11N60 DG11N60 大功率开关电源MOS 场效应管

品牌/型号：
DG 东光/11N60 DG11N60
种类：
*缘栅MOSFET
用途：
SW-REG/开关电源
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
N-FET硅N沟道
开启电压：
30（V）
夹断电压：
2-4（V）
跨导：
10（μS）
*间电容：
1148（pF）
低频噪声系数：
0.1（dB）
漏*电流：
11000（mA）
耗散功率：
175000（mW）

发布询价信息

相关产品

普通会员

企业名：东莞市凤岗四海通电子经营部

类型：经销商

电话： 0769-86203789

联系人：吴笛

地址：广东东莞东莞凤岗沙岭凤岗电子城A190

产品分类

电源IC(2)
∟ LED驱动IC(1)∟ 其他电源IC(1)
二极管(7)
∟ 整流二极管(4)∟ 稳压二极管(1)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(1)∟ 肖特基二极管(1)
三极管(6)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(1)∟ 功率三极管(1)∟ 其他三极管(3)
场效应管MOSFET(9)
∟ MOSFET(4)∟ 结型场效应管(1)
可控硅IGBT(3)
∟ 双向可控硅(晶闸管)(3)
电源/稳压器(1)
∟ 电源适配器(1)
LED(1)
∟ LED器件(1)
其他未分类(1)

新品上架

商品信息

Features :   High input resistance and low drive current
              Sound temperature characteristic
              Fast switching speed
              Easy to increase current capacity by parallel wayMajor
Applications :Power switching circuit and power amplification circuit

DG11N60 VDMOS power transistor Absolute maximum ratings ( Tamb=25oC)	Parameter	Symbol	Rating value	Unit
	drain current ( continuous )	I_D	11	A
	drain source voltage	V_GS	&plu*n;30	V
	drain current ( pulsed )	I_DM	33	A
	thermal resistance （junction case )	R_θJC	1	℃/W
	dissipated power Tc=25oC	P_tot	175	W
	junction temperature	T_j	-55 to 150	℃
	storage temperature	T_stg	-55 to 150	℃

DG11N60 VDMOS power transistor Electrical characteristics ( Tamb=25oC)	Parameter	Symbol	Test conditions	Value			Unit
	Parameter	Symbol	Test conditions	MIN	*R	MAX	Unit
	D-S voltage	V_DSS	V_GS=0V, I_D=250μA	600			V
	D-S on resistance	R_DS(on)	V_GS=10V, I_D=5.5A		0.32	0.38	Ω
	gate threshold voltage	V_GS(th)	V_DS=V_GS, I_D=250μA	2		4	V
	S-D leakage current	I_DSS	V_DS=600V, V_GS=0V			10	μA
	G-S leakage current	I_GSS	V_GS= 30V			&plu*n;100	nA
	transconductance	g_fs	V_DS=50V, I_D=5.5A		9.7		S
	input capacitance	C_iss	V_GS=0V, V_DS=25V, f=1.0mHz		1148	1490	pF