品牌:IXYS 型号:IXTA200N075T 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:D/变频换流 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:75（V） 夹断电压:75（V） 低频跨导:0.031（μS） 漏*电流:0.2（mA） 耗散功率:430000（mW）T*e: Trench Gate Power MOSFETs Part NoVdssIdRds(on)Pac...
电话：519-8128855
Silikron硅能
SSF11NS60F
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
现货销售MOSFET SSF11NS60F，封装：TO-220F，品牌：Silikron硅能VDSS：650VRDS(on)：0.36ohm(t*.)ID：11A
电话：519-88099996
Lttelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件...
Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC） MOSFET栅极免受过压...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30 V产品组合，扩展了现有StrongIRFET 2系列产品的阵容，以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求。新型功率 MOSFET产品经过优化，具有高可靠性和易用性，专为满...
意法半导体推出其第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术，在功率效率、功率密度和稳健性方面树立了新的标杆。 新技术不仅满足汽车和工业市场的需求，还特别针对牵引逆变器进行了优化，这是电动汽车 (EV) 动力系统的关键部件。该公司计划在 2027 年之前...
英飞凌推出了适用于 72V 和 84V 电池供电设备的 135V 功率 MOSFET。 英飞凌 135V OptiMOS 6 封装 其中有 10 种封装可供选择：7 针 D2PAK（TO-263）、3.3 x 3.3mm PQFN、SuperSO8、TO-220、TO-Leadless（HSOF-8）、TOLG（HSOG-8）或 TOLT（HDSOP-16）。...
氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。 近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...
