,也就是说绕组有时需正向电流,有时需反向电流,这样绕组电源需用H桥驱动。本文以两相混合式步进电机驱动器为例来设计H桥驱动电路。 电路原理 给出...