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10N60 DG10N60 电源开关MOS 场效应管 *销售

品牌：
DG 东光
型号：
10N60 DG10N60
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
SW-REG/开关电源
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
N-FET硅N沟道
开启电压：
30（V）
夹断电压：
2-4（V）
跨导：
10（μS）
*间电容：
1570（pF）

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企业名：东莞市凤岗四海通电子经营部

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产品分类

电源IC(2)
∟ LED驱动IC(1)∟ 其他电源IC(1)
二极管(7)
∟ 整流二极管(4)∟ 稳压二极管(1)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(1)∟ 肖特基二极管(1)
三极管(6)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(1)∟ 功率三极管(1)∟ 其他三极管(3)
场效应管MOSFET(9)
∟ MOSFET(4)∟ 结型场效应管(1)
可控硅IGBT(3)
∟ 双向可控硅(晶闸管)(3)
电源/稳压器(1)
∟ 电源适配器(1)
LED(1)
∟ LED器件(1)
其他未分类(1)

新品上架

商品信息 更新时间：2013-01-24

Features :   High input resistance and low drive current
              Sound temperature characteristic
              Fast switching speed
              Easy to increase current capacity by parallel wayMajor
Applications :Power switching circuit and power amplification circuit

DG10N60 VDMOS power transistor
Absolute maximum ratings
( Tamb=25oC)

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