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MOSFET

（共找到“31”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOSFET继电器 P沟道MOS管 TLP181 拆机场效应管 东芝电子管 台湾富鼎MOS管

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经销商
东莞
源头工厂
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UTC代理直销1N60L TO-251
UTC代理直销1N60L TO-251
  • 型号/规格：

    1N60L

  • 品牌/商标：

    UTC

  • 封装形式：

    TO-251

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    小功率

型号/规格 1N60L 品牌/商标 UTC(t台湾友顺） 封装形式 TO-251 环保类别 普通型 安装方式 直插式 包装方式 管装 600V N-ChannelMOSFET Features ■ 1.2A,600v,RDS(on)=2.2Ω@VGS=10V ...

代理东芝TOSHIBA 功率三*管 授权代理
代理东芝TOSHIBA 功率三*管 授权代理
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    78L05

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    硅(Si)

乐拓代理东芝TOSHIBA贴片、直插三*管，备有大量库存现货，原装*。乐拓*产品均*渠道进货，*原装，请登录乐拓公司网站：http://www.dggwdz.com/ 查询，或者来电咨询。

2SK1020 原装*场效应管
2SK1020 原装*场效应管
  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 型号/规格：

    2SK1020

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

现货供应;产地:日本;品牌:富士通;30A/500V,50PCS/包,*原装,量大价优本公司主要经营艾赛斯(IXYS),三菱(MITSUBISHI)、富士(FUJI)、东芝(TOSHIBA)、三社(SanRex)、英达、西门康(SEMIKRON...

I*16CV8S-25 SOP20 东华电子原装*现货热卖I*16V8S
I*16CV8S-25 SOP20 东华电子原装*现货热卖I*16V8S
  • 产品性质：

    新品

  • 处理信号：

    模拟信号

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 型号/规格：

    I*16V8S I*16V8S SOP20 16V8D GAL16V8D

  • 用途：

    ZF/中放

  • 品牌/商标：

    ict

  • 沟道类型：

    其他

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

注：本店已加入消费者保障服务，敬请大家放心购买，发货风险及售后服务均*!74F181 74F182 74F148 74F253 74F194 74F14 74F20 74F258 74F259 74F260 74F225 74F26 东莞市赛格电子有限...

  • 杨志海
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东东莞

    • 手机：

场效应管IR系列产品 IRF840 IRF840PBF 8A 500V 125W 原装进囗
场效应管IR系列产品 IRF840 IRF840PBF 8A 500V 125W 原装进囗
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF840PBF

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

数据列表IRF840PBFPackaging Information产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列-...

强力推荐科信场效应管 KI2300 SOT23-3
强力推荐科信场效应管 KI2300 SOT23-3
  • 品牌/商标：

    科信

  • 型号/规格：

    KI2300/SI2300 SOT23-3

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

特点： （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID；（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组...

东莞英飞凌(Infineon)IKW25N120场效应管IGBT单管
东莞英飞凌(Infineon)IKW25N120场效应管IGBT单管
  • 型号/规格：

    IKW25N120场效应管IGBT单管

  • 品牌/商标：

    英飞凌(Infineon)

  • 封装形式：

    TO-220F

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

东莞市中铭电子贸易有限公司成立于2007年，台湾连铭科技股份有限公司，香港陆美科技股份有限公司在国内可提供电子元器件解决方案的公司，是代理、分销世界电子元器件及技术开发于一体...

场效应管FDS6670 SO-8
场效应管FDS6670 SO-8

    品牌/商标 FAIRCHILD/*童 型号/规格 FDS6670 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 *间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏*电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） 东莞市达昂电子有限公司是一家以生产、销售为一体的电子元器件供应商，是一般纳税...

    IRG4PC50U IRIGBT50A,600V
    IRG4PC50U IRIGBT50A,600V
    • 品牌/商标：

      IR/国际整流器

    • 型号/规格：

      IRG4PC50U

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      D/变频换流

    • 封装外形：

      CHIP/小型片状

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    型号：IRG4PC50U 封装：to-247厂家：IR 参数：备注：*，库存量大，欢迎垂询主营：场效应、可控硅、肖特基、快恢复，二三*管、电源管理IC及偏冷停产IC元件等.IR公司(国际整流器),FAIRC...

    PN1012原边反馈，内置高压MOSFET
    PN1012原边反馈，内置高压MOSFET

      品牌/商标 台湾品田 型号/规格 PN1012 批号 10034QTB 封装 SOP-8L 营销方式 * 产品性质 * 处理信号 模拟信号 制作工艺 半导体集成 导电类型 双*型 集成程度 小规模 规格尺寸 3（mm） 静态功耗 0.3（mW） 类型 电源模块 PN1012是一款应用于小功率AC/DC充电器和适配器的离线式PWM控制器。它采用原边反馈的方式进行工作，内置...

      • 刘朝蓉
      • 供应商等级： 免费会员
      • 企业类型：经销商
      • 地区:广东东莞

        • 电话：86 0769 86671873

        手机：18925847075

      现货功率MOS 管IRFZ44 IRFZ44NPBF 询价为准
      现货功率MOS 管IRFZ44 IRFZ44NPBF 询价为准
      • 品牌/商标：

        IR/国际整流器

      • 型号/规格：

        IRFZ44

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        耗尽型

      • 用途：

        HF/高频(射频)放大

      • 封装外形：

        CER-DIP/陶瓷直插

      • 类型：

        其他IC

      本公司集生产，销售，寄售，质量检测，方案设计为一体的半导体服务商。主要从事通用贴片(SMD)集成电路，二三*管以及单片机为主的电子元件的经营与销售业务,原厂*HT合泰单片机，CR民展...

      • 庄奇平
      • 供应商等级： 免费会员
      • 企业类型：经销商
      • 地区:广东东莞

        • 电话：0769-82127809

      IGBT模块
      IGBT模块
      • 型号/规格：

        SD05M50D/SD05M50S

      • 品牌/商标：

        SL

      • 封装形式：

        DIP-23/SOP23

      • *类别：

        无铅*型

      • 安装方式：

        DIP-23/SOP23

      • 包装方式：

        盒带编带包装

      • 功率特征：

        *功率

      10N60 DG10N60 电源开关MOS 场效应管 *销售
      10N60 DG10N60 电源开关MOS 场效应管 *销售
      • 品牌：

        DG 东光

      • 型号：

        10N60 DG10N60

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        增强型

      • 用途：

        SW-REG/开关电源

      • 封装外形：

        CER-DIP/陶瓷直插

      • 材料：

        N-FET硅N沟道

      Features : High input resistance and low drive current Sound temperature characteristic Fast switching speed Easy to increase current capacity by parallel wayMajorApplica...

      *现货 场效应管SI2302 SOT-23
      *现货 场效应管SI2302 SOT-23
      • 漏*电流：

        3A

      • 材料：

        N-FET硅N沟道

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 型号/规格：

        SI2302

      • 封装外形：

        SMD(SO)/表面封装

      • 品牌/商标：

        VISHAY/长电

      • 用途：

        A/宽频带放大

      • 沟道类型：

        N沟道

      FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C72 毫欧 @ 3.6A, 4.5V漏*至源*电压(Vdss)20VId 时的 Vgs(th)（）1.2V @ 50&mic...

      贴片陶瓷电容GRM033R71E821KA01D
      贴片陶瓷电容GRM033R71E821KA01D
      • 品牌/商标：

        MURATA/村田

      • 型号/规格：

        GRM033R71E821KA01D

      • 介质材料：

        陶瓷(瓷介)

      • 应用范围：

        晶体管电路

      • 外形：

        方块状

      • 功率特性：

        *率

      • 频率特性：

        中频

      • 调节方式：

        固定

      GRM033R71E821KA01D MURATA 10+ 15000/REEL贴片陶瓷电容 体积0201 材质X7R 电压25V 容量820PF 误差+10%~-10% 温度系数 -55°C ~ 125°C*原装现货 *无铅 介绍：...

      • 林杰
      • 供应商等级： 免费会员
      • 企业类型：经销商
      • 地区:广东东莞

        • 电话：0769-87915093

      长电三*管 CJ2301-G S1 SOT-23 贴片三*管
      长电三*管 CJ2301-G S1 SOT-23 贴片三*管
      • 品牌/商标：

        长电

      • 型号/规格：

        CJ2301 S1

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        增强型

      • 用途：

        S/开关

      • 封装外形：

        SMD(SO)/表面封装

      • 材料：

        IGBT*缘栅比*

      库存现货，原装，质量*！价格优惠！欢迎来电咨询订购！联系： 周先生 业务 CJ2301S P-Channel 20-V(D-S) MOSFET SOT-23APPLICATIONS. Load Switch for Portable Devices. DC/DC Conve...

      • 周善朗
      • 供应商等级： 免费会员
      • 企业类型：经销商
      • 地区:广东东莞

        • 电话：0769-89001930

      SI2301及系列贴片MOS管 可开增值*
      SI2301及系列贴片MOS管 可开增值*
      • 漏*电流：

        15

      • 材料：

        SIT静电感应

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 型号/规格：

        SI2301

      • 封装外形：

        CER-DIP/陶瓷直插

      • 品牌/商标：

        AOS/美国万代

      • 用途：

        HA/行输出级

      • 沟道类型：

        N沟道

      诚颜信电子主营：IC系列产品，电容、电阻（0201-2512大小功率一系列）、排阻、可调电阻、涤纶电容、钽质电容、电感、磁珠、二*管、三*管、整流管、发光管、保险管以及各名厂IC等，为...

      CET/华瑞代理商 CED62A2(停产物料 Obsolete)
      CET/华瑞代理商 CED62A2(停产物料 Obsolete)
      • 型号/规格：

        CED62A2

      • 封装外形：

        SMD(SO)/表面封装

      • 品牌/商标：

        CET/华瑞

      • 用途：

        MOS-INM/*组件

      • 材料：

        ALGaAS铝镓砷

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        耗尽型

      1.CET*代理商(若有疑问可直接咨询CET),代理CET全系列MOS产品,长期接受订货,如有需要请联系我们,我们将竭诚为您服务.2.芯片的价格却是与采购数量相关的。当采购少量芯片时，价格稍微高...

      BISS0001 场效应管 LED芯片IC 氙气灯IC 防盗IC 安防电子料 专用
      BISS0001 场效应管 LED芯片IC 氙气灯IC 防盗IC 安防电子料 专用
      • 类型：

        逻辑IC

      • 型号/规格：

        BISS0001

      • 批号：

        13+

      • 用途：

        红外感应IC

      • 品牌/商标：

        中性

      • 封装：

        SOP

      东莞市大华电子科技有限公司是一家汽车电子产品配套供应商以及其他电子元器件分销代理商，在广州、深圳、东莞等地设有分支机构，公司目前主要以汽车电子IC为，提供汽车电子产品所需的...

      场效应管 STP13NK60ZFP 13N60
      场效应管 STP13NK60ZFP 13N60
      • 品牌/商标：

        FAIRCHILD/*童

      • 型号/规格：

        STP13NK60ZFP

      • 封装：

        TO-220

      • 批号：

        09+

      • 类型：

        其他IC

      • 用途：

        电脑（）

      *原装*主营二三* 东莞*安广浩电子经营部是一家诚信经营、服务客户为宗旨。为了满足客户的庞大需求量，一直以来库存充足的货源，本公司专营全系列二*管/稳压二*管/整流二*管/肖特基二*...

      MOSFET行业资讯

      • 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率[2024-06-26]

        随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...

      • 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET[2024-06-25]

        功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS? S...

      • 英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度[2024-06-14]

        电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞...

      • 纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度[2024-06-13]

        GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器...

      • 英飞凌推出 400V CoolSiC MOSFET 系列[2024-05-29]

        英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。　　全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发，是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。　　该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...

      什么是MOSFET?

      • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

      • 目录

        MOSFET

      MOSFET技术资料

      • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

        “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

      • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

        绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

      • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

        新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

      • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

        新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

      • MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]

        MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。　　在开关模式下， 栅源电压要么足够低以防止电流流动，...

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