CER-DIP/陶瓷直插
IR IRF730
N-FET硅N沟道
L/功率放大
安得顺电子
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机：13923977543
国产
IRF730
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MIN/微型
SMD(SO)/表面封装
*肖特基势垒栅
手机：
IR/国际整流器
IRF730
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
S/开关
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机：13556331695
品牌/商标 AUK韩国光电子 型号/规格 STK0760F 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 开启电压 600（V） 夹断电压 30（V） *间电容 33300（pF） 低频噪声系数 300（dB） ...
电话：0755-84165080
品牌/商标 SEMIHOW 型号/规格 HFP50N06/HFP630/HFP2N60 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 1200...
电话：0755-83981035
品牌：IR/国际整流器型号：IRF730种类：结型(JFET)沟道类型：N沟道导电方式：耗尽型N沟道场效应 MOS FET 400V 5.5A 75W Ron=1Ωmos代换型号;6N40"
电话：519-86606573
品牌/商标 *童 型号/规格 J6812 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 低频跨导 1（μS） *间...
电话：0754-82331186
