您现在的位置:首页 > 元器件(最新) >

IRF730场效应管

(共找到“10”条查询结果)
所在地区
广东
浙江
新疆
河北
内蒙古
山西
吉林
黑龙江
江苏
辽宁
安徽
福建
江西
山东
河南
湖北
湖南
广西
海南
贵州
云南
西藏
四川
青海
陕西
甘肃
宁夏
台湾
澳门
香港
源头工厂
  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    IR IRF730

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    安得顺电子

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    IRF730

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MIN/微型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    *肖特基势垒栅

  • 品牌:

    IR/国际整流器

  • 型号:

    IRF730

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

    品牌/商标 AUK韩国光电子 型号/规格 STK0760F 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 开启电压 600(V) 夹断电压 30(V) *间电容 33300(pF) 低频噪声系数 300(dB) ...

      品牌/商标 SEMIHOW 型号/规格 HFP50N06/HFP630/HFP2N60 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600(V) 夹断电压 1200...

        品牌:IR/国际整流器型号:IRF730种类:结型(JFET)沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型N沟道场效应 MOS FET 400V 5.5A 75W Ron=1Ωmos代换型号;6N40"

          品牌/商标 *童 型号/规格 J6812 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 低频跨导 1(μS) *间...

          • 王小芸

          • 供应商等级: 免费会员
          • 企业类型:经销商
          • 地区:广东汕头
          • 电话:0754-82331186

          电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

          在采购IRF730场效应管进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

          免责声明:以上所展示的IRF730场效应管信息由会员自行提供,IRF730场效应管内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

          友情提醒:为规避购买IRF730场效应管产品风险,建议您在购买IRF730场效应管相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务",买卖都安全。