产品
发布采购信息 修改/删除采购【看报价】
您现在的位置：首页 > 元器件(最新) > 场效应管MOSFET >

MOSFET

（共找到“44”条查询结果）
广告
广告
更多>>

MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOSFET管 P沟道MOS管 TLP521 拆机场效应管 场效应MOSFET管 低压MOS管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

经销商
上海
源头工厂
1/3 跳至 下一页
JANSR2N7383宇航级 抗辐射MOSFET 宇航级场效应管 IR 2N7383
JANSR2N7383宇航级 抗辐射MOSFET 宇航级场效应管 IR 2N7383
  • 型号/规格：

    2N7383

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-253

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒装

  • 功率特征：

    大功率

  • 价格：

    12850.0

JANSR2N7383宇航级 抗辐射MOSFET 宇航级场效应管 IR 2N7383 场效应抗辐射晶体管, P沟道,硅,类型2N7382和2N7383JANTXV M,D ,R和R 英文标准名称:Semiconductor Device, Field Effect Ra...

日本东芝原装MOS管2SK4002Q
日本东芝原装MOS管2SK4002Q
  • 型号/规格：

    2SK4002Q

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA

  • 封装形式：

    TO253

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    小功率

长期现货供应

IRFR9120NTRPBF Infineon品牌mos管
IRFR9120NTRPBF Infineon品牌mos管
  • 型号/规格：

    IRFR9120NTRPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

  • 电流：

    6.6A

封装 / 箱体: TO-252-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: - 100 V Id-连续漏极电流: - 6.5 A Rds On-漏源导通电阻: 480 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 2...

场效应管 AUK STK0260F
场效应管 AUK STK0260F
  • 型号/规格：

    AUK STK0260F/2A/600V

  • 品牌/商标：

    AUK

  • 封装形式：

    TO-220F

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    *率

2011-11月新货，优势库存

华晶直插式CS20N60FA9H
华晶直插式CS20N60FA9H
  • 型号/规格：

    CS20N60FA9H

  • 品牌/商标：

    华晶

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特征：

    *率

主要应用领域：电源适配器，隔离式的LED驱动，电动车充电器，LCD电源 Silicon N-Channel Power MOSFET CS20N60FA9H General Description： CS20N60FA9H, the silicon N-channel Enhan...

IRG7PH50UPBF - 晶体管 IGBT
IRG7PH50UPBF - 晶体管 IGBT
  • 应用范围：

    功率

  • 品牌/商标：

    IR

  • 型号/规格：

    IRG7PH50UPBF

晶体管 IGBT 1200V 140A TO-247AC 晶体管类型: *缘栅双*型晶体管（IGBT） 集电*直流电流: 140A 集电*发射电压, Vce: 1.2kV 功耗 Pd: 556W 集电*发射电压, Vceo: 1.2kV 工作温度值: -55°C 工作温度值: 175°C 晶体管封装类型: TO-247AC...

ST 牌场效应晶体管
ST 牌场效应晶体管
  • 品牌/商标：

    ST MICRO

  • 型号/规格：

    STB11NK40ZT4/ROH

  • 沟道类型：

    其他

  • 类型：

    稳压IC

  • 产品性质：

    *

  • 营销方式：

    库存

  • 批号：

    T8*2L*0005

  • 封装：

    D2PAR

本公司供应库存FET -STB11NK40ZT4--D2PAR 产品，是本公司的实际库存因采购多了，现在出让给有用到的厂家。 原装产品。库存3k，单价:R*3.5/pc 可以先验货后付款。 请有用的厂家联系我...

AUK全系列MOS、IC、二三*管、光电开关
AUK全系列MOS、IC、二三*管、光电开关
  • 品牌/商标：

    AUK

  • 型号/规格：

    00-99

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

元佐電子系AUK、KODENSHI、Opto全系列產品(IC、MOS、LED、光电光耦传感器、二三*管等)中國大陸區的原廠代理商!SIT612SG215SG288SIT313SG107FSG105FHPI6FER2SG-2BCSPD994-02SPDE52-JSP...

IR场效应管代理商
IR场效应管代理商
  • 型号/规格：

    IRFPF30

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    贴片

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

国际整流器公司1947年成立，是*的功率半导体厂商。在过去的五十多年里，国际整流器公司在半导体行业中创下了许多项： · 1958年发布个商业齐纳二*管和太阳能电池 · ...

MOSFET 4N60
MOSFET 4N60
  • 品牌/商标：

    FM

  • 型号/规格：

    FM4N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    S/开关

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

4N60功率MOS场效应管采用*的高压DMOS工艺技术。这种*工艺使器件具有优良的特性，如*快的开关速度，*低栅电荷，化的导通电阻以及*强的雪崩击穿特性。这种器件*适合于*开关电源，DC/DC...

科联*原装IRF3205PBF,优势库存！
科联*原装IRF3205PBF,优势库存！
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF3205PBF

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

上海科联电子供应*原装MOS管IRF3205PBF，上海、深圳自家库存，价格优势，欢迎来电！类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET - 单系列：HEXFET®FET 型：MOSFET N 通...

FDN308P SOT-23 贴片场效应管 MOS
FDN308P SOT-23 贴片场效应管 MOS
  • 封装形式：

    SOT-23

  • 型号/规格：

    FDN308P

  • 材料：

    硅(Si)

  • 品牌/商标：

    ON/安森美

  • 应用范围：

    功率

标价为不拆散的价格，须拆散的买家请联系店主哦！本公司是一家的电子元器件供应商，已有多年的经营服务经验，在此行业中**的商家。公司业务:IC二三*管 晶振 电容电阻 磁珠电感 发光管...

场效应管IRFZ48N 直插TO220 IR*原装
场效应管IRFZ48N 直插TO220 IR*原装
  • 类型：

    其他IC

  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRFZ48N

  • 封装：

    TO220

  • 批号：

    2011

【拍前请联系】价格是跟着市场行情波动和数量的变化而调整，拍前请联系! 【买家须知】：1:价格是跟着市场行情波动和数量的变化而调整，拍前请联系! 我们会给你惠的价格.（未联系直接...

IRFZ44N, IRFZ44NPBF 含税价格
IRFZ44N, IRFZ44NPBF 含税价格
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRFZ44NPBF

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

SpecificationsParameterValuePackage TO-220ABCircuit DiscreteVBRDSS (V) 55VGs Max (V) 20RDS(on) Max 10V (mOhms) 17.5ID @ TC = 25C (A) 41ID @ TC = 100C (A) 29Qg T* (nC) 42....

东芝代理 原装现货 TK13A45D
东芝代理 原装现货 TK13A45D
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    TK13A45D

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

属性值条件部件型号TK13A45D *性N沟 漏源电压VDSS450 V 漏电流ID13 A 漏功耗PD45 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)25 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.46 Ω 封装TO-220SIS ...

原装*现货MURS320T1G
原装*现货MURS320T1G
  • 品牌/商标：

    0N/安森美

  • 型号/规格：

    MURS320

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

询价致电： 上海振兴是一家代理和销售电子元器件为一体的企业。每月*请登陆http://zhenxing889.cn.china.cn查询库存请登陆http://shzx.ic37.com敬请关注此网站。我司拥有四川乐山LRC...

3DA10A 3DA10B 3DA10 高频大功率晶体管 上海赛格直销
3DA10A 3DA10B 3DA10 高频大功率晶体管 上海赛格直销
  • 是否提供加工定制：

    是

  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    3DA10

  • 应用范围：

    放大

  • 材料：

    硅(Si)

  • 极性：

    NPN型

  • 击穿电压VCEO：

    34（V）

  • 集电极允许电流ICM：

    1（A）

本品为F-1封装，功率10W，电流1A 上海天蓉电子主要经销国外品牌集成电路、变压器、电阻电容、二三极管、接插件；在国产元器件方面有比较大的优势。一直秉承“诚实守信，...

IRF3205 *原装IR 110A50V增强型MOS管N沟道
IRF3205 *原装IR 110A50V增强型MOS管N沟道

    品牌/商标 美国IR 型号/规格 IRF3205 *原装墨西哥产地 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/*组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 50（V）

    STP75NF75 场效应管
    STP75NF75 场效应管
    • 品牌：

      ST

    • 型号：

      STP75NF75

    品牌/商标 ST 型号/规格 STP75NF75 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 M*金属半导体 开启电压 00（V） 夹断电压 00（V） 低频跨导 00（μS） *间电容 000（pF） 低频噪声系数 00（dB） 漏*电流 00（mA） 耗散功率 00（mW）

    BA033SFP-E2 ROHM电压调节器 电流限制/关闭 封装TO-252-5
    BA033SFP-E2 ROHM电压调节器 电流限制/关闭 封装TO-252-5
    • 品牌/商标：

      ROHM/罗姆

    • 型号/规格：

      BA033SFP-E2

    • 种类：

      绝缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      AM/调幅

    • 封装外形：

      CHIP/小型片状

    • 电压,Vz：

      3.3V

    产品技术参数安装类型表面贴装宽度5.5mm封装类型TO-252尺寸6.5 x 5.5 x 2.3mm引脚数目5工作温度-40°C输入电压25 V输出电流1A输入电压4.3 V工作温度+85°C线路...

    MOSFET行业资讯

    什么是MOSFET?

    • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

    • 目录

      MOSFET

    MOSFET技术资料

    • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

      “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

    • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

      绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

    • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

      新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

    • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

      新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

    • MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]

      MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。　　在开关模式下， 栅源电压要么足够低以防止电流流动，...

    热门产品推荐

    电子元器件产品索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

    在采购MOSFET进货过程中，您使用搜索有什么问题和建议？点此反馈

    免责声明：以上所展示的MOSFET信息由会员自行提供，MOSFET内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

    友情提醒：为规避购买MOSFET产品风险，建议您在购买MOSFET相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务"，买卖都安全。

    友情链接： 电解水加盟 闪光灯

    ©2024 维库电子市场网　经营许可证编号：浙B2-20050339 版权声明
    买家服务热线：0571-85317607 | 买家服务部QQ： QQ:1609526468
    卖家服务热线：0571-85317607 | 卖家服务部QQ： QQ:331652727
    广东
    浙江
    新疆
    河北
    内蒙古
    山西
    吉林
    黑龙江
    江苏
    辽宁
    安徽
    福建
    江西
    山东
    河南
    湖北
    湖南
    广西
    海南
    贵州
    云南
    西藏
    四川
    青海
    陕西
    甘肃
    宁夏
    台湾
    澳门
    香港