2SK3018
YFW(佑风微)
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
2SK3018 SOT-23 N沟MOS管是我司自主研发生产,并且2SK3018 SOT-23 N沟MOS管性能优越及应用广泛,欢迎新老客户咨询采购2SK3018 SOT-23 N沟MOS管。谢谢!2SK3018 SOT-23 N沟MOS管 YFW佑...
电话:13728256511
手机:13728256511
Huiwo汇沃
VDF5N60L
其他
01
01
1
2
2
产品介绍:高压场效应管VDF5N60L,采用3.2*3.2芯片版图,足5A,600V,汇沃品牌产品主要面向中高端客户,进口标准质量,国产价格,我们坚信可靠的质量及优质服务能为广大顾客打造无优的产品,有...
电话:0769-24820242
手机:13318445810
GM2020E
宇芯微
SOT-23
无铅环保型
贴片式
单件包装
贴片MOSFET GM2020E SOT-23 20V场效应管 20V场效应管 GM2020E的脚位图: 20V场效应管 GM2020E的极限值: 漏极-源极电压:20V 栅极-源极电压:±6V 漏极电流-连续:0.9A 漏极...
电话:076989268116
手机:13809624202
UTC/友顺
UF830
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
▲东莞市来特电子有限公司,成立于2005年。为UTC代理,主营整流电源管理IC、MOSFET、二极管(IN4001--IN4007)、稳压二极管和三极管等,所有产品均有很大的优势。▲公司秉承『质量求发展...
电话:0769-33268359
手机:13790353210
1N60L
UTC
TO-251
无铅环保型
直插式
散装
小功率
型号/规格 1N60L 品牌/商标 UTC(t台湾友顺) 封装形式 TO-251 环保类别 普通型 安装方式 直插式 包装方式 管装 600V N-ChannelMOSFET Features ■ 1.2A,600v,RDS(on)=2.2Ω@VGS=10V ...
电话:13480433030
手机:13480433030
2N7002
NXP(恩智浦)
贴片
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
中功率
东莞市奥海塑胶电子有限公司,欢迎订购!100%质保,大量现货批发! 产品详细说明: · 型号/规格 2N7002 · 品牌/商标 NXP/VISHAY · 封装形式 SOT-23 &...
电话:0769-85641609
手机:13580924058
CEB80N75
CET
TO-263
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
小功率
1.CET*代理商(若有疑问可直接咨询CET),代理CET全系列MOS产品,长期接受订货,如有需要请联系我们,我们将竭诚为您服务. 2.本条产品发布的参数非准确数据,若需要了解此产品详细信息可以在...
电话:0769-86717085
手机:13580999598
2SJ602
NIP日本日电
P-DIT/塑料双列直插
无铅*型
直插式
散装
大功率
品牌:NIP日本日电 型号:2SJ602 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:60(V) ...
电话:13829247479
手机:13829247479
80
110
0.15-0.5
玻璃纤维
是
1040
迅利
芯片,柔性电路板,及大功率晶体管和散热片
导热双面胶导热双面胶是由压克力聚合物填充导热陶瓷粉末,与*硅胶粘剂复合而成。具有高导热和*缘的特性,并具有柔软性、压缩性、服帖性、强粘性。适应温度范围大,可填补不平整的表面...
电话:86 769 81110566
ON/安森美
12N06
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DUAL/配对管
SMD(SO)/表面封装
IGBT*缘栅比*
1.贴片LED,大功率LED,0603,0805,1206,1210,5050及3020等*规格,品质优良,供货稳定,价格实惠2.*供应1N4001-4007 1N5391-5399 RL201-RL2071N5404-5408 6A01-6A10 10A01-10A10 1N5819~1N5...
电话:86 0769 88385295
是
299
pet
0.15&plu*n;0.02(mm)
200(℃)
适用电源大功率晶体管和散热片、集成电路芯片和散热片、液晶电视、等离子电视、移动电脑等设备。
YCF
240(℃)
产品名称:平纹导电布胶带基材:PET宽度:1060mm耐温性:200℃用途及特性导电布胶带带有高导电性的背胶,该种胶带有*好的柔韧性,适合于各种表面,并能承受*200°C的高温...
电话:86 0769 83209428
手机:13602396248
SMD(SO)/表面封装
2SC4227-T1
硅(SI)
L/功率放大
NEC/日本电气
P沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
东莞市星涛电子有限公司是国内一家集代理商、销售、服务為一体的公司,公司主要从事电阻器、电容器、二三极管、场效应管、集成电路等配套服务。面对日趋激烈的市场竞争,优胜劣汰,公...
电话:0769-81605877
手机:13790577757
INFINEON/英飞凌
H20R1203
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
VA/场输出级
P-DIT/塑料双列直插
型号:H20R1203品牌:英飞凌封装:TO-247封装外形:塑料双列直插用途:各品牌电磁炉*限电压1200V*限电流:20A*限温度:175℃ 产品图实拍: "
电话:86 0769 22021866-8186
手机:13713497885
TOSHIBA/东芝
78L05
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
硅(Si)
乐拓代理东芝TOSHIBA贴片、直插三*管,备有大量库存现货,原装*。乐拓*产品均*渠道进货,*原装,请登录乐拓公司网站:http://www.dggwdz.com/ 查询,或者来电咨询。
手机:13763237688
FUJI/富士通
2SK1020
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
现货供应;产地:日本;品牌:富士通;30A/500V,50PCS/包,*原装,量大价优本公司主要经营艾赛斯(IXYS),三菱(MITSUBISHI)、富士(FUJI)、东芝(TOSHIBA)、三社(SanRex)、英达、西门康(SEMIKRON...
手机:
贴片型
y5
*
硅(Si)
功率
半导体三*管又称“晶体三*管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中...
手机:
AO4410
AOS
SOP-08
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
*功率
供应AOS全系列直插贴片场效应管 深圳东莞现货供应 有需要可以联系下 原装
电话:0769-89268824
手机:13798897499
否
晶体管图示仪
杭州
WQ4832
0~500VAC 0.1A(V)
AC220V&plu*n;10% 50Hz&plu*n;4%(MHz)
32×21×40(cm)
约80VA(功率)(安培)
晶体管/晶体管图示仪/晶体管测试仪/wq4832晶体管图示仪WQ4832晶体管特性图示仪WQ-4832晶体管图示仪WQ 4832集电*扫描信号晶体管测试仪输出电压范围及电流容量0~5V 10A0~10V 5A0~50V...
手机:13427850841
10(V)
*率
固定
10(uF)
中频
晶体管电路
K
&plu*n;10(%)
【风华高科授权代理经销商】 一手货源 价格优势 大量供货!专营中国品牌风华贴片电容 1206系列电子元器件,价格优势!供货,*,无铅*!我们专门为*各大电子厂商MP3,MP4,MP5,U盘,手...
手机:15625566588
新品
模拟信号
CHIP/小型片状
I*16V8S I*16V8S SOP20 16V8D GAL16V8D
ZF/中放
ict
其他
*缘栅(MOSFET)
注:本店已加入消费者保障服务,敬请大家放心购买,发货风险及售后服务均*!74F181 74F182 74F148 74F253 74F194 74F14 74F20 74F258 74F259 74F260 74F225 74F26 东莞市赛格电子有限...
手机:
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS? S...
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发,是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。 该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下, 栅源电压要么足够低以防止电流流动,...