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*现货供应 场效应管SI2302 SOT-23

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  • 漏*电流：

    3A

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格：

    SI2302

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌/商标：

    VISHAY/长电

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 低频噪声系数：

    1

  • *间电容：

    0.1

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    联系人：张新旭

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新品上架
商品信息 更新时间：2014-04-30







FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
逻辑电平门
72 毫欧 @ 3.6A, 4.5V
20V
1.2V @ 50µA
10nC @ 4.5V
3A
237pF @ 10V
1.25W
表面贴装

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