1N60L
UTC
TO-251
无铅环保型
直插式
散装
小功率
型号/规格 1N60L 品牌/商标 UTC(t台湾友顺) 封装形式 TO-251 环保类别 普通型 安装方式 直插式 包装方式 管装 600V N-ChannelMOSFET Features ■ 1.2A,600v,RDS(on)=2.2Ω@VGS=10V ...
电话:13480433030
手机:13480433030
TOSHIBA/东芝
78L05
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
硅(Si)
乐拓代理东芝TOSHIBA贴片、直插三*管,备有大量库存现货,原装*。乐拓*产品均*渠道进货,*原装,请登录乐拓公司网站:http://www.dggwdz.com/ 查询,或者来电咨询。
手机:13763237688
FUJI/富士通
2SK1020
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
现货供应;产地:日本;品牌:富士通;30A/500V,50PCS/包,*原装,量大价优本公司主要经营艾赛斯(IXYS),三菱(MITSUBISHI)、富士(FUJI)、东芝(TOSHIBA)、三社(SanRex)、英达、西门康(SEMIKRON...
手机:
新品
模拟信号
CHIP/小型片状
I*16V8S I*16V8S SOP20 16V8D GAL16V8D
ZF/中放
ict
其他
*缘栅(MOSFET)
注:本店已加入消费者保障服务,敬请大家放心购买,发货风险及售后服务均*!74F181 74F182 74F148 74F253 74F194 74F14 74F20 74F258 74F259 74F260 74F225 74F26 东莞市赛格电子有限...
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IR/国际整流器
IRF840PBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
数据列表IRF840PBFPackaging Information产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列-...
手机:13580886332
科信
KI2300/SI2300 SOT23-3
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
ALGaAS铝镓砷
特点: (1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID;(2)场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;(4)它组...
电话:0769-82294005
IKW25N120场效应管IGBT单管
英飞凌(Infineon)
TO-220F
无铅*型
直插式
盒带编带包装
东莞市中铭电子贸易有限公司成立于2007年,台湾连铭科技股份有限公司,香港陆美科技股份有限公司在国内可提供电子元器件解决方案的公司,是代理、分销世界电子元器件及技术开发于一体...
电话:0769-85638990
手机:15999826289
品牌/商标 FAIRCHILD/*童 型号/规格 FDS6670 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 *间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏*电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) 东莞市达昂电子有限公司是一家以生产、销售为一体的电子元器件供应商,是一般纳税...
电话:86 0769 83569910
手机:13602395565
IR/国际整流器
IRG4PC50U
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
型号:IRG4PC50U 封装:to-247厂家:IR 参数:备注:*,库存量大,欢迎垂询主营:场效应、可控硅、肖特基、快恢复,二三*管、电源管理IC及偏冷停产IC元件等.IR公司(国际整流器),FAIRC...
电话:86 0769 89784790
手机:13712719704
品牌/商标 台湾品田 型号/规格 PN1012 批号 10034QTB 封装 SOP-8L 营销方式 * 产品性质 * 处理信号 模拟信号 制作工艺 半导体集成 导电类型 双*型 集成程度 小规模 规格尺寸 3(mm) 静态功耗 0.3(mW) 类型 电源模块 PN1012是一款应用于小功率AC/DC充电器和适配器的离线式PWM控制器。它采用原边反馈的方式进行工作,内置...
电话:86 0769 86671873
手机:18925847075
IR/国际整流器
IRFZ44
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
HF/高频(射频)放大
CER-DIP/陶瓷直插
其他IC
本公司集生产,销售,寄售,质量检测,方案设计为一体的半导体服务商。主要从事通用贴片(SMD)集成电路,二三*管以及单片机为主的电子元件的经营与销售业务,原厂*HT合泰单片机,CR民展...
电话:0769-82127809
SD05M50D/SD05M50S
SL
DIP-23/SOP23
无铅*型
DIP-23/SOP23
盒带编带包装
*功率
电话:769-23177534
手机:13631712682
DG 东光
10N60 DG10N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
Features : High input resistance and low drive current Sound temperature characteristic Fast switching speed Easy to increase current capacity by parallel wayMajorApplica...
电话:0769-86203789
3A
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
SI2302
SMD(SO)/表面封装
VISHAY/长电
A/宽频带放大
N沟道
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C72 毫欧 @ 3.6A, 4.5V漏*至源*电压(Vdss)20VId 时的 Vgs(th)()1.2V @ 50&mic...
电话:0769-83033107
MURATA/村田
GRM033R71E821KA01D
陶瓷(瓷介)
晶体管电路
方块状
*率
中频
固定
GRM033R71E821KA01D MURATA 10+ 15000/REEL贴片陶瓷电容 体积0201 材质X7R 电压25V 容量820PF 误差+10%~-10% 温度系数 -55°C ~ 125°C*原装现货 *无铅 介绍:...
电话:0769-87915093
长电
CJ2301 S1
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
IGBT*缘栅比*
库存现货,原装,质量*!价格优惠!欢迎来电咨询订购!联系: 周先生 业务 CJ2301S P-Channel 20-V(D-S) MOSFET SOT-23APPLICATIONS. Load Switch for Portable Devices. DC/DC Conve...
电话:0769-89001930
15
SIT静电感应
*缘栅(MOSFET)
SI2301
CER-DIP/陶瓷直插
AOS/美国万代
HA/行输出级
N沟道
诚颜信电子主营:IC系列产品,电容、电阻(0201-2512大小功率一系列)、排阻、可调电阻、涤纶电容、钽质电容、电感、磁珠、二*管、三*管、整流管、发光管、保险管以及各名厂IC等,为...
电话:0769-82052626
CED62A2
SMD(SO)/表面封装
CET/华瑞
MOS-INM/*组件
ALGaAS铝镓砷
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
1.CET*代理商(若有疑问可直接咨询CET),代理CET全系列MOS产品,长期接受订货,如有需要请联系我们,我们将竭诚为您服务.2.芯片的价格却是与采购数量相关的。当采购少量芯片时,价格稍微高...
电话:0769-86717085
逻辑IC
BISS0001
13+
红外感应IC
中性
SOP
东莞市大华电子科技有限公司是一家汽车电子产品配套供应商以及其他电子元器件分销代理商,在广州、深圳、东莞等地设有分支机构,公司目前主要以汽车电子IC为,提供汽车电子产品所需的...
电话:0769-23326789
手机:13825709115
FAIRCHILD/*童
STP13NK60ZFP
TO-220
09+
其他IC
电脑()
*原装*主营二三* 东莞*安广浩电子经营部是一家诚信经营、服务客户为宗旨。为了满足客户的庞大需求量,一直以来库存充足的货源,本公司专营全系列二*管/稳压二*管/整流二*管/肖特基二*...
电话:0769-85090500
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS S7T...
Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出600 V CoolMOS 8 高压超结(SJ)MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS 7 MOSFET系列的先进特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本...
在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下,电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时...
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...
氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...