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大功率IGBT

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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英飞凌/优派克(INFINEON/EUPEC)大功率IGBT模块FF900R12IP4 FF900R12IE4
英飞凌/优派克(INFINEON/EUPEC)大功率IGBT模块FF900R12IP4 FF900R12IE4
  • 型号/规格：

    FF900R12IP4

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 规格：

    900A/1200V/IGBT/2U

  • 产地：

    德国

低价出售英飞凌FZ1200R12KE3大功率IGBT
低价出售英飞凌FZ1200R12KE3大功率IGBT
  • 型号/规格：

    FZ1200R12KE3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 晶闸管：

    100

  • 可控硅：

    100

  • 二极管：

    100

  • IGBT：

    100

  • IPM：

    100

大功率IGBT管 SGL160N60UFD 160A600V
大功率IGBT管 SGL160N60UFD 160A600V
  • 型号/规格：

    G160N60UFD

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TO-3PL

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特性：

    大功率

TX-2DE315M17/33 双单元中大功率IGBT驱动器
TX-2DE315M17/33 双单元中大功率IGBT驱动器
  • 型号/规格：

    TX-2DE315M17/33 双单元中大功率IGBT驱动器

  • 品牌/商标：

    LMY

  • 封装：

    板卡

  • 功能：

    IGBT驱动核

全新 SGL160N60UFD G160N60UFD 大电流大功率IGBT管 160A 600V
全新 SGL160N60UFD G160N60UFD 大电流大功率IGBT管 160A 600V
  • 品牌：

    other

  • 型号：

    SGL160N60UFD

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    IGBT

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    IGBT绝缘栅比极

//IGD515EI-34//大功率IGBT
//IGD515EI-34//大功率IGBT
  • 型号/规格：

    IGD515EI-34

  • 品牌/商标：

    comcep

  • *类别：

    无铅*型

大功率IGBT场效应管GT80J101 80J101 芯片三*管现货*
大功率IGBT场效应管GT80J101 80J101 芯片三*管现货*
  • 类型：

    其他IC

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    GT80J101

  • 功率：

    1000

  • 封装：

    TO-*L

  • 批号：

    12+

YB580大功率IGBT测试系统
YB580大功率IGBT测试系统
  • 型号/规格：

    YB580

  • 品牌/商标：

    谊邦

产品介绍 YB580IGBT(绝缘栅双极型晶体管)测试系统（以下简称YB580测试系统）符合:国际电工委员会IEC60747-9-2001规范,符合国标GB/T17007-1997规范。YB580测试系统是本公司推出的一种先进的IGBT测试系统。适合研究所...

原装*童FGA25N120FTD 大功率IGBT 管 TO -* 封装
原装*童FGA25N120FTD 大功率IGBT 管 TO -* 封装
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FGA25N120FTD

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    DIFF/差分放大

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

*原装* 大功率IGBT SGL160N60UFD
*原装* 大功率IGBT SGL160N60UFD
  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格：

    SGL160N60UFD

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 用途：

    UNI/一般用途

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 导电方式：

    增强型

东芝大功率IGBT管(图)
东芝大功率IGBT管(图)
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    GT60M301

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    HI-REL/高*性

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

富士电机HPM大功率IGBT模块 PRIMEPACK 模块
富士电机HPM大功率IGBT模块 PRIMEPACK 模块
  • 型号/规格：

    富士IGBT模块

  • 品牌/商标：

    富士

  • *类别：

    无铅*型

大功率IGBT模块
大功率IGBT模块
  • 型号/规格：

    SD20M60

  • 品牌/商标：

    SL

  • *类别：

    无铅*型

*原装* 开关电源 大功率IGBT FGL40N120AND
*原装* 开关电源 大功率IGBT FGL40N120AND
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FGL40N120ANDTU

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

大功率IGBT FGA40N60UFD<span class="de-exp">[信息已过期]</s
大功率IGBT FGA40N60UFD<span class="de-exp">[信息已过期]</s
  • 品牌：

    FAIRCHILD

  • 型号：

    FGA40N60UFD

品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FGA40N60UFD 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 IGBT*缘栅比* 漏*电流 40A（mA） 耗散功率 160W（mW）

日本富士一系列大功率IGBT管(图)
日本富士一系列大功率IGBT管(图)

    品牌:FJD日本富士电机 型号:1*H60D-100 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-HBM/半桥组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道供应日本富士一系列IGBT管:1*H15D-060,1*H30D-060,1...

    优派克大功率IGBT模块
    优派克大功率IGBT模块

      种类:优派克大功率IGBT模块 品牌:eupec 型号:FZ200R12KF2 德*派克*功率IGBT模块(1200V/1600V/2500V/3300V/6500V系列)型号(1单元)IGBT技术指标 FZ200R12KF2200A/1200V/1UFZ200R65KF1200A/6500V/1UFZ400R65KF1400A/650...

      单管大功率IGBT、MOSFET驱动器KC101
      单管大功率IGBT、MOSFET驱动器KC101

        型号:KC101 厂家:LMY 批号:0820 封装:SIPTX-KC101 IGBT驱动器原理框图特点单管大功率IGBT、MOSFET驱动器无需隔离的辅助电源工作占空比5－95％关断时输出为负电平过流时软关断，并封锁短路信号以执行一个完整的保护过...

        什么是大功率IGBT?

        • 　　大功率igbt即大功率绝缘栅双极性晶体管，具有控制方便、开关速度快、工作频率高、安全工作区大等特点，用于开关电源、变频调速和有源滤波器等装置的理想功率开关器件，在电力电子装置中得到非常广泛的应用。其驱动保护电路起到弱电控制强电的终端界面(接口)作用，可以将该电路看成是一个相对独立的"子系统"。

        • 目录

          大功率IGBT

        大功率IGBT技术资料

        • 大功率IGBT中滤波电容的选择与计算

          由于IGBT类电源的特殊性，于一般的电源相比其中很多器件都会有相应的改动。滤波电容就是其中一个变动较大的器件。为了为大功率电源进行不间断的供电，滤波电容需要拥有较大的外接容量。那么这种电容应该如何进行设计呢?本文就将从几个不同的方面来进行介绍。第一

        • 浅析大功率IGBT芯片的技术现状与特点

          导读：本文分别从IGBT芯片体结构、背面集电极区结构和正面MOS结构出发，系统分析了大功率IGBT芯片的技术现状与特点，从芯片焊接与电极互连两方面全面介绍了IGBT模块封装技术，并从新结构、新工艺及新材料技术三方面分析了IGBT技术未来的发展方向。

        • 通用光纤隔离驱动在大功率IGBT中的应用

          O 引言　　自MOSFET及IGBT问世以来，电压控制型电力电子器件，特别是IGBT正经历一个飞速发展的过程。IGBT单模块器件的电压越做越高，电流越做越大。同时，与之配套的驱动器件也得到了迅速发展。随着器件应用领域越来越广，电源设备变换功率越来越大，电磁T扰...

        大功率IGBT相关产品

        电子元器件产品索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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